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14nm或于6月量產(chǎn),中芯首次披露12nm及第二代FinFET "N+1"計(jì)劃

b8oT_TruthSemiG ? 來(lái)源:lq ? 2019-02-20 15:54 ? 次閱讀
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14nm或于6月量產(chǎn),中芯首次披露12nm及第二代FinFET "N+1"計(jì)劃

根據(jù)中芯國(guó)際披露的財(cái)報(bào),2018年第四季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.88億美元,與2017年第四季度基本持平;實(shí)現(xiàn)毛利潤(rùn)1.34億美元,同比下降9.7%;毛利率為17.0%,同比下降1.9%。縱觀2018年全年,實(shí)現(xiàn)營(yíng)收33.6億美元,創(chuàng)歷史新高,相比2017年的31億美元同比增長(zhǎng)8.3%,連續(xù)4年持續(xù)成長(zhǎng);中國(guó)客戶(hù)收入占比達(dá)到59.1%,相比2017年為47.3%,創(chuàng)歷史新高;實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)1.34億美元,毛利率為22.2%。

按照工藝劃分的收入占比分別為:150/180nm 38.7%、55/65nm 23.0%、40/45nm 20.3%、110/130nm 7.3%、28nm 5.4%、250/350nm 3.6%、90nm 1.7%。同時(shí)受市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈所致,28nm占比有所下滑,但中芯國(guó)際逐步提高該節(jié)點(diǎn)良率并更新工藝,HKC持續(xù)上量,HKC+開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)在28nm中的占比持續(xù)增加,同時(shí)導(dǎo)入AP、RF、MCU、Memory等多種應(yīng)用,可持續(xù)提升營(yíng)收占比。

先進(jìn)制程方面,14nm據(jù)透露或?qū)⒂诮衲?月量產(chǎn),目前第一代FinFET 14nm工藝進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證階段,產(chǎn)品可靠度與良率進(jìn)一步提升,比原計(jì)劃的今年下半年量產(chǎn)進(jìn)度加快了半年以上,實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)技術(shù)路線(xiàn)圖的重要跨越。同時(shí),中芯國(guó)際首次透露12nm等更先進(jìn)工藝的研發(fā)也在全面進(jìn)行中。

出貨方面,第四季度出貨晶圓121.77萬(wàn)片,同比增長(zhǎng)8.3%,月產(chǎn)能折合200mm晶圓已達(dá)45.13萬(wàn)片,同比增長(zhǎng)2.0%。

2019年晶圓廠運(yùn)營(yíng)的資本支出預(yù)算提升至22億美元,主要用于中芯南方和FinFET研發(fā)線(xiàn)的建設(shè)。

2018年用于晶圓廠運(yùn)營(yíng)的資本支出為18億美元,主要用于中芯北方、天津8英寸廠和中芯南方的建設(shè),以及研發(fā)設(shè)備的購(gòu)買(mǎi)。

商譽(yù)減值過(guò)后長(zhǎng)電科技、風(fēng)華高科能否破而后立?

長(zhǎng)電科技并購(gòu)后遺癥,星科金朋連虧4年

在業(yè)績(jī)方面,2015年,長(zhǎng)電科技凈利潤(rùn)虧損1.6億元;2016年長(zhǎng)電科技在收到2.1億元政府補(bǔ)助的情況下,凈利潤(rùn)依舊虧損3.2億元。2017年,長(zhǎng)電科技只能通過(guò)變賣(mài)子公司股份、調(diào)整所得稅等方式勉強(qiáng)扭虧為贏,避免成為ST公司。2018年11月,長(zhǎng)電科技向關(guān)聯(lián)方出售了分立器件自銷(xiāo)業(yè)務(wù)相關(guān)資產(chǎn),交易金額達(dá)6.6億元,而此時(shí)分立器件市場(chǎng)正處于高景氣度。

2015年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高度景氣,長(zhǎng)電科技在大基金、中芯國(guó)際的支持下,斥資47.7億元要約收購(gòu)了新加坡封測(cè)廠商星科金朋100%股權(quán),成功躋身世界前五大封裝測(cè)試廠商。

要約收購(gòu)?fù)瓿珊?,星科金朋連續(xù)3年大幅虧損,長(zhǎng)電科技以業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)無(wú)減值為由,未對(duì)收購(gòu)星科金朋形成的商譽(yù)計(jì)提減值準(zhǔn)備。由于星科金朋的業(yè)績(jī)拖累,以及收購(gòu)引發(fā)的采購(gòu)補(bǔ)償和債券贖回等問(wèn)題,長(zhǎng)電科技已經(jīng)付出了不少代價(jià)。

成都格芯停擺打臉重慶后,格芯再打臉成都

格芯中國(guó)廠投資路徑:

2016年,格芯與重慶渝德達(dá)成協(xié)議,以合資的方式在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠。同年格芯爆發(fā)大規(guī)模虧損,簽約項(xiàng)目擱置。

2017年5月,格芯宣布簽約成都??偼顿Y超100億美元,建大陸最大12寸邏輯器件晶圓廠。

2018年6月,格芯全球裁員,成都廠招聘暫停。

2018年10月,格芯取消成都廠180nm/130nm項(xiàng)目投。

格芯去年8月宣布無(wú)限期暫緩發(fā)展7納米及以下先進(jìn)制程,震撼業(yè)界;隨著格芯退出先進(jìn)制程競(jìng)賽,目前全球僅剩三星與臺(tái)積電擁有7奈米制程晶圓代工量產(chǎn)能力。

據(jù)行業(yè)媒體報(bào)導(dǎo),一名自稱(chēng)格芯中國(guó)成都廠的前員工指出,成都廠內(nèi)部設(shè)備已清,對(duì)于員工離職的要求,已從「需返還培訓(xùn)費(fèi)用」轉(zhuǎn)變?yōu)椤覆恍璺颠€培訓(xùn)費(fèi)用」,如同變相鼓勵(lì)員工離職。

傳中方擬將美芯片進(jìn)口額提升至2000億美元

據(jù)美國(guó)CNBC報(bào)道,美國(guó)商界的消息人士透露,為了緩解中美兩國(guó)之間的貿(mào)易沖突,中方向美貿(mào)易代表團(tuán)提議,未來(lái)6年將從美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)金額提高至2000億美元。

根據(jù)中國(guó)海關(guān)公布的數(shù)據(jù)顯示,2017年中國(guó)集成電路進(jìn)口總額為2601.43億美元,其中從美國(guó)進(jìn)口的集成電路僅有102億美元,約占我們進(jìn)口總額的3.9%。顯然這個(gè)數(shù)據(jù)并未反映真實(shí)的情況。

中國(guó)從美國(guó)廠商采購(gòu)的集成電路總額到底有多少呢?根據(jù)資料統(tǒng)計(jì),在中國(guó)銷(xiāo)售占比較大的15家美國(guó)半導(dǎo)體公司,2017年在中國(guó)的總銷(xiāo)售額已經(jīng)接近600億美元,占據(jù)中國(guó)集成電路進(jìn)口總額的23%左右。

華為5G DIS首發(fā),將于2月18日啟動(dòng)建設(shè)5G火車(chē)站

根據(jù)華為官方發(fā)布的消息顯示,2月18日,5G火車(chē)站啟動(dòng)建設(shè)暨華為5G DIS室內(nèi)數(shù)字系統(tǒng)全球首發(fā)儀式,將在上海虹橋火車(chē)站召開(kāi)。

隨著5G商用臨近,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的蓬勃發(fā)展,使得用戶(hù)對(duì)流量的消費(fèi)需求越來(lái)越高,同時(shí),也給企業(yè)帶來(lái)了新的商業(yè)機(jī)會(huì)、以及便民手段。業(yè)界需要一張深度覆蓋、支持大容量、可靠的網(wǎng)絡(luò),提供個(gè)人業(yè)務(wù)以及增值業(yè)務(wù)。而5G室內(nèi)數(shù)字系統(tǒng)(DIS)被認(rèn)為是解決之道。

據(jù)介紹,5G時(shí)代的新業(yè)務(wù)70%會(huì)發(fā)生在室內(nèi),對(duì)室內(nèi)覆蓋體驗(yàn)提出更高的要求。而室內(nèi)數(shù)字系統(tǒng)(DIS),具備頭端數(shù)字化、線(xiàn)纜IT化、運(yùn)維可視化三大特征,是產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的5G室內(nèi)覆蓋的建網(wǎng)架構(gòu)。(校對(duì)/Oliver)

IC Insights***晶圓廠產(chǎn)能全球第一,大陸地區(qū)增長(zhǎng)最快

市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布了各個(gè)地區(qū)或國(guó)家晶圓廠月產(chǎn)能排名,其中***地區(qū)排名第一,韓國(guó)排名第二,日本排名第三,美國(guó)排名第四,大陸地區(qū)排名第五。

京東方擴(kuò)產(chǎn)沖第一,奪5大面板應(yīng)用全球出貨霸主

而最新數(shù)據(jù)顯示,京東方2018年擊退樂(lè)金顯示器(LG Display),首度拿下全球液晶電視面板以及液晶監(jiān)視器面板出貨王寶座,在5大主流面板應(yīng)用領(lǐng)域正式成為全球霸主。

投資150億,CIDM集成電路項(xiàng)目落戶(hù)青島西海岸

位于青島西海岸新區(qū)國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)的全國(guó)首個(gè)協(xié)同式集成電路制造(CIDM)項(xiàng)目基礎(chǔ)施工建設(shè)正在熱火朝天的進(jìn)行。這一項(xiàng)目打破了山東省制造業(yè)“缺芯少面”的局面,彌補(bǔ)了集成電路產(chǎn)業(yè)空白,將提升高端制造業(yè)核心配套率。

據(jù)介紹,該項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)領(lǐng)軍人物張汝京博士,擁有30多年的半導(dǎo)體制造與研發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾在美國(guó)德州儀器工作了20年,是中芯國(guó)際集成電路制造有限公司及上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司的創(chuàng)始人。

落戶(hù)新區(qū)的CIDM集成電路項(xiàng)目采用共建共享的模式,總投資約150億元,由IC設(shè)計(jì)公司、終端應(yīng)用企業(yè)與IC制造廠商共同參與項(xiàng)目投資,并通過(guò)成立合資公司的形式將多方整合在一起。這一模式可使IC設(shè)計(jì)公司擁有芯片制造廠的專(zhuān)屬產(chǎn)能及技術(shù)支持,同時(shí)IC制造廠得到市場(chǎng)保障,實(shí)現(xiàn)了資源共享、能力協(xié)同、資金風(fēng)險(xiǎn)分擔(dān)。

IDC:2018年中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)出貨量降至3.98億部,五大廠商份額升至87.5%

今天國(guó)際知名調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC發(fā)布了2018年中國(guó)智能手機(jī)排名數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示,華為仍是中國(guó)王者,OPPO、vivo、小米、蘋(píng)果位列前五,五大廠商市場(chǎng)份額升至87.5%。

整體看,2018年全年市場(chǎng)總出貨量從2017年4.44億部,降至3.98億部,降幅達(dá)到10.5%。

華為成全球第三大芯片買(mǎi)家,中國(guó)有4家公司躋身前十芯片采購(gòu)商

市場(chǎng)研究公司Gartner發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示,2018年華為半導(dǎo)體采購(gòu)支出超過(guò)210億美元,成為全球第三大芯片買(mǎi)家,占據(jù)全球4.4%的市場(chǎng)份額。

盡管與前兩名相比,采購(gòu)花費(fèi)仍存在一定差距,但從漲幅來(lái)看,2018年華為半導(dǎo)體采購(gòu)支出同比大漲45.2%,遠(yuǎn)超三星、蘋(píng)果,成為T(mén)op 5中增幅最大的企業(yè)。

IC Insights:大陸半導(dǎo)體制造困難大,五年后自制率不過(guò)半

2018 年大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)為1,550 億美元,而自己產(chǎn)出為238億美元,這樣計(jì)算的IC自給率達(dá)15.3%,高于2013 年前的12.6%。而且,預(yù)測(cè)到了2023 年之時(shí),這一比率將提升至20.5%。

臺(tái)積電將成蘋(píng)果A13芯片獨(dú)家供應(yīng)商

臺(tái)積電將成為蘋(píng)果公司2019年iPhone系列手機(jī)所用定制芯片A13的獨(dú)家供應(yīng)商,并且將在今年第二季度使用7納米制程工藝量產(chǎn)A13芯片,包括使用極紫外光(EUV)技術(shù)的增強(qiáng)版7納米工藝。

硅片產(chǎn)業(yè):12英寸硅晶圓缺貨要持續(xù)到2020年

2019年1月30日,SEMI Silicon Manufacturers Group(SMG)發(fā)布報(bào)告稱(chēng),2018年全球硅片總出貨面積為127.32億平方英寸,較2017年增長(zhǎng)7.81%;銷(xiāo)售額為114億美元,較2017年增長(zhǎng)30.65%;每平方英寸單價(jià)為0.89美元,較2017年增長(zhǎng)21%。

盡管需求強(qiáng)勁,2018年收入大幅增長(zhǎng),是10年來(lái)首次突破100億美元大關(guān),但整體市場(chǎng)仍然低于2007年的市場(chǎng)高位121億美元,2007年每平方英寸單價(jià)高達(dá)1.4美元。

7納米EUV制程戰(zhàn)火燃,臺(tái)積電3月領(lǐng)先量產(chǎn)

延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn),而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

據(jù)了解,獨(dú)家提供EUV設(shè)備的ASML,先前預(yù)估2019年EUV機(jī)臺(tái)設(shè)備銷(xiāo)售總量將達(dá)30臺(tái),當(dāng)中臺(tái)積電就砸下重金訂購(gòu)18臺(tái),顯見(jiàn)7納米、5納米EUV制程推進(jìn)相當(dāng)順利。臺(tái)積電以強(qiáng)勁技術(shù)實(shí)力與龐大資本支出已將競(jìng)爭(zhēng)門(mén)檻筑高,與三星電子(Samsung Electronics)實(shí)力差距可望在EUV世代中快速拉開(kāi)。

8英寸晶圓需求火 ,SEMI估2020年前產(chǎn)量增70萬(wàn)片

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布全球8英寸晶圓廠展望報(bào)告(Global 200mm Fab Outlook)指出,由于移動(dòng)通信物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用和工業(yè)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求,2019到2022年8英寸晶圓廠產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增加70萬(wàn)片,增幅為14%。

SEMI也認(rèn)為,眾多上述相關(guān)應(yīng)用都在8英寸找到適合的生產(chǎn)甜蜜點(diǎn),未來(lái)幾年將推升全球8英寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接近650萬(wàn)片。

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原文標(biāo)題:(2019.21.18)半導(dǎo)體一周要聞-莫大康

文章出處:【微信號(hào):TruthSemiGroup,微信公眾號(hào):求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    南<b class='flag-5'>芯</b>科技發(fā)布<b class='flag-5'>第二代</b>車(chē)規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān)SC77450CQ

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù),在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?1023次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    最高256細(xì)分,支持集成式熱管理系統(tǒng)!納微發(fā)布第二代步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)NSD8389-Q1

    微推出第二代車(chē)規(guī)級(jí)高性能步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器NSD8389-Q1,具備寬電壓、低內(nèi)阻、高細(xì)分等特性,支持多種配置與保護(hù)功能。該產(chǎn)品助力汽車(chē)制造商實(shí)現(xiàn)高精度電機(jī)控制,適用于熱管理、頭燈控制、HUD等場(chǎng)景,推動(dòng)汽車(chē)電氣化和智能化升級(jí)。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 16:32 ?1013次閱讀
    最高256細(xì)分,支持集成式熱管理系統(tǒng)!納<b class='flag-5'>芯</b>微發(fā)布<b class='flag-5'>第二代</b>步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)NSD8389-Q<b class='flag-5'>1</b>

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1919次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車(chē)規(guī)級(jí)開(kāi)發(fā)平臺(tái)

    第二代OrangeBox開(kāi)發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1454次閱讀

    雷軍:小米自研芯片采用二代3nm工藝 雷軍分享小米芯片之路感慨

    Ultra,小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露,小米玄戒O1,采用第二代3nm工藝制程,力爭(zhēng)躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會(huì)的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:52 ?1410次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿(mǎn)足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái),提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿(mǎn)足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1306次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿(mǎn)足各種CXL應(yīng)用需求

    方正微電子推出第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

    2025年416日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際頭部領(lǐng)先水平。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:06 ?1590次閱讀