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      旺材芯片

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      全液冷服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)案例分享

      服務(wù)器的全液冷，一般都需要液冷板覆蓋CPU、內(nèi)存(DIMM)、硬盤(pán)(SSD)、電源、IO以及其他SO....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-27 15:33 ?498次閱讀
      全液冷服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)案例分享

      芯片晶圓堆疊過(guò)程中的邊緣缺陷修整

      使用直接晶圓到晶圓鍵合來(lái)垂直堆疊芯片，可以將信號(hào)延遲降到可忽略的水平，從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時(shí)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 05-22 11:24 ?1612次閱讀
      芯片晶圓堆疊過(guò)程中的邊緣缺陷修整

      電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究

      隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展，這對(duì)于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 05-03 12:44 ?3459次閱讀
      電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究

      半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝解析

      半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 02-20 10:13 ?4687次閱讀
      半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝解析

      先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

      今天我們?cè)僭敿?xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠：CUF，NUF，WLUF和MUF。 倒....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-28 15:41 ?4735次閱讀
      先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

      集成電路封裝的發(fā)展歷程

      (1)集成電路封裝 集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-03 13:53 ?1806次閱讀
      集成電路封裝的發(fā)展歷程

      光刻掩膜技術(shù)介紹

      ?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱(chēng)光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱(chēng)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-02 13:46 ?5891次閱讀
      光刻掩膜技術(shù)介紹

      國(guó)內(nèi)汽車(chē)芯片面臨的挑戰(zhàn)及發(fā)展建議

      摘 要 隨著汽車(chē)向電動(dòng)化、智能化加速發(fā)展，汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈、價(jià)值鏈重塑，以芯片為主的零部件重要性日....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 01-02 10:50 ?6735次閱讀
      國(guó)內(nèi)汽車(chē)芯片面臨的挑戰(zhàn)及發(fā)展建議

      晶圓為什么要減薄

      300mm晶圓的厚度為775um，200mm晶圓的度為725um，這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-24 17:58 ?2033次閱讀

      半導(dǎo)體芯片的制造工藝流程

      CMOS可用于邏輯和存儲(chǔ)芯片上，它們已成為IC市場(chǎng)的主流。 CMSO電路： 下圖顯示了一個(gè)CMOS反....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-20 10:58 ?2554次閱讀
      半導(dǎo)體芯片的制造工藝流程

      探秘合成大尺寸單晶金剛石的路線(xiàn)與難題

      金剛石因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景。然而，目前工業(yè)上通過(guò)高溫高壓法批量....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-18 10:38 ?2438次閱讀
      探秘合成大尺寸單晶金剛石的路線(xiàn)與難題

      CMP技術(shù)原理,面臨的挑戰(zhàn)及前景分析

      在半導(dǎo)體制造這個(gè)高度精密且復(fù)雜的領(lǐng)域中，CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)宛如一顆隱匿于幕后的璀璨明珠，雖不....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-17 11:26 ?5241次閱讀

      干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

      離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過(guò)程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-17 11:13 ?1638次閱讀
      干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

      晶圓劃片為什么用UV膠帶

      晶圓經(jīng)過(guò)前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-10 11:36 ?1842次閱讀
      晶圓劃片為什么用UV膠帶

      β相氧化鎵p型導(dǎo)電的研究進(jìn)展

      β 相氧化鎵（β-Ga2O3）具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場(chǎng)和容易制備等優(yōu)勢(shì)，是功率器件的理想半導(dǎo)體....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-10 10:02 ?5221次閱讀
      β相氧化鎵p型導(dǎo)電的研究進(jìn)展

      市場(chǎng)上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

      隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型，光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車(chē)充電站的....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-09 09:20 ?1910次閱讀

      天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一，近20年來(lái)隨著SiC材料加工技術(shù)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-07 10:39 ?2909次閱讀
      天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

      大馬士革銅互連工藝詳解

      芯片制造可分為前段(FEOL)晶體管制造和后段(BEOL)金屬互連制造。后段工藝是制備導(dǎo)線(xiàn)將前段制造....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-04 14:10 ?9928次閱讀
      大馬士革銅互連工藝詳解

      中欣晶圓12英寸BCD硅片技術(shù)突破

      在本文中，我們重點(diǎn)討論高密度共封裝光學(xué)器件 （CPO） 應(yīng)用中的光學(xué)接口挑戰(zhàn)，在這些應(yīng)用中，除了眾所....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 12-03 09:38 ?2235次閱讀
      中欣晶圓12英寸BCD硅片技術(shù)突破

      一文讀懂芯片半導(dǎo)體梳理解析

      當(dāng)下一切都在圍繞國(guó)產(chǎn)替代展開(kāi)，加上高層發(fā)話(huà)：推進(jìn)中國(guó)式現(xiàn)代化，科技要打頭陣?？萍紕?chuàng)新是必由之路。那么....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-27 11:50 ?2350次閱讀

      從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)混合鍵合(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

      摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿(mǎn)足高密度、高可靠性的三維( 3D) ....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-22 11:14 ?4861次閱讀
      從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)混合鍵合(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

      掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

      顯示行業(yè)背景 傳統(tǒng)LED的封裝環(huán)節(jié)，一般通過(guò)吸盤(pán)采用真空吸取，通過(guò)機(jī)械臂轉(zhuǎn)移到指定位置后再進(jìn)行放置的....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-22 09:57 ?1851次閱讀
      掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

      晶圓表面污染及其檢測(cè)方法

      晶圓表面潔凈度會(huì)極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中，高達(dá)50%是源自于晶圓表面....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-21 16:33 ?3375次閱讀
      晶圓表面污染及其檢測(cè)方法

      全球芯片設(shè)備供應(yīng)商或?qū)⒉饺牒?/a>

      11月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料?，因在中國(guó)大陸市場(chǎng)的營(yíng)收大幅下滑，日前....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-21 09:32 ?967次閱讀

      自旋極化:開(kāi)創(chuàng)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的新路徑

      ? ? 【研究背景】 自旋電子學(xué)是一門(mén)探索電子自旋特性的新興領(lǐng)域，其潛在應(yīng)用包括信息存儲(chǔ)和處理。磁近....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-18 11:16 ?1759次閱讀
      自旋極化:開(kāi)創(chuàng)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的新路徑

      存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)演進(jìn)：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

      眾所周知，NVMe 是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范，NVM代表非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Me....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-16 10:44 ?2771次閱讀
      存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)演進(jìn)：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

      芯片或?qū)l(fā)生巨變

      ? 芯片行業(yè)正在朝著特定領(lǐng)域的計(jì)算發(fā)展，而人工智能（AI）則朝著相反的方向發(fā)展，這種差距可能會(huì)迫使未....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-09 10:54 ?1244次閱讀

      集成電路微組裝用環(huán)氧粘接膠樹(shù)脂析出及控制研究

      環(huán)氧粘接膠常用作集成電路粘接材料。在其固化過(guò)程中,經(jīng)常觀察到樹(shù)脂析出現(xiàn)象。樹(shù)脂析出物會(huì)沾污鍵合區(qū),帶....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 11-05 10:16 ?1709次閱讀

      瑞莎科技近日推出Radxa Rock 5C/Rock 5C Lite開(kāi)發(fā)板

      4 月 7 日消息，瑞莎科技近日推出 Radxa Rock 5C / Rock 5C Lite 開(kāi)發(fā)....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-09 14:05 ?2991次閱讀
      瑞莎科技近日推出Radxa Rock 5C/Rock 5C Lite開(kāi)發(fā)板

      三菱電機(jī)斥資9000億加速研發(fā)氧化鎵

      三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開(kāi)發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，....
      的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-07 12:46 ?1435次閱讀