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存儲市場惡化 美光同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

hl5C_deeptechch ? 來源:YXQ ? 2019-06-27 10:22 ? 次閱讀
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受到美國商務(wù)部 5 月中祭出的華為禁令影響,第一時間宣布對華為停止供貨的美系存儲大廠美光( Micron )日前表示,經(jīng)過嚴(yán)格審查,部分產(chǎn)品可以繞過出口管制條例和實(shí)體清單的限制,在過去兩周已經(jīng)開始恢復(fù)對華為供貨,美光在投資人說明會中表示,如果沒有華為禁令的影響,美光財(cái)報(bào)表現(xiàn)可以更好。

不過,業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)階段的華為,以及整體產(chǎn)業(yè)局勢仍存在很大的不確定性,且美光只是小部分重啟對華為供貨,整個后續(xù)狀況仍需觀察,要保持審慎態(tài)度視之。

美國實(shí)體清單重挫美企,大家紛紛找對策應(yīng)對

美國的實(shí)體清單和禁售令一出,幾乎所有美商都開始禁售華為,后續(xù)引發(fā)相當(dāng)大的波瀾,多數(shù)外商都開始針對禁售一事與美國方面做溝通,希望對于商業(yè)影響降至最低。

外媒報(bào)道,近期微軟、英特爾等大廠都紛紛發(fā)聲,希望釋出誠意能和善解決此事件。其中,微軟做出的第一步,是表示將繼續(xù)對華為設(shè)備的客戶提供軟件更新,英特爾則表示持續(xù)對華為的終端用戶提供安全更新和驅(qū)動程序。

在 6 月 25 日的投資人說明會上,美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示,過去兩周已經(jīng)部分恢復(fù)對華為的芯片供貨,主要是這些芯片產(chǎn)品并不在出口管制條例的范圍之內(nèi),也不受實(shí)體清單限制的影響。

不過,美光也強(qiáng)調(diào),因?yàn)檎麄€華為的狀況不確定性仍相當(dāng)大,美光無法對供給華為的芯片數(shù)量作出保證,或是承諾能夠持續(xù)供貨多久。

日前日本軟銀集團(tuán)創(chuàng)始人孫正義也表示,Arm 沒有停止與華為的合作關(guān)系,關(guān)鍵是貿(mào)易法的改變,讓 Arm 要花點(diǎn)時間調(diào)查一些相關(guān)限制和細(xì)節(jié),如果符合低于 25% 技術(shù)含量的限制,仍是可以繼續(xù)供貨,不會受到影響。

從美光、 Arm 、微軟、英特爾等外企的態(tài)度可以看出,,以中國龐大的消費(fèi)市場來看,

以美光為例, 2019 年上半年,華為占其整體營收的份額高達(dá) 13% ,這只是單一中國公司對美光營收的占比,若以整個國內(nèi)市場的營收份額來看,對美光的占比將高達(dá)近 50% 。

存儲市場惡化,同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

在 25 日的投資人會議中,另一個更值得憂心的是存儲市場狀況,美光對存儲市場前景透露悲觀氣氛,同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash 兩大存儲芯片。

其中,美光對于 DRAM 投片量維持減少 5% 的幅度,而 NAND Flash 投片量的減少幅度進(jìn)一步擴(kuò)大,從減產(chǎn) 5% 擴(kuò)大至減產(chǎn) 10% ,更且計(jì)劃大砍 2020 年( 2019 年Q4~2020 年Q3 )的資本支出,極力將產(chǎn)業(yè)供需導(dǎo)向平衡。

美光旗下兩大業(yè)務(wù)為 DRAM 和 NAND Flash,在2019年第三季會計(jì)年度中, DRAM 營收份額約 64% ,環(huán)比下降 19% ,同比下降 45%,平均售價(ASP)環(huán)比減少高達(dá) 20% ,出貨環(huán)比持平。

在 NAND Flash 業(yè)務(wù)上,營收份額約 31% ,環(huán)比下降 18% ,同比下降 25% , ASP 環(huán)比下滑減少 15% ,出貨環(huán)比則是下降 5%。

根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) TrendForce 統(tǒng)計(jì),2019年智能手機(jī)和服務(wù)器的需求減緩,加上 CPU 缺貨仍對筆記本電腦的整體出貨略有影響, NAND Flash 應(yīng)用如 eMMC 、 UFS 、 SSD 等產(chǎn)品第三季旺季出貨量恐不如預(yù)期,預(yù)計(jì)第三季 NAND Flash 合約價雖然跌幅將縮小,但基于庫存調(diào)整時間拉長,仍視為持續(xù)下跌格局,合約價不易反彈。

目前 NAND Flash 市場仍處于高端工藝技術(shù)迭代期,以移動設(shè)備為主流的 eMMC 和 UFS 芯片仍將以既有的 64 層和 72 層的 3D NAND 技術(shù)為主力工藝,而在 Client SSD 端則開始導(dǎo)入 92 層和 96 層的 3D NAND 芯片,協(xié)助成本持續(xù)下降。

根據(jù)美光的財(cái)報(bào),公司認(rèn)為兩大存儲芯片 DRAM 和 NAND Flash 都處于庫存調(diào)整期。其中,DRAM 客戶的庫存調(diào)整符合預(yù)期,加上公司一直在執(zhí)行技術(shù)迭代前進(jìn),驅(qū)動成本降低,美光目前持續(xù)提升 1y nm 的技術(shù),預(yù)計(jì)在年底進(jìn)入 1z nm 工藝技術(shù)世代,讓 DRAM 成本持續(xù)下降。

再者,美光預(yù)期 2019 年的 DRAM 位元成長率會增加 15% 左右,整個產(chǎn)業(yè)的成長率會高于 15% ,美光將繼續(xù)執(zhí)行 5% 的 DRAM 減產(chǎn)計(jì)劃,希望產(chǎn)業(yè)盡速恢復(fù)供需平衡。

在 NAND Flash 產(chǎn)品方面,美光已經(jīng)進(jìn)入 96 層 3D NAND 技術(shù),有助于成本的下降,未來也將如期導(dǎo)入 128 層 3D NAND 技術(shù)。

NAND Flash 產(chǎn)業(yè)上一波高峰是由服務(wù)器的商機(jī)帶起,之前數(shù)據(jù)中心等云客戶一直處于庫存消化階段,美光也預(yù)期 2019 年 NAND Flash 需求將增長 35% ,而整個產(chǎn)業(yè)的位元成長率將超過 35% 。因此,未來追求更好的產(chǎn)業(yè)供需狀況,美光擴(kuò)大 NAND Flash 減產(chǎn)幅度,從減產(chǎn) 5% 擴(kuò)大減產(chǎn)至 10% 。

日前存儲產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)一個插曲,日系存儲大廠東芝與西部數(shù)據(jù)在日本四日市合資的 12 寸 NAND Flash 產(chǎn)線,發(fā)生停電導(dǎo)致生產(chǎn)線停擺,并且出現(xiàn)晶圓報(bào)廢事件,市場一度解讀是否會因會該意外事故讓 NAND Flash 市場供需由供過于求轉(zhuǎn)為供給緊張。

東芝的重要合作伙伴群聯(lián)在第一時間表示,雖然無法評論東芝的狀況,但以群聯(lián)本身來看,庫存十分充足,可以支應(yīng) 2 ~ 3 個月的接單需求,同時公司也與威騰、 SK 海力士、英特爾等存儲大廠有合作關(guān)系,不擔(dān)心后續(xù)供應(yīng)問題。業(yè)界則認(rèn)為,東芝該意外事件對于全球 NAND Flash 市場的供需影響不大。

根據(jù)過去經(jīng)驗(yàn),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每一個波段的景氣循環(huán),演變至產(chǎn)業(yè)谷底都會遇到砍支出、減產(chǎn)、清庫存等過程,以期待之后的供需回暖和價格回升。

這一波的景氣谷底起因是全球經(jīng)濟(jì)因素、美國對華為實(shí)施的禁令等,美光等國際大廠已經(jīng)在資本支出上做出保守動作,加上 DRAM 和 NAND Flash 同步減產(chǎn),都是下猛藥救市場的動作。

美光已經(jīng)表明,對華為實(shí)施禁售的政策,已經(jīng)對公司營收造成減少,目前已經(jīng)啟動恢復(fù)部分的出貨,但是之后的狀況仍不明朗,且變數(shù)很大??梢灶A(yù)見,這一波景氣的谷底狀況其實(shí)更為復(fù)雜,經(jīng)濟(jì)、政治等因素?fù)诫s,全球科技業(yè)都等待著中美僵局能順利解決,恢復(fù)正常商業(yè)運(yùn)作。

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原文標(biāo)題:美光重啟對華為供貨,擴(kuò)大3D NAND減產(chǎn)救存儲價格

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