動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:14

  LED驅(qū)動電源設(shè)計四大問題匯總

  

  LED驅(qū)動電源的質(zhì)量好壞將會直接影響LED的壽命，因此如何做好一個LED驅(qū)動電源是LED電源設(shè)計者的重中之重。在現(xiàn)代生活中，節(jié)能和環(huán)保日益受到重視，LED照明因其高效節(jié)能的特性而廣泛被采用。LED燈具的使用壽命不僅取決于其自身的質(zhì)量，還與其電源驅(qū)動的性能密切相關(guān)。一個穩(wěn)定可靠的LED驅(qū)動電源對于延長LED的使用壽命至關(guān)重要。LED驅(qū)動電源直接影響壽命LED驅(qū)

  led 電源設(shè)計 驅(qū)動電源

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:13

  EBSD技術(shù)在樣品制備中的應(yīng)用：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具

  

  EBSD技術(shù)概述電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一種高精度的材料表征手段，常作為掃描電子顯微鏡（SEM）的補充設(shè)備使用。它能夠詳細分析材料的晶體取向、晶界特性、再結(jié)晶行為、微觀結(jié)構(gòu)、相態(tài)識別以及晶粒尺寸等關(guān)鍵信息。金鑒織構(gòu)取向分析示意圖設(shè)備與服務(wù)高性能的TF20場發(fā)射透射電鏡，這些電鏡配備了能譜儀

  顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:12

  解析電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗

  

  電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗電壓暫降和短時中斷抗擾度試驗（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于評估電子設(shè)備或系統(tǒng)對電力系統(tǒng)中電壓暫降和短時中斷的抗擾度的測試方法。該測試方法旨在模擬電力系統(tǒng)中可能發(fā)生的電源故障，以驗證設(shè)備在這些故障下的正常運行和穩(wěn)定性。電壓暫降是指電力系統(tǒng)中電源電壓短時間內(nèi)降低到較低水

  抗擾度試驗 電壓暫降 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:11

  FIB技術(shù)：芯片失效分析的關(guān)鍵工具

  

  芯片失效分析的關(guān)鍵工具在半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關(guān)鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術(shù)，作為一種先進的微納加工技術(shù)，對于芯片失效分析至關(guān)重要。在芯片失效分析中的核心作用FIB技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)納米級別的精確加工和分析，這對于解析高度集成和結(jié)構(gòu)復(fù)雜的現(xiàn)代芯片至關(guān)重要。通過FIB技術(shù)，工程師們可以對芯片進行細致的切割和剖面制作，清晰地揭示芯

  fib 半導(dǎo)體 芯片失效分析

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:11

  半導(dǎo)體快速溫變測試的溫度循環(huán)控制標準

  

  半導(dǎo)體材料簡介半導(dǎo)體材料是一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力（電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間）的材料，廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路。根據(jù)化學組成，半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體、無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體，以及特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。這些材料以結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、電學特性優(yōu)異和成本低廉著稱，是制造現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的場效應(yīng)晶體管的理想材料

  IPC 半導(dǎo)體 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:09

  FIB技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域及工作原理解析

  

  集成化微納加工平臺雙束聚焦離子束-掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）系統(tǒng)代表了微納加工技術(shù)的前沿，它巧妙地融合了單束FIB和SEM的優(yōu)勢，為用戶提供了一個多功能的集成化平臺。這個平臺不僅能夠進行高分辨率的成像，還能執(zhí)行精準的材料加工操作。系統(tǒng)架構(gòu)1.離子發(fā)射器：生成正電荷離子流。2.離子光學系統(tǒng)：利用靜電透鏡和偏轉(zhuǎn)元件對離子流進行精確聚焦和導(dǎo)向。3.掃描控制系

  fib SEM 顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:07

  氬離子拋光技術(shù)解析：原理、功能及應(yīng)用

  

  原理、功能及在材料科學中的應(yīng)用氬離子拋光儀是一種高精度的表面處理設(shè)備，它通過氬離子束對樣品進行精密拋光，以揭示樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)在材料科學、半導(dǎo)體分析、生物醫(yī)學研究等領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在需要使用高分辨率顯微鏡進行觀察的場合。運作機制氬離子拋光技術(shù)基于離子束物理蝕刻原理，對樣品表面進行細致的拋光處理。這一技術(shù)能夠有效地消除樣品制備過程

  拋光機 表面處理

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:52

  什么是AEC-Q200認證？

  

  AEC-Q200認證是由汽車電子協(xié)會（AutomotiveElectronicsCouncil，簡稱AEC）制定的一套標準，其目的在于確保汽車電子部件的可靠性和質(zhì)量。AEC是由克萊斯勒、福特和通用汽車等主要汽車制造商與美國主要部件制造商共同成立的組織，旨在為車載電子部件的可靠性和認定標準的規(guī)格化提供統(tǒng)一的標準。在2023年3月20日，AEC發(fā)布了最新的無源元

  AEC 汽車電子 認證

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:51

  利用EBSD技術(shù)精確分析晶粒尺寸與晶界特征

  

  晶粒尺寸與晶界特征晶粒作為材料中的基本結(jié)構(gòu)單元，其尺寸和取向?qū)Σ牧系男阅苡兄钸h的影響。晶粒內(nèi)部的取向相對一致，而相鄰晶粒之間則存在明顯的取向差異。晶粒尺寸的測量對于材料的開發(fā)和應(yīng)用至關(guān)重要，因為它直接關(guān)系到材料的強度和韌性。EBSD技術(shù)以其高分辨率的晶界成像能力，成為研究晶粒尺寸和晶界特征的首選方法。隨機顏色顯示晶粒分布圖晶粒尺寸的精確測量為了獲得晶粒尺寸

  顯微鏡 晶粒 測量

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:49

  TEM透射電子顯微鏡下的兩種照射模式解析

  

  成像原理與應(yīng)用透射電子顯微鏡（TransmissionElectronMicroscope,TEM）是一種利用高能電子束穿透樣品，通過電子與樣品相互作用產(chǎn)生的信號來獲取樣品的微觀結(jié)構(gòu)信息的儀器。TEM的成像方式主要依賴于電子光源的模式，包括平行光照射模式和匯聚光照射模式。(a)高能電子束與樣品相互作用產(chǎn)生信號(b)TEM近似平行光路示意圖(c)TEM匯聚束聚

  TEM 顯微鏡 電子束

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