動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:52

  E3M0075120K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：E3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：80A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:43

  C3M0075120K-A碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0075120K-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：4/+15V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:35

  C3M0075120D-A碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0075120D-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：4/+15V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:27

  C2M0040120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C2M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25V 柵極 - 源極電壓：-5/+20V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:19

  C3M0040120K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0040120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:09

  C3M0040120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:03

  C3M0040120J1碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 20:56

  C3M0032120K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 11:21

  CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:52

  CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓

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