深圳市浮思特科技有限公司文章

• 浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn)：實現性能突破的關鍵2025-05-27 11:15

  

  GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業(yè)控制等領域對高效高密度電源系統的需求。但對于試圖將氮化鎵投入量產的工程師而言，這些性能提升并非唾手可得——它們植根于材料層面而非器件層面，這意味著我們必須直面一系列持續(xù)存在的材料挑戰(zhàn)。晶體生長的奧秘首要認知是：氮化

  GaN 材料 氮化鎵 886瀏覽量

• Wolfspeed破產重組 SiC行業(yè)格局生變2025-05-26 11:36

  

  近日，行業(yè)先驅Wolfspeed被曝擬通過破產保護程序實施業(yè)務重組。這一動向折射出SiC產業(yè)激烈競爭下的洗牌趨勢，也凸顯中國供應鏈的快速崛起對傳統巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領域的龍頭企業(yè)，Wolfspeed曾憑借技術先發(fā)優(yōu)勢長期主導市場。近年來，該公司為鞏固地位啟動激進的產能擴張計劃：投資20億美元的紐約8英寸晶圓廠于2022年投產，并計劃在北卡羅來納州

  SiC 碳化硅 1054瀏覽量

• 浮思特 | 實現電動汽車牽引逆變器更智能的直流母線放電技術2025-05-26 11:32

  

  在汽車逆變器中，高壓直流母線電容的放電通常需要龐大昂貴的外部元件，這不僅顯著推高了物料清單(BOM)成本(每個逆變器約4-6美元)，占用寶貴的PCB空間，更增加了設計復雜度——對于空間緊湊且成本敏感的電動汽車動力系統應用尤為突出。恩智浦GD3162柵極驅動器帶來了一項高度集成的解決方案，通過將放電功能直接嵌入驅動IC，重新定義了系統設計者的放電策略實施方式。

  電動汽車 直流母線 逆變器 1286瀏覽量

• 浮思特 | 超導與半導體單光子探測器：量子通信中的技術博弈2025-05-22 13:42

  

  近日，英國創(chuàng)新署宣布啟動MARCONI項目，旨在研發(fā)量子密鑰分發(fā)(QKD)接收器。面對當前網絡安全威脅，該機構正通過兩項技術推動QKD網絡建設，以期構建覆蓋英國的全域安全量子通信網絡。作為終端設備，這些接收器通過單光子探測器(圖1)實現量子密鑰的解碼與處理——該裝置能精確測量攜帶加密量子密鑰的單個光子量子態(tài)。圖1SPAD與SNSPD系統對比在QKD網絡的小型

  半導體 探測器 量子通信 1047瀏覽量

• 浮思特 | 霍爾效應傳感器：非接觸式電流測量的關鍵技術2025-05-21 11:58

  

  霍爾效應由埃德溫·霍爾于1879年發(fā)現，但直到數十年后技術發(fā)展才使得集成電路能夠充分利用這一現象。如今，霍爾效應傳感器集成電路為實現精確電流測量提供了便捷方案，同時保持被測電流路徑與測量電路之間的電氣隔離。從洛倫茲力到霍爾效應霍爾效應是洛倫茲力的延伸，后者描述了運動電荷(如電子)在磁場中受到的力。當磁場方向與電子運動方向垂直時，電子將受到一個既垂直于運動方向

  測量電路 電流測量 霍爾效應傳感器 1204瀏覽量

• 霍爾效應電流傳感器技術解析：開環(huán)與閉環(huán)架構的設計2025-05-20 11:59

  

  電流傳感器在各類應用場景中廣泛使用。傳統電阻式電流檢測技術通過測量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實現電氣隔離，且在測量大電流時能效較低。另一種主流技術基于霍爾效應原理。霍爾電流傳感器通過感應被測電流產生的磁場進行非接觸測量，其電氣隔離特性可提供更高的安全性，同時避免了分流電阻方案中的功率損耗問題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。開環(huán)電

  測量 電流傳感器 霍爾效應 1984瀏覽量

• 歐洲投資銀行計劃籌集700億歐元：致力于AI和半導體發(fā)展2025-05-19 11:30

  

  當地時間5月17日，歐洲投資銀行(EIB)行長納迪婭·卡爾維尼奧在一次會議上透露，該行正在推進一項雄心勃勃的新計劃，旨在到2027年籌集700億歐元，以提升歐洲在人工智能和半導體等關鍵技術領域的能力。此項計劃被視為“科技歐盟”項目的一部分，標志著歐盟在全球高科技競爭中的進一步發(fā)展和戰(zhàn)略布局?？柧S尼奧在會議上強調，面對全球科技競爭的加劇，尤其是在人工智能和半

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• 浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解：原理、計算與應用指南2025-05-19 11:29

  

  下拉電阻是電子電路設計中的重要組成部分，尤其在處理數字邏輯、晶體管和通信接口時。本教程將系統講解其基本原理、計算方式、應用場景、選型要點、功耗考量，以及在晶體管和串行通信線路中的實際應用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當信號線無主動驅動時，能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通

  下拉電阻 電子電路 電路設計 1319瀏覽量

• AI驅動半導體產業(yè)爆發(fā)式增長 2030年全球產值或突破萬億美元大關2025-05-16 11:09

  

  全球半導體產業(yè)正迎來新一輪增長周期。臺積電全球業(yè)務資深副總經理張曉強近日透露，在人工智能(AI)技術的強勁推動下，2025年全球半導體產業(yè)同比增長率預計將超過10%。更值得關注的是，到2030年，全球半導體行業(yè)總產值有望達到1萬億美元規(guī)模，其中AI相關應用將貢獻近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年"，生成式AI技術的爆發(fā)性發(fā)展對半導體產業(yè)產生了深遠

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• 浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET：超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵2025-05-16 11:08

  

  目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜，2024年市場規(guī)模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續(xù)增長，到2032年將達到約1200億美元。當前冰箱壓縮機驅動主要采用兩種硅基技術：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機系統的變頻化，通過

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