現(xiàn)在半導(dǎo)體制程的提升越來越困難，Intel因為各種原因深陷10nm的泥潭無法自拔，三星和臺積電則相對比較順暢雙雙跨入7nm時代。

AMD在GF宣布停止制程研發(fā)之后，將顯卡和CPU重新導(dǎo)入臺積電生產(chǎn)，而比較有意思的是AMD居然先于NVIDIA一步，更早拿到了7nm工藝，由此帶來了第一張7nm的獨立顯卡產(chǎn)品，Radeon VII。

今天就帶來Radeon VII的測試報告。

產(chǎn)品外觀介紹：

由于拿到的是樣卡，所以沒有附件，直接開始介紹顯卡的本體部分。

顯卡的整體外觀金屬感還是很足的，導(dǎo)風(fēng)罩和背板均為鋁合金材質(zhì)。模具與Vega 64的限量版相同，但是表面處理從拉絲鋁陽極改為了磨砂鋁陽極。

顯卡為三風(fēng)扇架構(gòu)，現(xiàn)在公版與非公幾乎已經(jīng)沒有差別了。

顯卡頂部有一個Radeon字樣的LOGO燈。

顯卡的供電為雙8PIN。

顯示接口為3*DP+1*HDMI，比較標(biāo)準(zhǔn)的配備。顯卡厚度是標(biāo)準(zhǔn)的雙槽位。

顯卡的長度約為27厘米，兼容性較好。

顯卡的高度略高于PCI擋板，總體高度在14厘米左右。

顯卡是有保修易碎貼的，沒有特別的理由最好不要拆解。

產(chǎn)品拆解介紹：

接下來對顯卡做一下拆解，顯卡主要由風(fēng)扇導(dǎo)風(fēng)罩、散熱器本體、PCB中框、顯卡PCB、顯卡背板，五個部分組成。

顯卡的背板沒有導(dǎo)熱墊，只起到固定作用，可以看到背面有很多絕緣墊避免短路。

顯卡PCB中框背面做了大量導(dǎo)熱墊，不過只針對于MOS管，供電PWM芯片沒有做導(dǎo)熱處理。

整張顯卡螺絲數(shù)量非常多，例如圖中PCB中框上有大量的螺絲，對應(yīng)PCB中框上的導(dǎo)熱墊保證壓力。拆起來比較煩，但好在設(shè)計還比較合理。

接下來介紹一下散熱器本體。

散熱器底座為一整張的均熱板，與核心接觸的部分沒有做鏡面處理。

核心的導(dǎo)熱材料是比較特殊的，并非傳統(tǒng)的硅脂，也不是液態(tài)金屬。微距來看的話可以看到大量的分層結(jié)構(gòu)，所以是石墨材料，導(dǎo)熱效率會高于一般的硅脂。

巨大的底座上可以看到明顯的燒結(jié)端，所以是均熱板無誤。

離核心較遠(yuǎn)的一半散熱鰭片是靠五根拍扁的8mm熱管來散熱，可以看到與底座之間明顯的焊接痕跡。這樣做的原因應(yīng)該是避免均熱板做的過大增加不良率。

顯卡的散熱鰭片間距控制的很好，做工看著舒服。

有一個細(xì)節(jié)我覺得做的還是不錯的，就是顯卡的散熱鰭片幾乎將風(fēng)扇的空隙都填滿，盡可能增加散熱面積。

顯卡的風(fēng)扇FIRSTD，算是現(xiàn)在顯卡散熱器比較主流的代工廠商。

這張卡做的比較二的是顯卡LOGO燈的接線。原本是可以通過拆掉導(dǎo)風(fēng)罩上的四顆螺絲來取下整個導(dǎo)風(fēng)罩，對顯卡進(jìn)行灰塵清理，但是LOGO燈的接線被卡在散熱器本體下面，導(dǎo)致無法完全拆下。

產(chǎn)品PCB介紹：

整個PCB的方案與Vega系列較為近似，但是用料上明顯有了增強(qiáng)。

顯卡核心做的是比較特殊的地方，由于采用HBM2顯存，所以顯存與核心是封裝在一起的。Radeon VII非常兇殘地用到了16G HBM2顯存，所以是目前顯存帶寬最大，容量也最大的游戲顯卡。

相對來說核心反而顯得比較小了。由于Radeon VII的核心是Vega 64的改進(jìn)型，并沒有暴力擴(kuò)大規(guī)模，采用7nm制程之后核心面積就明顯縮小，對比這代RTX 20系列的核心可以說顯得頗為迷你。

顯卡的供電接口后方有兩顆R56差模電感和四顆聚合物電容，不過沒看到傳統(tǒng)上會放的保險絲。

由于顯卡的核心與顯存是共同封裝的，所以供電也是擺在了一起，整個核心+顯存一共是14相。

顯卡的供電PWM芯片為兩顆IR 35217，結(jié)合PCB來看，顯卡的供電應(yīng)為10+4相，核心為10相，顯存為2+2相合計4相。

供電是兩兩為一組。核心供電部分，輸入電容為每相1顆100微法加一顆150微法的聚合物電容，MOS為1顆IR的TDA21472，電感感值為R19，輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。

顯存供電部分，輸入電容為每相1顆150微法的聚合物電容，MOS為1顆IR的TDA21472，電感感值為R19，輸出電容為每相2顆470微法的聚合物電容。

整體的供電用料是相當(dāng)?shù)脛?，還是下了本錢的。

針對核心控制器部分的供電，AMD居然也搞得很刺激。控制器的供電共3相，分為兩種方案。

單相供電的方案，輸入電容為每相1顆150微法的聚合物電容，MOS為1顆IR的35401M，電感感值為R82，輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。

2相供電的方案，輸入電容為每相1顆100微法的聚合物電容，MOS為1顆MPJD8633，電感感值為R82，輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。

真的是很舍得堆供電。

PCI-E的輔助供電也放了2顆150微法的聚合物電容，一顆R47感值的電感。

顯卡顯示接口的低通部分做的比較簡單，畢竟是全數(shù)字接口了。

產(chǎn)品測試平臺：

由于這次拿到的比較晚，所以沒有時間對顯卡去拍照，我們直接開始測試。以下為測試平臺的詳細(xì)配置表。

主板是Z370-GAMING 5。

內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實際運(yùn)行頻率是2666C15。

SSD是三塊INTEL，系統(tǒng)盤用的是比較主流的535，以保證測試更接近一般用戶。240G用作系統(tǒng)盤，480G*2主要是拿來放測試游戲。

散熱器是酷冷的冰神G360RGB。

電源是酷冷至尊的V1000。

測試平臺是Streacom的BC1。

性能測試項目介紹：

對于有興趣進(jìn)一步了解對比性能的童鞋，這邊會提供詳細(xì)的測試數(shù)據(jù)。測試大致會分為以下一些部分：GPU理論性能、GPU基準(zhǔn)測試、游戲性能測試、硬件加速測試、功耗測試。老規(guī)矩，數(shù)據(jù)量會比較大。

顯卡性能測試與分析：

GPU理論性能測試，是用AIDA64的內(nèi)置工具進(jìn)行的?？梢钥吹絉adeon VII整體的算力對比Vega也并非是等比例提升。在雙精度浮點和整數(shù)運(yùn)算上有明顯提高，解碼等測試項目提升也很大。

所以AMD官方宣稱的Radeon VII相對Vega有額外的計算單元引入、并非是馬甲核心是真實的。

3D基準(zhǔn)測試，主要是跑一些基準(zhǔn)測試軟件。

3D游戲測試，表格中將DX9~DX12不同世代的游戲進(jìn)行了分類，這樣會更加清晰一些。由于性能測試時間上有先后，所以測試項目上會有所不同。

游戲性能總體上來看，Radeon VII與NV 20系列顯卡的游戲性能差異非常不平均，簡單來說就是游戲越新A卡越強(qiáng)。

在DX9和DX10的老游戲上RTX 2070甚至可以反超Radeon VII，在DX11中Radeon VII比RTX 2070高5%，在DX12下Radeon VII的優(yōu)勢則一下子拉到近21%已經(jīng)達(dá)到RTX 2080的水平。所以N卡20系列對DX12的優(yōu)化似乎只局限于3D MARK。

按照分辨率來看，1080P下，Radeon VII的表現(xiàn)還是不夠理想，從降壓測試的結(jié)果來看，AMD并沒有讓Radeon VII在較低分辨率下保持最優(yōu)秀的狀態(tài)。

4K下，Radeon VII的優(yōu)勢則明顯展露出來，對RTX 2070的整體優(yōu)勢超過了20%，DX12游戲中甚至超過了30%，已經(jīng)高于RTX 2080的表現(xiàn)了。

硬件加速的性能測試簡單看一下就好了。這次Radeon VII最終還是沒有獲得專業(yè)卡驅(qū)動解鎖，不過依靠顯卡自身架構(gòu)，在硬件加速方面依然會比Vega有很大的優(yōu)勢。

實際運(yùn)行參數(shù)：

這邊裸機(jī)運(yùn)行下，頻率穩(wěn)定在1780MHz，顯存頻率等效為999MHz。顯然還是受限于GCN的架構(gòu)，核心頻率沒有辦法做的特別高。

顯卡功耗測試：

功耗上來看Radeon VII的能耗比表現(xiàn)不錯，但是驅(qū)動似乎對FURMARK沒有做出限制，所以這張卡沒有特別必要不建議多跑 FURMARK。

無論是其他人的測試還是我自己的實測都發(fā)現(xiàn)，Radeon VII存在比較明顯的限流，主要是因為核心發(fā)熱比較集中（核心與顯存堆在一起）和默認(rèn)電壓設(shè)置過于保守。默認(rèn)電壓在1.08V左右，在降低到0.95V的時候依然可以正常運(yùn)行。

所以這邊做了一個迷你測試。

從測試結(jié)果來看，還是比較有意思的，整體性能幾乎維持一致。

具體來看1080P游戲的功耗下降幅度是最明顯的，下降了55W之多，而性能反而略微提升1%左右。而4K游戲下游戲性能有所降低，大部分在1%以內(nèi)，《殺出重圍：人類分裂》應(yīng)該是有一點問題，性能掉了20%。

所以結(jié)論也比較明顯了，Radeon VII默認(rèn)的BIOS設(shè)置還是有一定的問題的，AMD對游戲功耗的限制比較嚴(yán)苛（整機(jī)355W），但是在FURMARK上限制則更為寬松（整機(jī)426W），而在電壓降低后顯卡功耗下降比較明顯，所以AMD是對電流做了限制，來控制整張卡的功耗與散熱器的溫度墻相匹配，以默認(rèn)的BIOS設(shè)置來運(yùn)行，會導(dǎo)致游戲性能略受限制。

那對于AMD來說實際的解法應(yīng)該有兩種，一是適當(dāng)降低電壓在同等功耗下可以通過更多電流去壓榨核心；二是放棄對雙槽卡的執(zhí)念加厚散熱器，這樣可以進(jìn)一步提高散熱器的效率，提高功耗限制。

需要注意的是，顯卡核心的體質(zhì)會對降壓操作產(chǎn)生很大的影響，所以不建議手動去操作。

測試結(jié)論：

－ 本次測試主要用到5張顯卡，對比組是微星RTX 2070、迪蘭Vega 64、技嘉RTX 2060、索泰GTX 1070 Ti。

－ 理論性能測試，由于Radeon VII是沒有閹割的專業(yè)卡核心，所以即使相比Vega在雙精度的浮點和整數(shù)運(yùn)算上。

－ 跑分性能，跑分性能Radeon VII整體高于RTX 2070 3%左右，主要是因為20系列N卡重點優(yōu)化了VR和3DMARK TS系列的跑分，導(dǎo)致跑分會偏高。

－ 游戲性能，Radeon VII會高于RTX 2070 9%左右，目前Radeon VII的驅(qū)動還是有一些問題，如果全部解決的話還能再改善一些。

－ 硬件加速性能測試，這個環(huán)節(jié)N卡歷來不占優(yōu)，Radeon VII甚至?xí)哂赗TX 2080 Ti 11%。

－ 功耗測試，Radeon VII的能耗比表現(xiàn)其實不錯，能耗比已經(jīng)優(yōu)于GTX 1070 Ti。而功耗的絕對值上看游戲功耗與1080 Ti相當(dāng)，但是FURMARK烤機(jī)功耗特別大。

歷史測試對比：

這邊對比一下我這段時間以來測試過的顯卡，圖中不包含功耗測試的測試都是之前用6700K測試的。

簡單總結(jié)：

關(guān)于顯卡的性能：

Radeon VII的性能與游戲和分辨率有比較大的關(guān)系。從游戲上來看游戲越新則Radeon VII表現(xiàn)越好，從分辨率來看分辨率越高Radeon VII表現(xiàn)越好。

所以，Radeon VII比較適合2K分辨率，對單機(jī)游戲需求較大的用戶。

由于顯存容量上的優(yōu)勢，后續(xù)新游戲進(jìn)一步提高紋理細(xì)節(jié)，Radeon VII的性能下降幅度必然會比RTX系列更少。

關(guān)于顯卡的功耗：

Radeon VII的功耗控制的還算比較好，大致相當(dāng)于1080 Ti的水平，還能低于上一代Vega 64。

關(guān)于顯卡的散熱：

由于采用了比較特殊的石墨導(dǎo)熱材料，Radeon VII的散熱處于一個相對較好的范圍，裸機(jī)下游戲滿載不會超過75度。結(jié)合功耗來看，Radeon VII的散熱器性能要明顯優(yōu)于RTX 2080 Ti。

總體來說，Radeon VII算是一次比較傳統(tǒng)的升級，對比上一代產(chǎn)品可以降低一點功耗的同時，提升20%左右的性能，對于2K或4K分辨率的單機(jī)游戲用戶來說會有一定的購買價值。

由于現(xiàn)在整張卡的調(diào)教還是有些問題，有些游戲甚至?xí)霈F(xiàn)負(fù)載不足的現(xiàn)象，隨著BIOS和驅(qū)動的更新Radeon VII的提升空間會相對N卡大一些。

但是還是希望AMD能夠盡快更換顯卡架構(gòu)，讓顯卡市場重新回到過去的升級節(jié)奏中來。