700M 5G基站的建設(shè)不同于3.5G、2.6GHz 5G基站需求，對射頻濾波器的材料、天線材料提出了不同的要求，如何應(yīng)對5G時代的材料新需求？毫米波雷達(dá)快速上車，如何應(yīng)對這個市場的材料要求？SABIC給出了他們最新的材料解決方案。
2021-09-27 23:37:50
13414 氣隙是磁路的非磁性部分，它通常與電路的其余部分串聯(lián)在一起，這樣就有很大一部分磁通量流過間隙。 氣隙可填充非磁性材料，如氣體、水、真空、塑料、木材等，而不一定只填充空氣。
2023-02-01 11:15:374824 GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:159262 
應(yīng)對4G時代智能手機(jī)天線設(shè)計挑戰(zhàn)，不看肯定后悔
2021-05-25 06:14:14
APT與傳統(tǒng)的病毒時代有什么不同？APT給AVER的困擾點有哪些？對于APT有什么應(yīng)對方案？
2021-07-05 06:32:38
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3．5-4．3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵起吸收閾值為3．75ev，相當(dāng)于330nm的波長，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。
2019-09-11 11:29:55
請問第五問，柵壓如何計算呢？表面勢能從能帶圖上看出來嗎？
2021-03-03 16:45:56
BSP里有個例子
IAP_Read_Bandgap\\Code
查了一下，那個單子叫能帶隙，不知道
2023-06-25 07:48:03
1、引言光子帶隙(photonic Bandgap-PBG)結(jié)構(gòu)，又稱為光子晶體(photonic Crystal)，它是一種介質(zhì)材料在另一種介質(zhì)材料中周期分布所組成的周期結(jié)構(gòu)。盡管光子帶隙最初
2019-06-27 07:01:22
50多年前硅（Si）集成電路的發(fā)明意義重大，為我們當(dāng)前所享受的現(xiàn)代計算機(jī)和電子產(chǎn)品時代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現(xiàn)在存在疑問的是，硅在半導(dǎo)體行業(yè)的霸主地位將何時終結(jié)？據(jù)
2019-07-30 07:27:44
看了關(guān)于能帶隙基準(zhǔn)源的的介紹，其原理是利用了正溫度系數(shù)的電壓產(chǎn)生器和具有負(fù)溫度系數(shù)的電壓，從而得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
第一張圖是基本原理圖，用左邊電流控制右邊電流，但是書上說左右兩個晶體管
2024-01-27 11:56:26
請問變壓器氣隙的計算是怎么計算的？一般氣隙的大小是多少？最大能大到多少？最小能小到多少？若需要增大氣隙需要改變變壓器的那些參數(shù)？
2012-02-07 10:49:32
研究方向的熱點。在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率、載流子密度和遷移率是測試的關(guān)鍵參數(shù)。二·測試難點1、寬禁帶材料的帶隙較大，擊穿電場較高。超禁帶材料擊穿電場更高。因此需要上千伏高壓源表進(jìn)行測試。2、功率
2022-01-23 14:15:50
率意味著電子可以更快地完成工作，從而實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的處理器速度。目前的上限是太赫茲范圍，這就是為什么全世界的研究人員都熱衷于了解太赫茲場是如何與新材料相互作用的。”HZDR輻射物理研究所的Jan
2020-07-07 11:34:58
需要開發(fā)一個點對點無線通信系統(tǒng)內(nèi)的TDD時隙同步與切換模塊，基于FPGA開發(fā)，實現(xiàn)下列功能：1.上下行時隙切換；2.在無GPS等同步時鐘的前提下，實現(xiàn)時隙同步；需要提供：1.TDD同步機(jī)制說明文
2016-01-25 17:17:32
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。 在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計從中受益的。 采用
2022-11-16 06:48:11
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢實際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
材料可分為兩類（按高頻特性由優(yōu)→差的順序排列） ?。?）帶氣隙的磁芯材料：鐵氧體，非晶合金（FG型），坡莫合金（?。┘氨」桎摰??！ 。?）不帶氣隙的磁芯材料：鐵鎳鉬粉芯（MPP），恒導(dǎo)磁非晶合金（FJ
2016-01-15 15:01:55
帶隙基準(zhǔn)是什么？帶隙基準(zhǔn)的功能工作原理是什么？帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-06-22 08:14:04
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。 在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計從中受益的。 采用
2018-08-30 14:43:17
波長的周期性單元結(jié)構(gòu)。該單元結(jié)構(gòu)如同傳統(tǒng)材料的原子和分子，通過空間組合，可表現(xiàn)出新的電磁特性和功能。超材料的研究經(jīng)歷了電磁帶隙結(jié)構(gòu)（Eleetromagnetie Band Gap，EBG）、左手材料
2019-05-28 07:01:30
氣隙/氣隙磁通量在電機(jī)中有什么作用？如何合理設(shè)計？
2021-02-04 08:01:17
氣隙的影響電機(jī)的氣隙
2021-01-22 06:15:07
電源電壓變化時，帶隙基準(zhǔn)的輸出發(fā)生跳變，怎么減小帶隙基準(zhǔn)的過沖？謝謝
2021-06-24 06:46:07
stm8系列的何時能帶上比較器？
有些單片機(jī)比如*芯，8位機(jī)，國產(chǎn)某t的8位機(jī)，都早有比較器了。
莫非是為了差異化競爭？
2024-05-06 06:48:27
什么是帶隙電壓？
2020-12-23 07:27:58
如何實現(xiàn)低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計？傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？低電源帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？
2021-04-20 06:12:32
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？
2021-06-17 06:45:48
,適當(dāng)?shù)碾姶艓?b class="flag-6" style="color: red">隙(EBG)結(jié)構(gòu)可以有效地降低供電系的電磁干擾。本文通過運(yùn)用基于快速算法和分解元法的計算機(jī)仿真,研究供電系EBG結(jié)構(gòu)中采用磁性材料后的阻抗特性。研究表明,在供電系內(nèi)側(cè)增加磁性材料涂層,能在
2010-04-22 11:46:32
在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開關(guān)，能讓開關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
具有特定功能的半導(dǎo)體材料的計算設(shè)計,是計算材料科學(xué)的一個重要研究領(lǐng)域. 由于半導(dǎo)體的諸多性質(zhì)取決于價帶頂和導(dǎo)帶底的電子態(tài)及其中的載流子分布,因此帶隙的大小和能帶極值
2009-02-11 09:53:47
18 本教程簡要地討論不同帶隙參考電路的設(shè)計，重點討論造成嚴(yán)重麻煩的技術(shù)問題。針對各種問題給出了實際解決方案，并證明了解決這些問題的一種方法。教程帶隙參考多年來
2009-09-30 10:06:357 在開關(guān)電源中使用的電感，除了利用低導(dǎo)磁材料作為均勻分布?xì)?b class="flag-6" style="color: red">隙以外，用高導(dǎo)磁材料作磁芯的電感都必須擁有氣隙。由于在氣隙附近存在擴(kuò)散磁通，使繞組產(chǎn)生額外的損耗，所以
2009-10-16 09:38:1429 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487717 異質(zhì)結(jié),異質(zhì)結(jié)是什么意思
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以
2010-03-06 10:43:0417269 在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度
2012-02-13 15:31:1354 設(shè)計并實現(xiàn)了一種bipolar工藝下的高精度帶隙基準(zhǔn)電路，通過Hspice驗證，具有2.28×10-6 K-1的溫度系數(shù)，在△V=10V的寬電源電壓幅度范圍作用下，具有1.2mV/V電源抑制特性及直流PSRR=79dB的高電
2012-10-10 16:43:042576 
Fitbit取得了成功，為目前混亂的可穿戴設(shè)備市場注入了一劑“強(qiáng)心針”。那么可穿戴市場現(xiàn)狀如何？產(chǎn)品和技術(shù)還有哪些局限？后Fitbit時代，中國可穿戴企業(yè)何時能夠?qū)崿F(xiàn)IPO？
2015-07-01 11:09:531057 隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計從中受益的。 采用帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。
2017-04-18 08:41:11980 光子帶隙(photonic Bandgap-PBG)結(jié)構(gòu)，又稱為光子晶體(photonic Crystal)，它是一種介質(zhì)材料在另一種介質(zhì)材料中周期分布所組成的周期結(jié)構(gòu)。盡管光子帶隙最初應(yīng)用于光學(xué)
2017-11-23 07:05:011162 
帶隙是導(dǎo)帶的最低點和價帶的最高點的能量之差。也稱能隙。帶隙越大，電子由價帶被激發(fā)到導(dǎo)帶越難，本征載流子濃度就越低，電導(dǎo)率也就越低帶隙主要作為帶隙基準(zhǔn)的簡稱，帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種
2017-11-24 15:45:2024801 
寬能帶隙半導(dǎo)體元件因電、熱、機(jī)械等各項性能表現(xiàn)具佳而被業(yè)界看好，碳化硅材料的電氣特性使其適用于研制高擊穿電壓元件，不過，應(yīng)用要求晶片有更高的性能，而硅元件已經(jīng)達(dá)到了極限。
2018-01-04 17:08:292863 
寶馬2021年推出的第五代傳動系統(tǒng)中，電機(jī)將不再使用任何稀土元素。應(yīng)對市場快速增長可能帶來的必要原材料短缺，捍衛(wèi)公司原材料供應(yīng)鏈的安全性和價格的穩(wěn)定性
2018-04-06 19:32:006386 但如果是小于能帶隙能量的光源時，電子無法穿過能帶隙到達(dá)傳導(dǎo)帶，也就是說光源無法被吸收直接會穿透。所以肉眼看見是透明的。一般來說能隙帶比3.26eV大的物體在可視光線領(lǐng)域是透明的。
2018-06-22 09:36:2513379 智能時代何時到來？未來已初見端倪，只是在各行各業(yè)的智能化程度有所不同。而終有一天，藍(lán)圖會徹底成為現(xiàn)實。
2019-05-12 07:37:008669 正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開關(guān)電流的能力，以實現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:0610332 
電子材料供應(yīng)商的黃金時代已經(jīng)到來，得材料者得天才。
2019-07-08 16:38:193926 本文首先介紹了帶隙基準(zhǔn)是什么，然后分析了帶隙基準(zhǔn)的原理。
2019-08-06 17:48:049471 
基于能帶調(diào)控策略，研究者通過p型摻雜方法，設(shè)計出超高能量密度、無過渡金屬的碳基正極新家族。該工作從電化學(xué)儲能材料的內(nèi)稟構(gòu)效關(guān)系出發(fā)建立其性能的鏈條式計算和評估范式，為研發(fā)新型高比能電極材料開辟了一條
2020-10-11 10:21:013663 
氣隙是電機(jī)設(shè)計中的主要問題之一，電磁器件的磁路中含有低電阻的材料（如鐵），這樣可以最大限度地減少產(chǎn)生磁場所需的電能。
2020-12-14 23:24:172463 氣隙是電機(jī)設(shè)計中的主要問題之一，電磁器件的磁路中含有低電阻的材料（如鐵），這樣可以最大限度地減少產(chǎn)生磁場所需的電能。
2021-02-05 06:37:2015 Cohen）和西奧多·埃凡杰努（Theodoros Evgeniou）合著的文章《當(dāng)機(jī)器學(xué)習(xí)誤入歧途》（When Machine Learning Goes Off the Rail），對其可能帶來的風(fēng)險和應(yīng)對方法進(jìn)行了討論。
2021-02-20 14:30:017418 近年來，以石墨烯為代表的二維材料由于具有優(yōu)異的光電性能（如可調(diào)的能帶帶隙，強(qiáng)光吸收性能，高載流子遷移率，良好的柔韌性和易加工性等）顯示出了實現(xiàn)高性能中紅外光探測器的潛力。
2021-03-06 09:58:044009 放電保護(hù)球隙型號：FDB 名稱：放電保護(hù)球隙、放電球隙測壓器、放電球隙、放電保護(hù)球間隙、高壓放電球隙 FDB放電保護(hù)球隙又稱放電球隙測壓器、放電球隙、球隙測定器、保護(hù)球隙測壓器、高壓放電球隙、高壓
2021-03-10 16:00:311298 放電保護(hù)球隙 FDB放電保護(hù)球隙又稱放電球隙測壓器、放電球隙、球隙測定器、保護(hù)球隙測壓器、高壓放電球隙、高壓放電保護(hù)球間隙及放電保護(hù)球隙測壓裝置，放電保護(hù)球隙是一對相同的球形電極，當(dāng)放電保護(hù)球隙
2021-03-31 16:15:585002 氣隙是電機(jī)設(shè)計中的主要問題之一，電磁器件的磁路中含有低電阻的材料（如鐵），這樣可以最大限度地減少產(chǎn)生磁場所需的電能。磁路中的間隙通常是不可避免的，它們含有空氣，這提供了對磁通量的高電阻，這樣的間隙需要在磁化電流和相關(guān)的電損耗方面的是有害的。
2021-04-14 06:15:33192 與水接觸后，二維光催化材料的能帶結(jié)構(gòu)尤其是其帶邊位置會發(fā)生改變，這對于光分解水和人工光合作用等領(lǐng)域的應(yīng)用研究至關(guān)重要。
2021-06-23 17:21:574086 材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，吉時利源表SMU在許多學(xué)科工程師和科學(xué)家中享有盛譽(yù)，以其優(yōu)異的性能為當(dāng)代材料科學(xué)研究提供多種測試方案，今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。
2021-08-20 11:17:47719 隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。
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在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計從中受益
2022-01-26 18:07:332012 了解半導(dǎo)體價帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。
2022-07-29 11:18:021883 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:452407 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉(zhuǎn)換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:491456 
對接口處有意無意留下的間隙就是鐵芯氣隙，所以人們不需要鐵芯氣隙時可以采用環(huán)型變壓器，用到氣隙時就故意加大對接的缺口，或在缺口處墊非導(dǎo)磁材料，如高溫紙。? ? ? ?高頻變壓器才開氣隙，是為了防止鐵芯磁飽合，因為UPS中有高次
2022-10-25 09:12:206664 寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品中具備的優(yōu)勢——第一部分
2022-11-02 08:16:270 光子晶體是指具有光子帶隙的周期性接電結(jié)構(gòu)材料，所謂光子帶隙是由于接電常熟不同的材料在空間周期性排列導(dǎo)致介電常數(shù)的空間周期性，使得光折射率產(chǎn)生周期性分布，光在其中傳播時產(chǎn)生能帶結(jié)構(gòu)，在帶隙中的光子頻率被禁止傳播，因此稱為光子禁帶，具有光子禁帶特征的材料稱為光子晶體。
2022-11-29 11:33:268706 寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:251652 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810871 本節(jié)將從自洽出發(fā)介紹如何使用DS-PAW計算能帶和投影能帶。以Si體系為例進(jìn)行自洽計算（見2.2節(jié) ），自洽完成之后準(zhǔn)備能帶計算和投影能帶計算，并對能帶和投影能帶作圖分別進(jìn)行分析。
2023-02-02 16:27:542380 寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:082519 針對行業(yè)級安防監(jiān)控、車載媒體、工業(yè)自動化應(yīng)用等，佰維推出工業(yè)級寬溫 Micro SD（TF）卡，從容應(yīng)對各種復(fù)雜環(huán)境挑戰(zhàn)。
2023-04-14 17:26:321472 
寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。
2023-05-24 11:13:483185 以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)材料為主流的寬能隙(WBG)半導(dǎo)體功率元件，在節(jié)能永續(xù)意識抬頭的今日成為各種電源系統(tǒng)應(yīng)用的寵兒；2022年TechTaipei系列研討會首度以WBG元件為題，邀請
2022-09-07 09:57:341526 
為什么叫帶隙電壓？電壓型的帶隙與電流型的帶隙的區(qū)別？ 帶隙電壓是指半導(dǎo)體材料中價帶和導(dǎo)帶之間的能隙（帶隙）所對應(yīng)的電壓值。在半導(dǎo)體物理學(xué)中，帶隙是一個很重要的概念。帶隙包含了電子的能量和位置
2023-09-20 17:41:214470 直接帶隙和間接帶隙的區(qū)別與特點? 半導(dǎo)體材料是廣泛應(yīng)用于電子器件制造和光電子技術(shù)中的重要材料之一。在研究半導(dǎo)體材料性質(zhì)時，經(jīng)常要關(guān)注材料的電子能帶結(jié)構(gòu)，其中直接帶隙和間接帶隙是兩種常見的帶隙類型
2023-09-20 17:41:2424951 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
、速度快等優(yōu)點，在眾多電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。其中，基準(zhǔn)電壓就是一個比較重要的參數(shù)，而基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)是指在不同溫度下電路帶來的基準(zhǔn)電壓變化情況。 通常來說，CMOS電路中使用的帶隙基準(zhǔn)技術(shù)，具有多晶硅、硅谷能帶、亞穩(wěn)態(tài)等技術(shù)，但是這些技術(shù)都存在著一定的溫度漂移問題。而在實際
2023-10-23 10:29:112367 鐵氧體電感設(shè)計中如果磁芯尺寸選的不夠大（Ae?。?，為了降低磁芯損耗/減小ΔB，需要把電感匝數(shù)加多，這時候磁芯氣隙就會變大。處理過大的氣隙，常用方法是氣隙分段，或者用粉芯磁路來填充。當(dāng)氣隙不是特別大時，還有種方法可以應(yīng)對--氣隙倒角。本文以三個例子說明氣隙形狀的影響。
2023-10-28 11:30:276055 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 問題。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，人們提出了大馬士革（semi-damascene）工藝，特別是在使用釕（Ru）作為互連材料時，這種工藝顯示出了顯著的優(yōu)勢，尤其是通過引入空氣隙來減少寄生電容。 傳統(tǒng)銅互連的問題 在傳統(tǒng)的銅互連工藝中，隨著制程節(jié)點的不斷縮
2024-11-19 17:09:312399 
疊層太陽能電池通過集成不同能帶隙的子電池來提高對太陽光譜的利用率。在眾多材料中，Cu(In,Ga)Se?（CIGSe）通過調(diào)整成分可實現(xiàn)接近理論最佳帶隙的1.00eV，通過三步納米級控制制備了高效
2024-12-09 16:58:151148 
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
新能源汽車產(chǎn)業(yè)正加速向高功率、高集成演進(jìn)，車載電子系統(tǒng)已成為決定整車性能與安全的核心中樞。 但作為其“神經(jīng)節(jié)點” 的磁性材料，卻正遭遇關(guān)鍵技術(shù)瓶頸：高頻電磁干擾抑制與寬溫穩(wěn)定性難以兼顧，極端工況下
2025-08-05 10:52:44885 
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