羅姆研發(fā)超輕負(fù)載狀態(tài)下徹底削減消耗電流劃時(shí)代技術(shù)“Nano Energy”
全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨，電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢。
ROHM最新開發(fā)降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器IC*1“BD9S402MUF-C”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向包括車載傳感器和攝像頭等在內(nèi)的ADAS（高級駕駛....
什么是過零點(diǎn)？ROHM過零檢測電路的優(yōu)點(diǎn)有哪些
如今的白色家電中配備了Wi-Fi通信功能。由于必須始終通電以保持通信連接，而且家電制造商必須將待機(jī)功....
表面貼裝應(yīng)用中元器件配置與熱干擾
到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算....
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器在啟動前被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會出現(xiàn)無法啟動的故障。
BM2SC12xFP2-LBZ的特點(diǎn)和優(yōu)勢
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓....
過零檢測IC BM1Z002FJ的評測
下面開始測試，為了安全，自己做了一個(gè)隔離電源（采用兩個(gè)降壓變壓器實(shí)現(xiàn)，缺點(diǎn)就是電源功率較?。?。
熱電偶的固定方法
將熱電偶的測量端（連接端）固定到IC等封裝上的方法有兩種：①使用聚酰亞胺（PI）膠帶等；②使用環(huán)氧樹....
ROHM開發(fā)出串行/解串器BU18xx82-M 可確保車載應(yīng)用所需的高可靠性
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向多屏化趨勢下的車載顯示器領(lǐng)域，開發(fā)出支持全高清....
ROHM開發(fā)出車載LDO穩(wěn)壓器*1 IC“BD9xxN1系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車動力總成系統(tǒng)、車身和汽車信息娛樂系統(tǒng)等廣泛....
內(nèi)置線性穩(wěn)壓器的電源無法啟動的故障案例
電源電路無法啟動(不工作)的原因之一是由于手工焊接導(dǎo)致的IC和外圍元器件受損。
BM1Z102FJ-EVK-001過零檢測IC評估板測評
收到評估板有些天了，一直沒時(shí)間搞。趁著這幾天放松點(diǎn)，有點(diǎn)空閑，就拿出來曬曬。順便測試一番。
羅姆與芯馳科技面向智能座艙的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)建立合作關(guān)系
日前，領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co.， Ltd.（以下簡稱“羅姆”....
羅姆BM1Z002FJ-EVK-001評估板測評
過零檢測在交流電路中常用于提供相位參考，在交流頻率固定甚至不斷變化的環(huán)境中，相位信息有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更....
ROHM開發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復(fù)位IC
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對電子電路進(jìn)行電壓監(jiān)控以確保安全的各種車載....
橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源....
具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況
具備驅(qū)動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
電源時(shí)序的規(guī)格、電路工作和波形
了解電源時(shí)序②的規(guī)格、電路工作和波形。
ROHM開發(fā)出符合ISO 26262和ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)的PMIC BD868xxMUF-C
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向在ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))等產(chǎn)品中應(yīng)用日益....
有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOS....
SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用
與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成....
羅姆600V耐壓超級結(jié)MOSFET R60xxVNx系列產(chǎn)品介紹
近期羅姆推出的新品可謂各有特點(diǎn)，涉及的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。羅姆君也總結(jié)出了幾款具有代表性的產(chǎn)品供大家參考，....
一文深入了解SiC MOSFET柵-源電壓的行為
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源....
成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的四大步驟
鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量（....
逆變器電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)
在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時(shí)，要選擇trr小的產(chǎn)品，這一點(diǎn)很重要。
功耗瞬時(shí)增加時(shí)估算TJ的計(jì)算示例
當(dāng)預(yù)計(jì)會出現(xiàn)瞬時(shí)功耗增加的情況時(shí)，需要計(jì)算出瞬態(tài)峰值TJ。
羅姆半導(dǎo)體開發(fā)出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET
“雙碳時(shí)代”已緩緩拉開帷幕，各行各業(yè)都將面臨減排挑戰(zhàn)。在電動車領(lǐng)域中，如何開發(fā)出小型化、更低功耗、更....
MOSFET的失效機(jī)理
MOSFET的失效機(jī)理 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?SOA是“Safety Operation Area”的縮....
BM1ZxxxFJ系列過零檢測IC是什么,有哪些特點(diǎn)
前段時(shí)間，EEFocus羅姆技術(shù)社區(qū)精心舉辦的 “羅姆全年免費(fèi)試用”活動受到大家的熱烈歡迎，也產(chǎn)出了....
工商網(wǎng)監(jiān)