文章
-
浮思特 | 新興傳感器技術(shù):TMR與分流解決方案的對比分析2025-04-11 13:53
-
東芝推出雙倍散熱能力SCiB™電池模塊,助力電動巴士與船舶應(yīng)用2025-04-10 11:57
-
NMB美蓓亞06025UA風(fēng)扇的奧秘!6cm小身材顛覆PC散熱!2025-04-10 11:50
-
氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破2025-04-09 10:57
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?;跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場景,并重點介紹即將實現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關(guān)應(yīng)用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關(guān)通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二 -
LEM電流傳感器手冊閱讀指南:如何快速抓取關(guān)鍵信息2025-04-09 10:55
-
電阻率在電子電力學(xué)中為何如此重要?2025-04-01 10:39
-
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET2025-03-27 11:49
-
創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應(yīng)用2025-03-27 11:48
-
探討RC電路在逆變器設(shè)計中的應(yīng)用與限制2025-03-26 12:00
-
全球芯片產(chǎn)業(yè)進入2納米競爭階段:臺積電率先實現(xiàn)量產(chǎn)!2025-03-25 11:25