不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1（參見(jiàn)本系列文章的第二部分）所示的系統(tǒng)這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。

　　圖3：手表的高層次方框圖

　　一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個(gè)子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。

　　顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動(dòng)和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對(duì)顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái)，在固定時(shí)間T1后，背光會(huì)降至50%的占空比，又過(guò)了時(shí)間T2后，顯示屏?xí)耆P(guān)閉。這時(shí)即使是觸摸控制器也可被關(guān)閉或進(jìn)入斷電模式，具體取決于使用情境。這樣，設(shè)計(jì)人員就可繪制這個(gè)功能塊的電流曲線，進(jìn)而獲得典型電流。

　　無(wú)線控制器（如面向藍(lán)牙的控制器）通常是低功耗的。這種控制器能通過(guò)一定方式在高低功耗模式之間切換。無(wú)線控制器數(shù)據(jù)表中的典型數(shù)值是我們?cè)诓粚?duì)系統(tǒng)性能分析情況下能獲得的最貼近的功耗估算數(shù)據(jù)。不過(guò)我們要記住考慮到器件在不同電源模式之間的占空比。

　　傳感器電流主要取決于激勵(lì)電流和模擬前端（AFE）的功耗。賽普拉斯的PSoC 4等器件擁有ADC等內(nèi)置模擬功能和其它AFE組件，這就使得設(shè)計(jì)人員能通過(guò)固件命令給不同的功能塊動(dòng)態(tài)斷電。這種控制和精細(xì)粒度級(jí)別可進(jìn)一步提高低功耗設(shè)計(jì)的效率。

　　對(duì)涉及多控制器和多工作模式的復(fù)雜設(shè)計(jì)而言，在電源電路設(shè)計(jì)時(shí)要注意適應(yīng)不同的可控電源域。這樣，一個(gè)待機(jī)電源域上的單個(gè)控制器就能有效控制其它域。這種架構(gòu)或許成本會(huì)比較高，但卻能保持非常低的功耗。

　　在明確各個(gè)子部分后，可采用以下幾種方法對(duì)每個(gè)子部分進(jìn)行功耗優(yōu)化：

　　1. 關(guān)閉調(diào)節(jié)器以關(guān)閉整個(gè)子部分

　　2. 將不使用的外設(shè)進(jìn)行斷電

　　3. 使用微控制器的低功耗模式降低平均功耗

　　實(shí)現(xiàn)低功耗的最有效方法就是關(guān)閉用于向給定子部分供電的調(diào)節(jié)器。如果某個(gè)特殊的子部分不需要長(zhǎng)期可用，其功能不具備時(shí)間關(guān)鍵性，那么其調(diào)節(jié)器自身可被主機(jī)控制器控制。傳感器就是一個(gè)很好的子系統(tǒng)例子，當(dāng)系統(tǒng)不運(yùn)行時(shí)可將其關(guān)閉。唯一消耗的漏電流將會(huì)是調(diào)節(jié)器的電流。

　　如果不能將整個(gè)子部分?jǐn)嚯?，那么可考慮子部分的各個(gè)外設(shè)和組件。舉例來(lái)說(shuō)，在傳感器部分中，可能有些傳感器需要繼續(xù)測(cè)量，有些則不需要。假設(shè)有一個(gè)測(cè)量溫度的熱敏電阻、一個(gè)加速計(jì)和一個(gè)IR傳感器。加速計(jì)需要頻繁檢查是否有活動(dòng)情況，系統(tǒng)的其余部分需要據(jù)此實(shí)現(xiàn)喚醒。與此形成對(duì)比的是，溫度傳感器和IR傳感器大多數(shù)時(shí)間并不需要工作。下面讓我們談?wù)劅崦綦娮璧募?lì)（見(jiàn)圖4）。在本例中，無(wú)論是否進(jìn)行測(cè)量，電流都會(huì)通過(guò)熱敏電阻和參考電阻。

　　圖4：典型的熱敏電阻激勵(lì)電路

　　現(xiàn)在，如果如圖5所示修改熱敏電阻電路，那么當(dāng)傳感器不被采樣時(shí)就能避免電流消耗。

　　圖5：面向低功耗的熱敏電阻激勵(lì)

　　在本例中，引腳配置為強(qiáng)輸出模式（CMOS逆變器）。要測(cè)量傳感器輸出時(shí)就將引腳驅(qū)動(dòng)到低電平。這會(huì)使熱敏電阻通過(guò)NMOS晶體管連接到Vss。唯一需要考慮的額外電阻就是NMOS晶體管的導(dǎo)通電阻，該電阻基本非常低。當(dāng)不需要測(cè)量傳感器輸出時(shí)，則將引腳驅(qū)動(dòng)到高電平。這會(huì)使熱敏電阻連接到Vdd，從而實(shí)現(xiàn)傳感器電路上的電流為零。

　　由于加速計(jì)也不需要隨時(shí)被采樣，因此ADC和其它模擬組件（如運(yùn)算放大器或模擬信號(hào)鏈中的參考生成器）可在不需要檢測(cè)信號(hào)時(shí)進(jìn)行斷電。

　　采用SoC實(shí)現(xiàn)此電路時(shí)，還有許多其它方法來(lái)降低功耗，我們下面將加以介紹。設(shè)想一下圖3所示的系統(tǒng)，LCD控制器可進(jìn)入冬眠模式而主機(jī)處理器在感應(yīng)到I2C命令時(shí)可將其喚醒。在采用PSoC 4實(shí)現(xiàn)電路的情況下，功耗可低至20 nA。

　　同樣，如果傳感器子部分用低功耗模式實(shí)現(xiàn)且將關(guān)閉所有元件，則MCU可在有運(yùn)動(dòng)情況下用比較器中斷喚醒。加速計(jì)輸出可連接到比較器，確保只要一有運(yùn)動(dòng)就能喚醒器件，并觸發(fā)主機(jī)處理器的事件。

　　就基于SoC構(gòu)建的系統(tǒng)而言，還可采用其它技術(shù)來(lái)降低平均功耗。舉例來(lái)說(shuō)，所有外設(shè)的時(shí)鐘都可設(shè)定為最慢的時(shí)鐘頻率，由于動(dòng)態(tài)功耗與開(kāi)關(guān)頻率成正比，因此這么做就能節(jié)約耗電。再舉例來(lái)說(shuō)，SoC中的ADC的時(shí)鐘頻率通常應(yīng)與所需的采樣率成正比。如果ADC設(shè)置的采樣率高于實(shí)際的系統(tǒng)需求，那就會(huì)造成不必要的電池負(fù)載。

　　還有其它一些系統(tǒng)級(jí)技巧可用來(lái)降低整體功耗。舉例來(lái)說(shuō)，器件輸出可支持較低轉(zhuǎn)換率以降低輻射。不過(guò)，較低轉(zhuǎn)換率會(huì)導(dǎo)致FET的引腳驅(qū)動(dòng)級(jí)消耗更多電流，因?yàn)镻MOS和NMOS都會(huì)開(kāi)啟更長(zhǎng)的時(shí)間。根據(jù)系統(tǒng)允許的輻射量，引腳的轉(zhuǎn)換率高低可進(jìn)行調(diào)節(jié)設(shè)置。

　　我們選擇的器件如果能提供多種電源模式，而且能實(shí)現(xiàn)較高集成度，并對(duì)SoC的電源狀態(tài)實(shí)現(xiàn)較好控制，這就能簡(jiǎn)化低功耗系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)過(guò)程。根據(jù)應(yīng)用的不同，我們可有效利用不同的電源模式來(lái)確保較低的平均電流。雖然時(shí)鐘頻率較高會(huì)導(dǎo)致高功耗，但CPU暫時(shí)高頻工作隨后能更快地讓器件返回休眠狀態(tài)，這其實(shí)有助于實(shí)現(xiàn)更低的平均功耗。開(kāi)發(fā)人員應(yīng)考慮整體系統(tǒng)，盡可能避免出現(xiàn)漏電流路徑。