動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-10 01:00

  英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列，適用于結構緊湊、經濟高效的柵極驅動器電源

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經濟高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅動器

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-12-07 01:05

  新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊

  

  新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術。DDB2

  變換器 電動汽車 直流

  729瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-12-06 01:02

  英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！

  

  作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業(yè)革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌

  1.5k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-12-04 01:04

  新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴展了Easy系列在1000VDC系統(tǒng)中產品組合，可以實現(xiàn)高開關頻率應用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片

  2.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-12-03 01:03

  功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的

  功率器件 熱設計 等效模型

  2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-11-29 01:03

  新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC

  947瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-11-28 01:00

  英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

  

  英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN晶體管可直接替代Co

  分立器件 晶體管 氮化鎵 英飛凌

  927瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-11-26 01:02

  功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

  

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——Rth/Zth基礎：IEC60747-9即GB/T29332半導體器件分立器件

  功率器件 測量 熱設計

  2.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-11-24 01:01

  第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽啟航

  

  電力電子技術，這一在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領域扮演著舉足輕重角色的科技力量，已悄然滲透至我們生活的各個層面。它憑借高效的功率變換技術，不僅推動了生產活動的綠色節(jié)能轉型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環(huán)保無憂。然而，這位在幕后默默奉獻的英雄——電力電子技術，卻往往不為廣大公眾所熟知。身為電力電子行業(yè)的耕耘者，你是否曾夢想過以通俗易懂的語言

  電力電子 電源 英飛凌

  874瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-11-23 01:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常

  MOSFET SiC 封裝

  1.4k瀏覽量