當前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

CES 2024展會于1月9日-1月12日在美國拉斯維加斯舉行。此前，國產(chǎn)Micro LED微顯示初....

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：2024 年1月 9日，智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納....

2024年1月8日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON....

在過去的十年里，固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬億美元的收入，引領了全球照明領域的能源革命。

在功率和光子學應用強勁擴張的推動下，到2029年，全球化合物半導體襯底和外延晶圓市場預計將達到58億....

中國電科基礎辦付興昌表示：“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲能領域有廣闊的應用空間，希望雙方未來能發(fā)掘出更多的合....

金剛石材料具有自然界物質中最高的熱導率（高達2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電....

第三代半導體以此特有的性能優(yōu)勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等....

1月2日消息，據(jù)媒體報道，維信諾參股公司成都辰顯光電有限公司（以下簡稱“辰顯光電”）于近日順利完成數(shù)....

軟包裝復合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導體材料領域的投資取得新進展、新成效。

近日新疆首個用于超特高壓換流站大功率半導體器件性能分析的高壓電力電子實驗室正式投入使用，順利完成3支....

早稻田大學和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結構，其中金剛石表....

硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時延的優(yōu)勢;無需過分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場....

近日，據(jù)晶能微電子官微消息，浙江益中封裝技術有限公司舉行一期擴建項目開工儀式。

據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導體....

12月27日，浙江芯微泰克半導體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通....

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運（PVT）是最適....

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢

III族氮化物半導體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設備的節(jié)能。

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）....

隨著半導體技術的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料....

硅光子是一種光子集成電路，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，硅光子學已經(jīng)取得了重大進展

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導性能和機械強度等優(yōu)勢，因此受到廣泛關注和應用。

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快，但與....

利用具有窄波峰寬和精確可調(diào)峰值的色轉換材料是當今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見方法....

當前，SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅、OBC等關鍵部件，有效的降低了提升了開關速度，降低了能量....

近日，武漢大學工業(yè)科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權....

當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向。

12 月 22 日消息，據(jù)意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議....