動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-13 00:17

  EBSD與TEM在再結晶研究中的應用

  

  什么是再結晶過程再結晶是一種重要的材料科學現(xiàn)象，它涉及到材料在經歷塑性變形后的微觀結構恢復過程。這一過程對于理解材料的性能和優(yōu)化加工工藝至關重要。再結晶的機制與分類再結晶過程通常由熱處理或熱變形觸發(fā)，是材料在變形過程中產生缺陷后的自然恢復過程。這些缺陷，如位錯和晶界，會促使材料在高溫下通過位錯重排和湮沒來降低系統(tǒng)的自由能，從而形成新的晶粒結構。鍛造TNM合金

  TEM 材料 結晶

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• 發(fā)布了文章 2024-12-13 00:15

  PCB離子污染度測試的重要性

  

  PCB離子污染度的重要性在電子制造業(yè)中，PCB（印刷電路板）的離子污染度測試是保障產品質量的關鍵環(huán)節(jié)。離子污染度指的是PCB表面殘留的帶電離子污染物，這些污染物主要來源于焊接助劑、化學清洗劑、濕度控制、電鍍、波峰焊和回流焊等制造工藝。這些殘留物可能引起電氣化學效應，對PCB的性能和可靠性構成潛在威脅。離子污染度的控制與測試為了確保PCB的質量和可靠性，必須嚴

  pcb PCB 測試 離子

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:43

  什么是半導體芯片的失效切片分析？

  

  芯片切片分析技術芯片切片分析是一種在半導體、電子顯微學和材料科學等領域廣泛應用的技術。通過將芯片切成薄片，研究人員可以直接觀察芯片內部的微觀結構，如晶體管、電路布線等，從而深入研究芯片的內部結構和性能。這項技術不僅有助于優(yōu)化芯片設計，提升性能和可靠度，還可以用于故障檢測和質量控制。切片方式的介紹1.機械研磨機械研磨是一種低成本的切片技術，適用于各種材質的樣品

  led 半導體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:40

  電子元件測試中恒溫恒濕試驗箱的關鍵作用

  

  電子元件測試中的多種檢測項目高溫儲存測試是篩選電子元器件的一種有效方法。通過在最高結溫下儲存電子元器件24至168小時，加速化學反應，使有缺陷的元件及時暴露出來，加以淘汰。這種方法簡單易行，能夠有效地穩(wěn)定元器件的參數(shù)性能，減少使用中的參數(shù)漂移。電力測試電力測試是評估電子元器件可靠性的重要項目。在熱電應力的綜合作用下，可以暴露出元器件本體和表面的潛在缺陷。電子

  恒溫恒濕機 電子元器件 試驗箱

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 10:39

  AEC-Q102標準下的混合氣體測試

  

  在汽車電子領域，電子組件必須能夠在各種惡劣環(huán)境下保持性能穩(wěn)定，以確保車輛系統(tǒng)的安全和可靠運行。為此，混合氣體試驗成為了一種關鍵的測試方法，用以評估這些組件在特定化學腐蝕環(huán)境下的耐久性。AEC-Q102標準規(guī)定了混合氣體試驗的具體要求，以模擬汽車電子組件在實際應用中可能遇到的化學腐蝕條件，驗證其在這些條件下的穩(wěn)定性和安全性?；旌蠚怏w試驗的核心理念混合氣體試驗是

  氣體檢測 汽車電子 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:25

  碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

  

  碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿電壓以及高功率密度特性。這些特性使得SiC器件在高效電能轉換應用領域具有不可替代的優(yōu)勢，正逐漸成為功率半導體領域的主流選擇。碳化硅器件的技術挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越，但其單晶和外延材料價格較高，工藝不成熟，

  MOSFET 檢測 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:24

  功率半導體模塊的可靠性評估：功率循環(huán)測試研究

  

  功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉換。這種能力使得功率半導體在各種電力應用中不可或缺，例如電力變換器、電機驅動器和電力調節(jié)器等。功率半導體的應用領域功率半導體器件在多個領域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源

  功率半導體 功率循環(huán)測試 半導體器件 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:22

  AEC-Q102標準：汽車電子散熱性能的熱阻測試指南

  

  汽車電子領域的散熱挑戰(zhàn)在汽車電子領域，隨著電子設備在車輛中的廣泛應用，對電子器件的性能和可靠性要求也日益嚴格。AEC-Q102標準作為汽車電子委員會（AutomotiveElectronicsCouncil）制定的一項重要測試標準，專注于評估汽車電子中使用的分立光電半導體元器件的可靠性和質量。這些元器件，包括LED、激光器件、光電二極管和光電晶體管等，在汽車

  AEC 汽車電子 熱阻測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 17:21

  如何有效避免EBSD數(shù)據(jù)采集中的荷電效應并應用導電鍍膜技術？

  

  電子背散射衍射（EBSD）技術電子背散射衍射（EBSD）技術是一種強大的材料表征工具，它能夠提供關于材料微觀結構的詳細信息。然而，在分析絕緣體樣品時，荷電效應是一個常見的問題，它會影響EBSD數(shù)據(jù)的質量。本文將探討多種方法，以減少甚至消除絕緣體樣品在EBSD分析中的荷電效應。樣品制備的關鍵步驟金鑒實驗室在樣品制備的各個環(huán)節(jié)都具備專業(yè)的技術能力，能夠為客戶提供

  導電 數(shù)據(jù)采集

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 15:32

  聚焦離子束技術的歷史發(fā)展

  

  聚焦離子束（FIB）技術的演變與應用聚焦離子束（FIB）技術已經成為現(xiàn)代科技領域中不可或缺的一部分，尤其是在半導體制造和微納加工領域。盡管FIB技術已經廣為人知，但其背后的歷史和發(fā)展歷程卻鮮為人知。FIB技術的起源FIB技術的歷史可以追溯到20世紀60年代，當時科學家們開始探索使用離子束對樣品進行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項技術經歷了從實驗室原

  fib 離子束

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