云鎵半導(dǎo)體文章

• 云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無(wú)橋圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估板2025-11-11 13:43

  

  云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體650VGaN器件的3kW無(wú)橋圖騰柱PFC(BTP-PFC)評(píng)估板。對(duì)于服務(wù)器電源/通信電源/移動(dòng)儲(chǔ)能等產(chǎn)品設(shè)計(jì)有借鑒意義。2.云鎵GaN參數(shù)優(yōu)勢(shì)傳統(tǒng)PFC電路基于整流橋和boost拓?fù)錁?gòu)成

  GaN PFC 評(píng)估板 1191瀏覽量

• 樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試 | 云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)2025-11-11 11:47

  

  云鎵半導(dǎo)體樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開(kāi)關(guān)器件，GaN功率器件擁有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝平臺(tái)下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性存在較大不同，傳統(tǒng)的靜態(tài)測(cè)試表征不足以反映器件在實(shí)際工作中的動(dòng)態(tài)行為，如何全面評(píng)估GaN器件的動(dòng)態(tài)表現(xiàn)對(duì)于系統(tǒng)應(yīng)用意義重大。云鎵半導(dǎo)體具有多年的Ga

  GaN 功率器件 自動(dòng)化 811瀏覽量

• 喜報(bào) | 第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！2025-11-11 11:47

  

  云鎵半導(dǎo)體喜報(bào)|第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)，創(chuàng)業(yè)鑄就輝煌3月21日下午第十四屆中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽啟動(dòng)儀式暨首場(chǎng)行業(yè)賽在蘇州納米城順利舉行園區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任倪乾，園區(qū)科技創(chuàng)新委員會(huì)黨組書(shū)記、主任潘瑜，蘇州納米科技發(fā)展有限公司董事長(zhǎng)張淑梅、副總裁李壽祥等領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。來(lái)自廣發(fā)證

  功率器件 半導(dǎo)體 595瀏覽量

• 世界第一！云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片，向汽車電子進(jìn)發(fā)2025-11-11 11:46

  

  云鎵半導(dǎo)體世界第一！云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片，向汽車電子進(jìn)發(fā)1.GaN—引領(lǐng)新能源汽車領(lǐng)域的未來(lái)隨著GaN器件在數(shù)據(jù)中心及光伏逆變等領(lǐng)域的滲透，其在工業(yè)級(jí)的應(yīng)用已日趨成熟。而在全球能源變革的浪潮中，新能源汽車作為一種環(huán)保高效的出行方式，逐漸成為市場(chǎng)主流，其核心技術(shù)的提升也成為關(guān)鍵課題。在這一背景下，高可靠性的GaN大電流芯片的應(yīng)用逐漸受到矚

  GaN 汽車電子 芯片 793瀏覽量

• 應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN002: How to read GaN datasheet2025-11-11 11:46

  

  云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例，"C"為公司名CloudSemi,"G"代表GaN產(chǎn)品，"65"代表產(chǎn)品建議的最大耐壓為650V，"030"代表器件的最大導(dǎo)通電阻為30mΩ，"TA"代表使用TOLL封裝，除此以外云鎵還有DFN、TOLT、TO220F和TO252等多種封裝

  GaN MOS 寄生電感 615瀏覽量

• “芯”品發(fā)布 | 高可靠GaN專用驅(qū)動(dòng)器，便捷GaN電源設(shè)計(jì)2025-11-11 11:46

  

  芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動(dòng)器，便捷GaN電源設(shè)計(jì)GaN功率器件因?yàn)槠涓吖ぷ黝l率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢(shì)，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強(qiáng)型GaN功率器件的驅(qū)動(dòng)電壓一般在5~7V，驅(qū)動(dòng)窗口相較于傳統(tǒng)SiMOSFET較小。若采用傳統(tǒng)MOSFET驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)GaN器件，需要增加額外的外圍R/C元件（如下圖所示），造成一定的驅(qū)動(dòng)復(fù)雜度以及可靠度問(wèn)題。另一種解決方案——

  GaN 電源設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)器 994瀏覽量