佳能公司宣布將于2018年12月下旬發(fā)布針對(duì)半導(dǎo)體曝光設(shè)備后道工序的i線***※1「FPA-5520iV」系列的高分辨率新產(chǎn)品“FPA-5520iV HR Option”，強(qiáng)化FOWLP※2功能，并進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率。

FPA-5520iV HR

FOWLP功能的半導(dǎo)體曝光設(shè)備市場(chǎng)正在擴(kuò)大。在FOWLP封裝技術(shù)市場(chǎng)中，對(duì)高密度布線的需求高，進(jìn)而提高了對(duì)分辨率的要求。

新產(chǎn)品在繼承了“FPA-5520iV”（2016年7月上市）的強(qiáng)大FOWLP功能及高生產(chǎn)效率等基本性能的同時(shí)，進(jìn)一步提高了分辨率，達(dá)0.8微米※3。

實(shí)現(xiàn)分辨率0.8微米

“FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率，而在“FPA-5520iV HR Option”中采用了全新投射光學(xué)系統(tǒng)，使針對(duì)封裝的***可以實(shí)現(xiàn)分辨率0.8微米的微細(xì)圖形加工，達(dá)到業(yè)界最高水平※4。由此，半導(dǎo)體芯片可更小，而且能夠增加信息處理量，提升處理速度。

繼承“FPA-5520iV”的基本性能

新產(chǎn)品同時(shí)也繼承了“FPA-5520iV”已實(shí)現(xiàn)的多個(gè)基本性能。如可以靈活應(yīng)對(duì)再構(gòu)成基板※5變形等FOWLP技術(shù)中的量產(chǎn)問(wèn)題，以及在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上檢測(cè)校準(zhǔn)標(biāo)記※6、從而提高生產(chǎn)效率等性能。

佳能未來(lái)將繼續(xù)提供針對(duì)半導(dǎo)體曝光設(shè)備的多種解決方案和升級(jí)選項(xiàng)等，來(lái)滿足市場(chǎng)需求。

※1使用水銀燈波長(zhǎng)為365納米光源的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。1納米是10億分之一米。

※2Fan Out Wafer Level Package的簡(jiǎn)寫。封裝技術(shù)的一種。有可以應(yīng)對(duì)無(wú)基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢(shì)。

※31微米是100萬(wàn)分之一米。（= 1000分之一毫米）

※4判斷條件為同等級(jí)的i線***，并硅片平坦度相同的情況。截止2018年12月10日。（佳能調(diào)查）

※5將從半導(dǎo)體***前道工序中制造的晶元中取出多個(gè)半導(dǎo)體芯片原件并排列，用樹(shù)脂固定成晶元形狀的基板。

※6用來(lái)校準(zhǔn)曝光設(shè)備在基板上的位置。通過(guò)觀察和測(cè)量多個(gè)標(biāo)記，精密把握曝光裝置的位置。

＜半導(dǎo)體曝光設(shè)備的市場(chǎng)動(dòng)向＞

通過(guò)微型化實(shí)現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體元件制造工藝暫時(shí)處于停滯狀態(tài)。作為微型化以外的高度集成方法之一，提高封裝布線密度的方案被提出。其中，F(xiàn)OWLP作為最有力的技術(shù)受到廣泛關(guān)注，伴隨后道工序制造廠商量產(chǎn)化趨勢(shì)逐漸興起的同時(shí)，F(xiàn)OWLP的RDL※微型化也得到了發(fā)展。

※Redistribution Layer的簡(jiǎn)寫。從芯片上的高密度的端點(diǎn)到封裝間布線的層。

＜主要商品規(guī)格＞