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PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC™ MOSFET G2分立器件的開關(guān)行為調(diào)查2025-08-20 17:04
完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過單元間距縮小和結(jié)構(gòu)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了更高的性能。本研究通過在不同負(fù)載電流和柵極電阻條件下進(jìn)行雙脈沖測試,對其動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,在保持低導(dǎo)通損耗的同時(shí),開關(guān)損耗比G1降低了40%。本文針對高頻應(yīng)用提出了柵極電阻和負(fù)電 -
淺談制氫電源及英飛凌解決方案2025-08-18 17:05
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釋放電力的自由:無線電能傳輸大揭秘2025-08-16 08:33
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PCIM2025論文摘要 | 針對儲能系統(tǒng)應(yīng)用(ESS)的優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)策略2025-08-15 17:34
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布1簡介本文介紹了一種用于儲能系統(tǒng)(ESS)的自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化策略,以應(yīng)對過載可靠性和運(yùn)行效率方面的挑戰(zhàn)。通過根據(jù)實(shí)時(shí)負(fù)載條件動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極電阻(Rgon/Rgoff),該策略在正常運(yùn)行期間實(shí)現(xiàn)了開關(guān)損耗最小化,同時(shí)在過載條件下(額定電流的1.5至3倍)抑制了電壓應(yīng)力并提高了可靠性。所提出的方法已在215 -
數(shù)據(jù)為王,硬核開講丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)倒計(jì)時(shí)4天!2025-08-14 17:03
一年一度的英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)(IPAC)下周二震撼啟幕!用數(shù)據(jù)說話,以硬核案例破解行業(yè)難題!核心亮點(diǎn)搶先劇透CoolSiCMOSFETG2設(shè)計(jì)全攻略光儲應(yīng)用:選型黃金標(biāo)準(zhǔn)+結(jié)溫&EMI關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)充電模塊:功率段精準(zhǔn)匹配+效率提升技巧:實(shí)戰(zhàn)技巧:死區(qū)時(shí)間與驅(qū)動(dòng)電阻如何優(yōu)化最新產(chǎn)品解決方案首發(fā)最新EasyHD封裝方案優(yōu)勢對比開關(guān)損耗銳減秘籍逆變工況下仿 -
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展2025-08-11 17:04
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手機(jī)的200W快充是如何實(shí)現(xiàn)的?2025-08-09 08:33
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新品 | 英飛凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管2025-08-07 17:06
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LLC輕載下輸出特性分析及保持輸出電壓可控的解決方案2025-08-05 17:04
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新品 | EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半橋模塊帶EC8二極管2025-08-04 18:10