材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，吉時(shí)利源表SMU在許多學(xué)科工程師和科學(xué)家中享有盛譽(yù)，以其優(yōu)異的性能為當(dāng)代材料科學(xué)研究提供多種測(cè)試方案，今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。

一、寬禁帶材料介紹：

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。此外，為適應(yīng)特高壓輸電、電動(dòng)汽車充電樁等超高壓應(yīng)用，可以承受更高電壓的超寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅、氧化鎵等的研究也在逐漸深入，寬禁帶材料一直是研究方向的熱點(diǎn)。在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率、載流子密度和遷移率是測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)。

二、測(cè)試難點(diǎn)：

1、寬禁帶材料的帶隙較大，擊穿電場(chǎng)較高。超禁帶材料擊穿電場(chǎng)更高。因此需要上千伏高壓源表進(jìn)行測(cè)試。

2、功率器件帶隙較寬，穩(wěn)定性好，受溫度影響較小，所以也是高流器件的制備材料。電流特性的測(cè)試，需要用到幾十安培的高流源表。

3、四線法及霍爾效應(yīng)測(cè)試均是加流測(cè)壓的過程，需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓，這意味著同時(shí)需要電流源和電壓表。

4、電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備。

5、電流源和電壓表精度要高，保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。

三、測(cè)試方法及推薦設(shè)備：

電阻率測(cè)試方法：

四探針測(cè)試法

測(cè)試載臺(tái)：四探針測(cè)試臺(tái)

載流子濃度及遷移率測(cè)試方法：

霍爾效應(yīng)測(cè)試法

測(cè)試載臺(tái)：磁場(chǎng)設(shè)備及探針臺(tái)

中功率測(cè)試設(shè)備：

測(cè)試設(shè)備：吉時(shí)利4200A-SCS

高功率測(cè)試方案：

測(cè)試設(shè)備：吉時(shí)利源表2600-PCT

可選：200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置

四、吉時(shí)利源表方案優(yōu)勢(shì)：

1.全面的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)測(cè)試方案;

1.高壓3kV，高流100A高精度源表;

3.SMU模塊集電壓源/電壓表/電流源/電流表于一體，集成度高，方便使用;

4.SMU均配有開爾文接口，在測(cè)試小電阻時(shí)可有效消除線纜電阻的影響;

5.4200A設(shè)備電流輸出精度40fA;電流測(cè)試精度10fA;電壓測(cè)試精度80uV;

6.帶有pulse工作模式，使用pulse測(cè)試可以消除自加熱效應(yīng)：

7.開放設(shè)備底層指令，附帶編譯軟件，支持自編程;

8.提供高壓高流測(cè)試夾具，保證測(cè)試安全。

泰克吉時(shí)利產(chǎn)品提供各類材料電參數(shù)測(cè)試方案，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，如需了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

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