6月13日消息，據(jù)日經(jīng)新聞引述未具名消息人士稱，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。

該消息人士表示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還無(wú)法完全消除威脅，其生產(chǎn)中依然會(huì)使用到美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新設(shè)計(jì)能夠降低威脅，避免觸及美國(guó)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明去年10月曾前往歐洲，與歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML商談合作，并訪問(wèn)了比利時(shí)的IMEC，這是一家專注于納米電子和數(shù)字技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)性研究機(jī)構(gòu)。由此可見(jiàn)，長(zhǎng)鑫正在尋求美國(guó)以外的供應(yīng)商的支持。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是在合肥市政府和兆易創(chuàng)新共同推動(dòng)下成立的，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過(guò)72億美元。消息人士指出，長(zhǎng)鑫最初每月將生產(chǎn)約10,000片晶圓，雖然需要經(jīng)歷某種學(xué)習(xí)曲線，但是按照計(jì)劃，到2019年年底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片/月。

根據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)去年透露的DRAM項(xiàng)目5年規(guī)劃，將在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能達(dá)到2萬(wàn)片/月。從2020年開(kāi)始，開(kāi)始規(guī)劃二廠，2021年完成17nm研發(fā)。

CINNO分析師Sean Yang指出，與全球130萬(wàn)片DRAM 硅晶圓的月產(chǎn)量相比，長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能仍然較小，但對(duì)于目前完全無(wú)法自制DRAM的中國(guó)大陸來(lái)說(shuō)，卻是一大突破。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM技術(shù)來(lái)源于奇夢(mèng)達(dá)，之后通過(guò)與國(guó)際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過(guò)25億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有1萬(wàn)6千個(gè)專利申請(qǐng)。

奇夢(mèng)達(dá)是從英飛凌拆分出來(lái)的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢(mèng)達(dá)向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。奇夢(mèng)達(dá)慕尼黑研發(fā)中心和中國(guó)研發(fā)中心（位于西安高新區(qū)）是較大的兩大研發(fā)中心。