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JSAB安建科技

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JSAB推出應用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管

JSAB正式推出應用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管,產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝,....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 05-27 10:08 ?2373次閱讀
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安建半導體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,融合國內(nèi)尖端技術與設計,開....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 02-07 11:26 ?1715次閱讀
安建半導體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體持續(xù)擴充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺,同年已將中高....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 11-12 14:00 ?1644次閱讀
安建半導體持續(xù)擴充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺

安建團隊赴廣汽集團拜訪交流

2024年7月17日,安建董事長兼總經(jīng)理單建安教授與投資人代表胡強先生帶隊拜訪廣汽集團,與廣汽集團馮....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 07-19 11:36 ?1281次閱讀

JSAB推出700V-400A/450A/500A I型三電平模塊

JSAB正式推出700V-400A/450A/500A的 I 型三電平模塊,產(chǎn)品型號為 JG6R40....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 07-12 09:47 ?2019次閱讀
JSAB推出700V-400A/450A/500A I型三電平模塊

安建半導體出席第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會

在前不久結束的ISPSD2024 征稿評比中,安建半導體以工作單位獨立參加碳化硅領域投稿,在口頭報告....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 06-12 10:29 ?1413次閱讀

安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件

近年來,工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 05-06 15:52 ?2884次閱讀

安建半導體獲得超過2億元人民幣的C1輪融資

安建半導體C1輪融資圓滿收官,公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 04-08 14:02 ?1793次閱讀

安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,平臺采用先進的技術和....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 01-23 13:36 ?1878次閱讀
安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導體推出具有完全自主知識產(chǎn)權的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設計確保產(chǎn)品....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 01-20 17:54 ?2505次閱讀
安建半導體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

JSAB瑞出應用于乘用車電驅的750V-340A IGBT

產(chǎn)品特點 ● 第7代溝槽-場截止設計,實現(xiàn)更低的VCE(sat) ● 低開關損耗 ....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 12-07 09:21 ?1396次閱讀
JSAB瑞出應用于乘用車電驅的750V-340A IGBT

JSAB正式推出1200V-900A模塊

JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊,產(chǎn)品....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 12-05 10:46 ?2238次閱讀
JSAB正式推出1200V-900A模塊

應用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊

JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊,產(chǎn)品型號為 ....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 11-20 17:25 ?1729次閱讀
應用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊

安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

依托于光刻機的光罩(Litho)工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數(shù)是影響半導體芯片工藝....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 09-21 11:40 ?1931次閱讀
安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

1200V-150A/225A/300A儲能用三電平模塊簡介

JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1200V-150A/225A/300....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 08-25 15:42 ?2243次閱讀
1200V-150A/225A/300A儲能用三電平模塊簡介

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號為 ....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 08-25 15:40 ?3700次閱讀
采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及....
的頭像 JSAB安建科技 發(fā)表于 06-20 11:26 ?4354次閱讀
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