英飛凌工業(yè)半導體文章

• 新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN™ 650V G5雙通道晶體管2026-01-15 17:09

  

  新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級集成于小型6×8mmQFN-32封裝中，該功率級由兩個導通電阻典型值140mΩ、耐壓650V的增強型CoolGaN晶體管組成。該產品憑借CoolGaN晶體管卓越的開關特性，非常適合用于實現AC-DC充電器與適配器的高功率密度設計，以及低功率電機

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代產品，新增75m?型號2026-01-12 17:03

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代產品，新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術打造，通過提升性能、增強設計靈活性及魯棒性，實現系統性價比的飛躍。該系列在硬開關與軟開關拓撲中均能實現頂級的效率、高頻開關特性及可靠性。產品型號：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

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• 新品 | 采用半橋架構的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅動的評估板設計2026-01-07 17:06

  

  新品采用半橋架構的1ED3330MC12M隔離式柵極驅動的評估板設計該評估板用于在半橋配置下評估1ED3330MC12M隔離柵極驅動芯片與分立功率開關。該評估板搭載兩枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R變壓器驅動芯片構建隔離式板載電源。板上預留兩個TO247-4封裝的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  變壓器 評估板 驅動芯片 939瀏覽量

• 重磅干貨 | 英飛凌工業(yè)半導體年度十大熱門技術文章2026-01-05 17:14

  

  1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號上

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• 新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC™ 1400V MOSFET G22026-01-04 17:06

  

  新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術與高爬電距離的堅固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統設計，既為現有應用提供額外的電壓裕量與增強的可靠性，又能實現更高的開關速度，從而提升系統效率。其引腳與現有封裝完

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V與440V第二代器件2025-12-31 09:05

  

  新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關與軟開關拓撲中，提供卓越的功率密度和系統效率，主要面向人工智能服務器電源、開關電源、電機控制、可再生能源與儲能

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• 年終盤點：2025載譽而歸，2026蓄力向新2025-12-30 09:04

  

  在2025年行業(yè)和科技浪潮中，英飛凌再次憑借卓越技術、創(chuàng)新產品與優(yōu)質服務，于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽而歸。英飛凌始終堅持以客戶為中心，將客戶的需求作為業(yè)務發(fā)展的核心驅動力。這一年的客戶信賴與行業(yè)認可。不僅是對過往努力的高度肯定，更激勵著全體英飛凌人在2026年新征程蓄力向新，砥礪前行。*以下獎項排名不分先后大洋電機：30周年特別貢獻獎德業(yè)科技：2025年

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• 年終盤點：英飛凌2025年碳化硅領域重磅產品與技術驚艷亮相2025-12-23 18:04

  

  歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產品與前沿技術，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點。小編貼心地按照產品發(fā)布和技術發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發(fā)布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管：多種封

  SiC 碳化硅 英飛凌 625瀏覽量

• 頂部散熱封裝QDPAK安裝指南2025-12-22 18:26

  

  由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產品的表貼頂部散熱產品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下圖列出了該系列已發(fā)布的封裝型號及其關鍵參數信息。所有封裝均具有統一的2.3mm標準本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅

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• QDPAK頂部散熱封裝簡介2025-12-18 17:08

  

  QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產品。相對于傳統表貼產品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產的封裝中最大尺寸的頂部散熱產品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE

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