數(shù)字世界之所以存在，是因為我們可以輕松地創(chuàng)建、交換、存儲、檢索和操作二進制信息。如果電子產(chǎn)品仍然完全依賴模擬數(shù)據(jù)，那就不那么先進了；行業(yè)還沒有創(chuàng)造一種方法來可靠地存儲原始形式的模擬數(shù)據(jù)，至少沒有一種能夠與數(shù)字存儲的密度和耐久性相當?shù)姆绞剑以谖磥硪膊惶赡茉谶@個方向上投入太多的精力。雖然這需要將信息在數(shù)字和模擬間相互轉(zhuǎn)換，但數(shù)字數(shù)據(jù)的可重復性使得這負擔很小。

從根本上講，數(shù)字存儲數(shù)據(jù)所采用的技術(shù)具有一個可分解的誤差幅度。在半導體中，這通常涉及存儲必須在相對較大的窗口內(nèi)的電荷；電路檢測電荷，并且每個邏輯電平的預定義上限和下限內(nèi)的任何內(nèi)容都被譯為邏輯0或邏輯1。正是由于電荷存儲的變化，使得模擬值難以準確存儲。

對于可擦除的、非易失性的存儲，業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進行了標準化：Flash和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢。隨著我們向前邁進，很明顯，這些優(yōu)勢正越來越適用于未來的技術(shù)。

Rear Dimming Light（RDL）：調(diào)光尾燈（RDL）

Anti Lock Braking / Active Suspension：防抱死系統(tǒng) / 主動懸架

SPI / I2C EEPROM：串行外設(shè)接口（SPI） / I2C EEPROM

Power Doors Keyless Entry：電動車門無匙進入

Electronic Power Steering（PAS）：電動助力轉(zhuǎn)向（PAS）

Gasoline/Diesel Direct Injection / Hybrid Eco-converter/Transmission：汽油 / 柴油直噴 / 油電混合動力轉(zhuǎn)換器 / 變速箱

Auto Grade 1 EEPROM：汽車1級EEPROM

Side vide camera：側(cè)視攝像機

ADAS：先進駕駛輔助系統(tǒng)

Bluetooth Antenna：藍牙天線

Engine Control Unit：發(fā)動機控制單元

HVAC：汽車空調(diào)

Infotainment / Navigation：信息娛樂 / 導航

Rear View Mirror：后視鏡

Backup display：倒車顯示

Body Control Module：車身控制模塊

Rear Camera：后視攝像機

圖1：EEPROM支持現(xiàn)代汽車中廣泛的功能

制造記憶

Flash內(nèi)存的主導地位在很大程度上要歸功于消費領(lǐng)域的多媒體應(yīng)用，這是非常適合的。該應(yīng)用的主要要求是密度、性能和成本，F(xiàn)lash技術(shù)非常善于平衡以滿足市場需求。例如，具有32 Gbit密度的NOR Flash器件采用8引腳SMD封裝，這似乎滿足了許多應(yīng)用需求。但與EEPROM相比，F(xiàn)lash技術(shù)也存在一些缺點。

首先，EEPROM被認為比Flash更耐用，或讀寫次數(shù)更多。數(shù)據(jù)保存也很重要，在這方面，EEPROM也很出色。在消費應(yīng)用中，耐用性和保存能力都不太重要，因為消費者是Flash內(nèi)存使用方式的主要決定因素。在其他行業(yè)，內(nèi)存的使用方式大不相同，更高的耐用性和保存能力比密度和速度更重要，而這正是EEPROM技術(shù)可超越Flash的地方。

這種強固性通常以性能為代價；Flash傾向于比EEPROM更高的速度運行（讀、寫），但這也伴隨著訪問部分內(nèi)存的方式的條件。通常，F(xiàn)lash內(nèi)存以塊的形式尋址，而EEPROM通?？梢悦孔止?jié)的方式訪問。

所有這些特性在許多應(yīng)用領(lǐng)域都很重要，包括工業(yè)、醫(yī)療和汽車領(lǐng)域。事實上，當數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時，EEPROM將是首選。

圖2：在汽車應(yīng)用中，EEPROM比Flash有更多優(yōu)勢

在汽車應(yīng)用中使用EEPROM的原因

汽車市場對所有電子元器件的一個基本要求是符合汽車電子協(xié)會（通常縮寫為AECQ）制定的標準。這些標準涵蓋了應(yīng)力測試的許多方面，尤其是工作溫度范圍。對于大多數(shù)用于汽車應(yīng)用的半導體器件，特別是如果它們位于發(fā)動機艙內(nèi)，最低要求是汽車1級。這表明，器件在-40°C至125°C的環(huán)境工作溫度范圍內(nèi)應(yīng)正常工作而不發(fā)生故障。閃存的制造商通常達到汽車3級（-40°C至85°C）或2級（-40°C至105°C），而很少有符合汽車1級標準的。

由于使用的半導體工藝，EEPROM更適合在更寬的溫度范圍內(nèi)可靠地工作，如安森美半導體的NV250x0LV，不僅滿足1級溫度要求，而且還可以在1.7V的電源電壓下（這比其他EEPROM器件要低得多）工作。由于汽車市場新興的趨勢，這一點很重要。

此外，安森美半導體成功地開發(fā)了行業(yè)唯一的EEPROM，以滿足定義為汽車0級的環(huán)境工作溫度范圍：-40°C至150°C。這一點具有重要意義，因為其他參數(shù)被定義的方式。

圖3：0級和1級EEPROM正在啟用新的功能

汽車應(yīng)用的新趨勢

如上所述，NV25080（8 Kbit）、NV25160（16 Kbit）、NV25320（32 Kbit）和NV2564（64 Kbit）是當今行業(yè)唯一真正的汽車0級串行EEPROM，這一點非常重要，因為汽車市場新興的趨勢。

制造商現(xiàn)在使用EEPROM來存儲配置和校準數(shù)據(jù)，以滿足更廣泛的駕駛功能。隨著汽車更自動化，這些功能在發(fā)展且更為安全至上。對于安全至上的應(yīng)用，符合汽車1級是不夠的，制造商需要真正的汽車0級器件。安森美半導體的汽車0級EEPROM已被開發(fā)，以提供高水平的耐用性和保存能力，這是相輔相成的，和依賴于基礎(chǔ)的工藝技術(shù)。通過開發(fā)一個提供真正的汽車0級的工藝，EEPROM能夠提供400萬次讀/寫周期的耐用性，保存200年。這些數(shù)字在25℃的環(huán)境溫度下獨立測試，在150℃時，0級非易失性（NV）系列仍提供30萬次讀/寫周期，保存時間200年。沒有其他半導體制造商發(fā)布的數(shù)據(jù)與這種耐用性和數(shù)據(jù)保存水平相匹配。

如前所述，許多汽車應(yīng)用現(xiàn)在使用EEPROM存儲少量的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)在正常運行期間可能會被多次覆蓋。它還被用于存儲諸如傳輸控制單元和發(fā)動機控制單元等應(yīng)用中的固件，以及前照燈單元的數(shù)據(jù)校準。為了進一步提高可靠性，安森美半導體的NV EEPROM還具有糾錯碼，可檢測單比特故障，并校正1字節(jié)數(shù)據(jù)中的1位。

顯然，高水平的耐用性正越來越重要，但同樣重要的是要認識到，許多這些新特性必須適用于現(xiàn)有的方案，因此尺寸和功率也是一個因素。安森美半導體的汽車EEPROM系列采用小外形封裝，包括UDFN-8和CSP，以及SOIC-8和TSSOP-8。其中許多封裝裝還支持可潤濕側(cè)翼，支持在生產(chǎn)流程中進行自動光學檢查。

總結(jié)

在汽車應(yīng)用中，耐久性和保存能力越來越重要，EEPROM比其他形式的非易失性存儲器提供更高的可靠性。隨著汽車制造商實施更多的駕駛員輔助功能和開發(fā)安全至上的要素，提供高度可靠的EEPROM正在成為支持下一代功能的基礎(chǔ)。

憑借一系列廣泛的方案，包括低壓1級和真正的0級EEPROM，安森美半導體完全能夠滿足原始設(shè)備制造商（OEM）和一級供應(yīng)商的需求。