美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:24
1616 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451596 聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于東芝（TOSHIBA）的車載以太網(wǎng)橋接解決方案。
2019-04-17 11:18:092260 器件可在+125 °C高溫下工作，經(jīng)過500小時85 °C/相對濕度85 %條件下溫濕度偏壓測試。
2021-11-15 11:12:251431 
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
2021-11-30 15:24:191919 
東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471486 
中國上海， 2023 年 2 月 28 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動IC[1]---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉(zhuǎn)向助力
2023-02-28 14:17:30918 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:501327 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141126 
電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為
2024-03-14 11:07:581205 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
支持以相當(dāng)于240fps錄制高速高清視頻東京—東芝公司（TOKYO：6502）推出一款800萬像素的BSI [1] CMOS圖像傳感器“T4KA3”,該傳感器使智能手機(jī)和平板電腦能夠以業(yè)界最高的[2]幀率，即相當(dāng)于240幀/秒（fps），錄制高清（HD）視頻。樣品出貨即日啟動。
2020-04-27 06:44:29
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的需求，其提供一個利用藍(lán)牙的擴(kuò)展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
的情況下，功率因數(shù)值大于0.8-0.9,LED輸出電流精度為+/-5%. LED照明設(shè)備具有功耗低、壽命長等特點，正在取代白熾燈。東芝正在開發(fā)可控制大功率LED,支持調(diào)光和高PF,并且輸出電流精度
2018-09-26 16:05:07
東芝推出的三相無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC“TC78B027FTG”的特性是什么
2021-07-09 08:00:42
之前拍攝的照片就要作廢。不過等到東芝研發(fā)的全新相機(jī)模塊推出之后，我們就能在拍照完畢后，直接在照片上調(diào)整焦點了。http://www.hds668.com東芝研發(fā)全新相機(jī)模塊可在拍攝后直接調(diào)整照片焦點
2012-12-31 09:17:23
日本電子產(chǎn)品制造企業(yè)東芝(Toshiba Corp.)周五公布，將在年底前推出使用谷歌(Google Inc.)Android操作系統(tǒng)的平板電腦，因東芝希望在蘋果(Apple Inc.)iPad引領(lǐng)
2011-03-03 16:36:39
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
），那么，對于耐壓100V功率MOSFET管，工作在105V是否安全，110V是否安全？如果加上110V電壓不會損壞，那么，安全原則是什么呢？
從設(shè)計角度，要求在最極端條件下，設(shè)計參數(shù)有一定余量，保持系
2025-11-19 06:35:56
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開始實際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯
東芝新推出了一款步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片，TB67S109AFNAG。各位做機(jī)器人的朋友可以考慮測試下試試
2016-10-25 10:13:51
MOSFET不能完全開通，系統(tǒng)不能正常工作。另一方面，溫度越高，VTH的電壓就會越低，功率MOSFET在高負(fù)載或高溫環(huán)境下VTH的電壓就會降低，在感應(yīng)VGS尖峰電壓的作用下，就增加了柵極誤觸發(fā)的可能性，導(dǎo)致
2019-08-08 21:40:31
某一個30A單相的設(shè)計實例，進(jìn)一步闡明這些概念?！ ∮嬎?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:074092 
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)
2010-01-14 09:01:43942 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:571007 CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操
2010-02-23 10:42:591969 英飛凌推出可擴(kuò)展的全套高溫8位MCU系列
在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出可擴(kuò)展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高
2010-03-10 10:56:54866 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 車載功放的額定功率 額定功率是車載功放在不產(chǎn)生失真的情況下，能夠持續(xù)穩(wěn)定工作的功率。只有這
2010-01-04 11:03:552044 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011353 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59769 
新近，東芝公司（Toshiba Corporation）推出新款單通道單刀雙擲（SPDT）總線開關(guān)IC，支持PCI Express Gen3 （8Gbps），可在-3dB時實現(xiàn)11.5GHz的寬廣帶寬。
2013-04-01 11:11:341221 東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061788 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出車載直流無刷電機(jī)（BLDC電機(jī)）無傳感器預(yù)驅(qū)動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應(yīng)用。樣品現(xiàn)已上市，批量生產(chǎn)定于今年12月開始。
2019-03-30 11:08:202301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出車載直流無刷電機(jī)（BLDC電機(jī)）無傳感器預(yù)驅(qū)動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應(yīng)用。樣品現(xiàn)已上市，批量生產(chǎn)定于今年12月開始。
2019-05-16 16:00:492902 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進(jìn)行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463654 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:301412 中國上海，2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。
2020-05-14 17:12:572994 %的情況下飽和電流高達(dá)420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51適用于再生能源、工業(yè)和通信應(yīng)用，DCR典型值非常低，僅為0.12 mW，可在+155 ℃ 高溫下連續(xù)工作。
2021-01-15 17:23:572386 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市
2021-10-25 14:16:292312 
的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)
2021-11-26 15:22:502814 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:512151 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:292040 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:302567 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出
2022-08-26 11:01:071847 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:552258 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453724 線性模式下的功率 MOSFET-AN50006
2023-02-09 21:42:07
12 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:211439 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:322086 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:541530 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:361310 東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款輸出耐壓為900 V（最小值）的車載光繼電器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封裝，非常適合400 V車載電池應(yīng)用。現(xiàn)已開始批量供貨。
2024-11-12 11:52:231087 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
近年來，隨著汽車電子化的快速發(fā)展和電動汽車銷量的持續(xù)攀升，車載MOSFET市場增長迅速。在功率半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步的推動下，車載MOSFET性能持續(xù)提升，器件的功率密度和可靠性越來越高，功耗也越來越低，為電動汽車的發(fā)展提供了強大動力。
2024-12-02 09:57:141396 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出東芝首批面向車載應(yīng)用的4通道高速標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器產(chǎn)品線——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1
2025-02-27 17:38:151051 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上，并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。
2025-03-13 18:08:161279 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
隨著汽車電子化、智能化進(jìn)程不斷加速，車載系統(tǒng)對元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。在此背景下，東芝推出DFN2020B（WF）封裝，在2.0mm×2.0mm的小型體積下，實現(xiàn)了1.84W的高耗散功率，為車載功率器件提供了高密度集成與熱性能優(yōu)化的雙重解決方案。
2025-06-16 17:50:31901 
。同時，東芝還研發(fā)了半超結(jié)[4]肖特基勢壘二極管(SJ-SBD)，有效解決了高溫下導(dǎo)通電阻增大的問題。這兩項技術(shù)突破有望顯著提升功率轉(zhuǎn)換器件的可靠性與效率，尤其在電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域。
2025-06-20 14:18:50957 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出一款車載光繼電器[1]“TLX9165T”，其采用10引腳SO16L-T封裝，支持輸出耐壓1800V（最小值）的高壓車載電池。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2025-07-18 14:14:231039 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出一款采用小型SO12L-T封裝的車載光繼電器[1]“TLX9161T”，該產(chǎn)品輸出耐壓可達(dá)1500V（最小值），可滿足高壓車載電池應(yīng)用所需。新產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2025-08-29 18:08:331236 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
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