瑞薩電子公司宣布開(kāi)發(fā)面向消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品（如無(wú)線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車(chē)）中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET，
2011-07-29 09:17:46
2363 本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:237449 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布推出用于空調(diào)功率系數(shù)校正（PFC）電路的新型功率半導(dǎo)體器件，可廣泛用于中低端空調(diào)的部分開(kāi)關(guān)
2015-12-01 16:49:381982 瑞薩電子用于開(kāi)發(fā)智能手機(jī)光學(xué)圖像防抖系統(tǒng)的固件和開(kāi)發(fā)工具2015年11月25日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）于今日宣布推出功能先進(jìn)的光學(xué)圖像防抖器（OIS）驅(qū)動(dòng)器IC RAA305315GBM，該器件可使先進(jìn)智能手機(jī)的攝像頭進(jìn)行高精度、廣范圍的定位。
2015-12-10 09:38:232529 在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:572587 
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44853 
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(chē)（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-02 14:24:401640 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572639 
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)
2024-05-23 11:23:221233 
33V，適合驅(qū)動(dòng) Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)
2025-04-03 14:23:02
的效率密切相關(guān)。 對(duì)于門(mén)驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應(yīng)用 與MOSFET相比，IGBT開(kāi)關(guān)速度較慢
2022-06-28 10:26:31
技術(shù)取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無(wú)需再使用更為復(fù)雜的IGBT結(jié)構(gòu)。在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通領(lǐng)域
2023-02-16 15:36:56
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說(shuō)，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動(dòng)電壓要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化?！ ×硗猓?b class="flag-6" style="color: red">SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
SiC MOSFET的價(jià)格調(diào)查?！ 〗Y(jié)論 硅IGBT在20世紀(jì)80年代對(duì)電力電子領(lǐng)域產(chǎn)生了巨大的積極影響，從那時(shí)起它一直是該行業(yè)的主力。下一項(xiàng)革命性技術(shù)將是SiC MOSFET。今天的SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求，RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器，專(zhuān)門(mén)為SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儀表盤(pán)
2023-03-02 14:29:51
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU作者：時(shí)間：2009-04-21來(lái)源：電子產(chǎn)品世界字號(hào)： 小 中 大關(guān)鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
技術(shù)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)課題的“答案”期待“功能模塊”長(zhǎng)期以來(lái)，瑞薩對(duì)于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數(shù)字IC、光電耦合器、驅(qū)動(dòng)器IC等產(chǎn)品推出了低端到高端的各類(lèi)控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術(shù)電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
器。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
三相逆變器中IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有哪幾種？用于IGBT驅(qū)動(dòng)的集成電路芯片有哪些？其使用方法和優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
2021-04-20 06:35:24
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)基于SiC或IGBT的三相電機(jī)半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
3賽季）與文圖瑞車(chē)隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。通過(guò)將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車(chē)模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車(chē)電源
2018-10-25 08:53:48
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)速度比IGBT更高全SiC模塊與IGBT模塊相比，可實(shí)現(xiàn)更高速度的開(kāi)關(guān)。下圖為以5kHz和30kHz驅(qū)動(dòng)PWM逆變器時(shí)的損耗仿真結(jié)果。從仿真
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
IGBT的開(kāi)關(guān)損耗有巨大的貢獻(xiàn)。SiC MOSFET不存在這種稱(chēng)為尾電流的效應(yīng)，并且可以以更少的能量損失完成關(guān)斷?！ 〗Y(jié)論 本文討論的參數(shù)和特性揭示了電力電子設(shè)計(jì)的某些方面。當(dāng)前和未來(lái)的電子設(shè)計(jì)，如電池
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
瑞薩科技推出用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS
株式會(huì)社瑞薩科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩）宣布推出R2J20653ANP，一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲(chǔ)器等器件中穩(wěn)壓器（VR
2010-01-08 08:51:101536 瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)推出新款系統(tǒng)SoC——CE150。新產(chǎn)品面向智能手機(jī)及高端移動(dòng)電話的內(nèi)置照相機(jī)應(yīng)用
2011-03-21 11:18:11918 瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251352 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)軍廠商瑞薩電子（中國(guó)）有限公司宣布推出瑞薩先進(jìn)電機(jī)控制算法- 瑞薩先進(jìn)電機(jī)控制解決方案Renesas Advanced Motor Drive Algorithm。
2012-07-24 15:56:112262 
瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44981 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的六款新產(chǎn)品，其可將用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中的轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并減少不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用。
2016-03-21 13:48:223062 
2017年4月10日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布推出新型100 kW級(jí)逆變器解決方案，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的3.9升（L）小型設(shè)計(jì)等級(jí)，可用于包括SUV在內(nèi)的中到大型混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）和中小型電動(dòng)汽車(chē)（EV）使用的100 kW級(jí)大功率電機(jī)。
2017-05-04 16:07:152497 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
全球領(lǐng)先的電子元器件分銷(xiāo)商富昌電子（Future Electronics）今日發(fā)布符合功能安全基礎(chǔ)的電動(dòng)汽車(chē)逆變器（EV Inverter）電機(jī)驅(qū)動(dòng)整套方案。
2019-03-29 10:45:113457 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用于各種
2020-03-12 14:55:513302 。SiC MOSFET 和 IGBT 的應(yīng)用具有相似的功 率水平，但隨著頻率的增加而產(chǎn)生差異，如圖 1 所示。SiC MOSFET 在功率因數(shù)校正電源、光伏逆變器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牽引逆變器、電
2022-03-18 12:07:168882 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:485123 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，面向電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)人員推出符合AUTOSAR標(biāo)準(zhǔn)的復(fù)合驅(qū)動(dòng)程序（CDD）軟件模塊。此款全新軟件與廣受業(yè)界好評(píng)的瑞薩ISL78714鋰離子電池管理IC配合使用，以加速下一代系統(tǒng)的設(shè)計(jì)并優(yōu)化性能。
2022-06-10 11:09:002093 瑞薩電子推出用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器的新一代硅基 IGBT ? 全新功率器件將在瑞薩新落成的 300mm 甲府工廠生產(chǎn) ? 2022 年 8 月 30 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子
2022-08-31 13:44:211512 
新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
2023-02-02 11:10:211641 RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2023-02-07 09:41:31836 上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
在對(duì)功率模塊選型的時(shí)候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動(dòng)器。這就要求在特定的條件下了解門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)性能和參數(shù)的計(jì)算方法。 本文將以實(shí)際產(chǎn)品中用到的參數(shù)進(jìn)行計(jì)算說(shuō)明，并且對(duì)比實(shí)際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3918 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位寬禁帶
2023-06-25 14:35:021535 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP22835.1-適用于牽引逆變器應(yīng)用的隔離式IGBT 和 SiC 驅(qū)動(dòng)器輔助電源 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-20 11:26:360 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:421458 
器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:191583 
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46775 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗，SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對(duì)門(mén)
2024-05-13 16:10:171485 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-11 14:21:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于800V牽引逆變器的SiC MOSFET高密度輔助電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 09:44:146 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，率先在全球范圍內(nèi)推出用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)（E-Axle）的“8合1”概念驗(yàn)證（注）（PoC）方案——通過(guò)單個(gè)微控制器（MCU
2024-11-21 13:51:231138 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-06 19:24:014004 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03933 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于
2025-11-28 07:54:041874 
探索GD3162：先進(jìn)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)xEV牽引逆變器時(shí)，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下NXP的GD3162——一款先進(jìn)的單通道
2025-12-24 14:25:02223 瑞薩RAJ240055 R - BMS F評(píng)估套件快速上手 在電池管理系統(tǒng)（BMS）的開(kāi)發(fā)與評(píng)估中，一款合適的評(píng)估套件能起到事半功倍的效果。今天我要給大家詳細(xì)介紹的就是瑞薩（Renesas
2025-12-26 17:25:18400 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其可靠驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03308 
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