動態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:13
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號:CGH21120F 頻率:1.8 – 2.3 GHz 操作 增益:15分貝增益 功率:-35 dBc ACLR,20 W PAVE233瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:00
CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號:CGH09120F 頻率:UHF – 2.5 GHz 操作 增益:21分貝增益 功率:-38 dBc ACLR,20 W PAVE557瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:47
CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號:CG2H80120D-GP4 PSAT功率:120 W 典型 PSAT 操作電壓:28 伏操作 電壓:高擊穿電壓260瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:33
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號:CG2H80060D-GP4 PSAT功率:60 W 典型 PSAT 操作電壓:28 伏操作 電壓:高擊穿電壓282瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:35
C3M0160120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:C3M0160120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15V404瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:27
C2M0080120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:C2M0080120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓:-10/+25V 脈沖漏極電流:80A1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:20
C3M0075120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:C3M0075120K 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+151.1k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:14
C3M0075120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:C3M0075120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15537瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:08
C3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:C3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15487瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:59
E3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號:E3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:80A525瀏覽量