關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)和性能分析
為了獲得所需的耐壓，我們采用了串聯(lián)連接電容的手法，但在這種情況下，需要保持施加到所有電容的電壓均衡，....
關(guān)于新型光響應(yīng)LED的性能分析介紹和應(yīng)用領(lǐng)域分析
LED的雙運(yùn)行模式開啟了更多的可能性。憑借獨(dú)立的像素感測(cè)功能，我們可以實(shí)現(xiàn)直接成像或屏幕掃描。雙模式....
關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹
當(dāng)輸入電壓上升時(shí)，如果過流限制是恒定的，則容許功率將直接增加。當(dāng)輸入電壓超過設(shè)置值時(shí)，這種校正功能可....
關(guān)于內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC性能分析
電源的一種，將交流（AC）電壓轉(zhuǎn)換為直流（DC）電壓。一般插座中是交流電，而電子設(shè)備是直流電工作，因....
適用“i.MX 8M Mini系列”處理器的電源管理IC分析介紹
為了使應(yīng)用設(shè)計(jì)更靈活更自由，新產(chǎn)品搭載了支持電源模式（RUN、IDLE、SUSPEND、SNVS、O....
關(guān)于Arduino項(xiàng)目的分步指南分析
接下來，我們編寫全局變量定義。這一步并不是必須的。但是，在處理更復(fù)雜的代碼時(shí)，這種定義可以簡(jiǎn)化代碼并....
關(guān)于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析
電流流過PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì)流過大電流，產(chǎn)生大量熱量，隨著發(fā)熱量的增加，電阻值增大，電流....
關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器詳細(xì)解析
由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響，還受PCB板薄膜布線的寄生分量影響，因此需要在組裝于實(shí)際PCB....
關(guān)于1700V全SiC功率模塊分析介紹
對(duì)BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為....
關(guān)于羅姆的車載LED優(yōu)化駕駛的教程分析
照明光源由LED和導(dǎo)光板共同組成，以照亮整個(gè)面板。但是，當(dāng)光通過導(dǎo)光板時(shí)，色調(diào)會(huì)因?qū)Ч獍宓牟馁|(zhì)和形狀....
回顧GaN Systems公司與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及的相關(guān)事件
“GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領(lǐng)域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產(chǎn)品領(lǐng)域是多....
關(guān)于電流檢測(cè)電阻的方法介紹
接下來對(duì)各個(gè)項(xiàng)進(jìn)行說明。R1是該IC內(nèi)部的過電流限制電壓 Vcs_limit除以電感峰值電流 IL（....
分享在Raspberry Pi項(xiàng)目中添加Siri控制的方案設(shè)計(jì)
LED和電阻應(yīng)串聯(lián)在引腳11（GPIO17）和引腳25（地）之間。電阻的作用是限制流過LED的電流，....
關(guān)于ROHM音頻解決方案的介紹和分析
大多數(shù)音頻設(shè)備制造商都表示，在選擇部件時(shí)最看重的是音質(zhì)。ROHM產(chǎn)品之所以能夠持續(xù)被這樣的客戶選中，....
主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
知性女工程師的熱敏研發(fā)人生 | 技術(shù)用語篇Vol.4
知性女工程師的熱敏研發(fā)人生 | 技術(shù)用語篇Vol.4
工商網(wǎng)監(jiān)