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功率半導(dǎo)體公司GaN Systems宣布，參加IEEE國(guó)際電力電子與應(yīng)用會(huì)議和博覽會(huì)（PEAC）的細(xì)節(jié)。該國(guó)際活動(dòng)專(zhuān)注于電力電子、能源轉(zhuǎn)換和應(yīng)用，將于2018年11月4-7日在中國(guó)深圳舉辦。
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GaN Systems將在會(huì)議上宣布和展示新產(chǎn)品和設(shè)計(jì)工具，并將提供客戶(hù)演示。來(lái)自GaN Systems的代表將在會(huì)議期間舉辦兩場(chǎng)行業(yè)會(huì)議和一場(chǎng)輔導(dǎo)課。此外，GaN Systems贊助的GaN Systems杯挑戰(zhàn)設(shè)計(jì)競(jìng)賽將在PEAC的頒獎(jiǎng)典禮上宣布獲獎(jiǎng)?wù)摺?/div>
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解決方案和設(shè)計(jì)工具
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在PEAC上，GaN Systems將推出新產(chǎn)品和設(shè)計(jì)工具，包括：
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?新GS-065低電流（4A至11A）GaN Systems產(chǎn)品線，該產(chǎn)品線結(jié)合EZDriveTM電路，消除了對(duì)分立或集成驅(qū)動(dòng)器的需求，使之易于實(shí)現(xiàn)并降低系統(tǒng)成本。這種1kW以下的電源解決方案非常適合許多應(yīng)用，包括游戲和工作站筆記本電腦AC適配器、電視電源、LED照明和無(wú)線電源系統(tǒng)。
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?新的50W無(wú)線功率放大器擴(kuò)展了GaN Systems適用于無(wú)線功率傳輸和充電應(yīng)用的解決方案，包括100 W功率放大器和300 W功率放大器產(chǎn)品。新的功率放大器的目標(biāo)是消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的低功率應(yīng)用，如手持電子產(chǎn)品、電動(dòng)工具、玩具、家用、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和滑板車(chē)。
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?用于三相牽引逆變器和單相T型三電平逆變器設(shè)計(jì)的兩個(gè)新的PLECS?仿真模型將在GaN Systems的電路仿真工具上提供。這個(gè)平臺(tái)有助于電源設(shè)計(jì)人員快速和容易地調(diào)整參數(shù)，以適應(yīng)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)，并實(shí)時(shí)看到結(jié)果。
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GaN Systems戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)副總裁Paul Wiener表示：“我們不斷傾聽(tīng)客戶(hù)意見(jiàn)，并提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案，無(wú)論他們是在創(chuàng)造高頻無(wú)線產(chǎn)品，還是最大化電力系統(tǒng)的輸出。擁有合適的工具和資源才能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，提高系統(tǒng)性能?！?/div>
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GaN Systems提供全面的解決方案，包括100 V和650 V產(chǎn)品范圍，以及大量的設(shè)計(jì)資源，幫助消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車(chē)行業(yè)的公司充分利用GaN的尺寸、重量、功率和系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)。
| 日期 | 時(shí)間 | 地點(diǎn) | 演講者 | 主題 |
| 2018年11月4日 | 13:45-17:15 | T8 | Juncheng （Lucas）Lu，GaN Systems | GaN HEMT在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中的機(jī)會(huì)和設(shè)計(jì)考量指南 |
| 2018年11月7日 | 8:30-9:00 | IS7.8.1 | Leyang Yang，GaN Systems | 采用GaN的高功率密度適配器 |
| 2018年11月7日 | 9:00-9:30 | IS7.7.2 | Tiefeng Shi，GaN Systems | 采用GaN的高效無(wú)線電源 |
GaN Systems杯
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GaN Systems再次贊助著名的中國(guó)電源協(xié)會(huì)（CPSS）設(shè)計(jì)競(jìng)賽?！癎aN Systems杯”目前正在進(jìn)行中，有許多來(lái)自中國(guó)各大學(xué)的頂尖的工程團(tuán)隊(duì)參與。獲獎(jiǎng)隊(duì)伍將于2018年11月4日在PEAC舉行的頒獎(jiǎng)典禮上宣布。“GaN Systems系統(tǒng)杯不斷促進(jìn)和激勵(lì)著利用GaN晶體管優(yōu)勢(shì)的電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。
欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)gansystems.com/peac2018或在PEAC上了解GaN Systems。
- GaN Systems(1278)
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的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
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GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)
，而Sandeep則對(duì)GaN表示：“由制造商來(lái)定義測(cè)試。”氮化鎵系統(tǒng)像TI一樣，GaN Systems也在模擬嚴(yán)酷條件下進(jìn)行應(yīng)力測(cè)試以驗(yàn)證GaN產(chǎn)品并找到失效機(jī)制的價(jià)值。GaN Systems已經(jīng)找到
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GaN HEMT在電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設(shè)計(jì)得更緊湊快速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機(jī)運(yùn)行高頻操作，限制輸出電流波動(dòng)，減小濾波器元件尺寸降低開(kāi)關(guān)功耗，限制功率損失，提供
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，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
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GaN可靠性的測(cè)試
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GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
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寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
應(yīng)用。這可能是因?yàn)閿?shù)字化控制的靈活性較好，能夠讓設(shè)計(jì)人員精確控制開(kāi)關(guān)波形。也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點(diǎn)的多個(gè)控制回路和保護(hù)電路。我認(rèn)為，“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”的含義比我上述
2018-08-30 15:05:41
GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
提供多個(gè)控制環(huán)路和保護(hù)電路，而這些控制環(huán)路與保護(hù)電路能夠管理所有GaN的缺陷和不足。對(duì)我而言，“GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”大體涵蓋了上面提到的內(nèi)容，此外，這句話也意味著數(shù)字電源也為GaN
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2019-06-26 06:14:34
Leadway GaN系列模塊的功率密度
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GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
PMP21440提供GaN與SI使用情況的對(duì)比研究
描述該參考設(shè)計(jì)為客戶(hù)提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對(duì)比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) CSD87381（對(duì)于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可提供最佳功率和線性度。
SGK5872-20A
類(lèi)別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
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近日，慣性傳感器模塊制造商XSENS宣布，隨著該公司推出新款兼容RTK的慣導(dǎo)產(chǎn)品，新一代高性?xún)r(jià)比的慣性傳感器產(chǎn)品將具備厘米級(jí)定位能力。 基于常規(guī)衛(wèi)星定位信號(hào)使用RTK（實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)定位）擴(kuò)展功能
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半導(dǎo)體在2018年TECHNO-FRONTIER展會(huì)上展示最新的智能工業(yè)解決方案意法半導(dǎo)體傳感器通過(guò)阿里IoT驗(yàn)證，助力設(shè)備廠商更快推出新產(chǎn)品意法半導(dǎo)體推出專(zhuān)業(yè)MEMS 開(kāi)發(fā)工具 實(shí)現(xiàn)MEMS 傳感可視化開(kāi)發(fā)工具 實(shí)現(xiàn)MEMS 傳感可視化`
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2020-11-27 16:30:52
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2021-08-31 06:48:41
在GaN解決方案門(mén)戶(hù)上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合
解決方案來(lái)簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì)，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門(mén)戶(hù)上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類(lèi)博文更多充電類(lèi)產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
基于GaN的開(kāi)關(guān)器件
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
如何正確理解GaN？
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來(lái)到，您將它們放入板中。您打開(kāi)電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒(méi)有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō)，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的必要性討論
在基于GaN的設(shè)計(jì)中都很關(guān)鍵。監(jiān)視時(shí)間和溫度范圍內(nèi)趨勢(shì)變化的實(shí)時(shí)信息能夠?yàn)槲覀?b class="flag-6" style="color: red">提供更好的GaN FET退化信息，并使我們對(duì)于更加智能器件和控制器產(chǎn)品的需求有深入的理解。 參考文獻(xiàn)Kollman
2019-07-12 12:56:17
應(yīng)用GaN技術(shù)克服無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施容量挑戰(zhàn)
需求，越來(lái)越多的功率放大器供應(yīng)商已經(jīng)開(kāi)始擴(kuò)大產(chǎn)品范圍，將GaN產(chǎn)品納入其中。需要記住的是，無(wú)線基站中使用的功率放大器必須符合惡劣條件下的高性能、高效率、高可靠性要求。每一次網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)容都會(huì)對(duì)性能和功效提出新
2018-12-05 15:18:26
未找到GaN器件
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開(kāi)關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)硅MOSFET產(chǎn)品?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開(kāi)關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
求助，是否有關(guān)于GaN放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息
是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說(shuō)“專(zhuān)為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，最大功率達(dá)到1500W（工作頻率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外，部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品，目前
2019-04-13 22:28:48
非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)？
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識(shí)。什么是非線性GaN 模型？對(duì)許多工程師來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號(hào)
2018-08-04 14:55:07
The MathWorks推出新產(chǎn)品Simulink PLC
The MathWorks推出新產(chǎn)品Simulink PLC Coder
The MathWorks 近日發(fā)布了新產(chǎn)品Simulink PLC Coder，可為可編程邏輯控制器 (PLC) 和可編程自動(dòng)化控制器 (PAC) 設(shè)備生成 IE
2010-03-22 12:10:39863
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Jupiter Systems推出新的先進(jìn)產(chǎn)品Warp/Blend Node
Jupiter Systems日前宣布推出新的先進(jìn)產(chǎn)品Warp/Blend Node。此次最新推出Warp/Blend Node是對(duì)早前Jupiter已經(jīng)在華推出的獲獎(jiǎng)的PixelNet分布式顯示墻系統(tǒng)的一個(gè)補(bǔ)充
2011-04-18 10:48:391313
1313使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3
松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212767
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全球領(lǐng)先的GaN RF供應(yīng)商如何煉成？Qorvo的GaN優(yōu)勢(shì)圖解
Qorvo 是全球領(lǐng)先的GaN RF 供應(yīng)商，自1999 年起就一直在推動(dòng)GaN 研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。
2018-05-18 10:32:002535
2535Empower RF推出固態(tài)GaN系統(tǒng)放大器
Empower RF Systems公司近期推出了一款單波段固態(tài)氮化鎵（GaN）系統(tǒng)放大器。
2018-10-15 10:01:384873
4873ADI設(shè)計(jì)工具： 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和產(chǎn)品選型過(guò)程
借助ADI設(shè)計(jì)工具，您將能輕松而準(zhǔn)確地找到最適合設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。 這些工具可簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì)和產(chǎn)品選型過(guò)程，并提供仿真結(jié)果以揭示實(shí)際性能。
2019-07-17 06:16:002901
2901回顧GaN Systems公司與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及的相關(guān)事件
“GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領(lǐng)域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產(chǎn)品領(lǐng)域是多么重要。此次能夠與業(yè)界知名的技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)軍企業(yè)羅姆共筑合作體制，我感到非常高興。通過(guò)兩家公司專(zhuān)業(yè)知識(shí)
2019-08-22 08:49:473976
3976GaN Systems即將要推出1美元以下的GaN晶體管？
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081
1081Cadence推出創(chuàng)新產(chǎn)品 顛覆未來(lái)芯片的設(shè)計(jì)工具
不久之前，Cadence 正式推出了創(chuàng)新產(chǎn)品 Cerebrus，一款完全基于機(jī)器學(xué)習(xí)的革命性智能芯片設(shè)計(jì)工具，可以擴(kuò)展數(shù)字芯片設(shè)計(jì)流程并實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。 大家對(duì)使用傳統(tǒng) EDA 工具的設(shè)計(jì)流程已經(jīng)
2021-09-02 15:33:465654
5654GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)
氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過(guò)加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對(duì)凈零排放挑戰(zhàn)，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。
2021-12-21 13:54:03839
839通過(guò)硅和GaN實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過(guò)使用 GaN 技術(shù)，新設(shè)備可以處理更多功率，同時(shí)優(yōu)化其效率。ST 強(qiáng)調(diào)了將 GaN 與驅(qū)動(dòng)器集成如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00887
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電源設(shè)計(jì)中嘗試使用GaN晶體管
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235
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什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216118
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GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺(tái) 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶(hù)在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32968
968GaN Systems 第四代氮化鎵平臺(tái)概述
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:521104
1104英飛凌科技完成對(duì)GaN Systems Inc.的收購(gòu)
英飛凌科技集團(tuán)今天宣布，對(duì)GaN Systems Inc.的收購(gòu)已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專(zhuān)業(yè)知識(shí)。已獲得所有必要的監(jiān)管批準(zhǔn)，截至
2023-10-25 14:51:131525
1525號(hào)稱(chēng)“氮化鎵龍頭企業(yè)”，英飛凌完成 8.3 億美元收購(gòu) GaN Systems 公司
渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門(mén)審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專(zhuān)家和超過(guò) 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專(zhuān)利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:521116
1116安世半導(dǎo)體宣布推出新款GaN FET器件
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650
1650CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中，無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這些器件不僅能效高，還致力于推動(dòng)電子器件的環(huán)保發(fā)展。
2024-06-05 11:25:341442
1442GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案
的新型快充充電器，GaN功率器件可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率，從而縮小充電器的體積和重量，并提高充電速度和安全性。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的GaN快充芯片U8607
2024-06-28 08:10:411331
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Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來(lái)在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011015
1015GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例
模型使用指南及示例.pdf 一、模型概述 ? 目的 ?：作為開(kāi)發(fā)輔助工具，確保首次設(shè)計(jì)成功，GaN Systems?提供了
2025-03-11 17:43:112142
2142
功率GaN的新趨勢(shì)：GaN BDS
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開(kāi)關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開(kāi)關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348
1348- 設(shè)計(jì)技術(shù)
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術(shù)
- 測(cè)量?jī)x表
- 嵌入式技術(shù)
- 制造/封裝
- 模擬技術(shù)
- RF/無(wú)線
- 接口/總線/驅(qū)動(dòng)
- 處理器/DSP
- EDA/IC設(shè)計(jì)
- 存儲(chǔ)技術(shù)
- 光電顯示
- EMC/EMI設(shè)計(jì)
- 連接器
- 行業(yè)應(yīng)用
- LEDs
- 汽車(chē)電子
- 音視頻及家電
- 通信網(wǎng)絡(luò)
- 醫(yī)療電子
- 人工智能
- 虛擬現(xiàn)實(shí)
- 可穿戴設(shè)備
- 機(jī)器人
- 安全設(shè)備/系統(tǒng)
- 軍用/航空電子
- 移動(dòng)通信
- 工業(yè)控制
- 便攜設(shè)備
- 觸控感測(cè)
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