英特爾(Intel)持續(xù)全力扶植大陸供應(yīng)鏈,不僅攜手大陸相關(guān)業(yè)者搶攻全球IT市場,根據(jù)英特爾最新計劃,將在年度重頭戲IDF展會前夕舉行中美創(chuàng)新高峰論壇,聚焦物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,揭露英特爾與大陸供應(yīng)鏈業(yè)者海康威視、大華科技、升騰資訊、深信服科技等最新戰(zhàn)略。
2015-07-07 09:48:15
1100 后來進(jìn)入10nm級,Intel在制程工藝層面一騎絕塵,領(lǐng)先三星和臺積電一代以上。不過,Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上,畢竟作為芯片一哥,需求量驚人,另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04
1155 在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時,選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:28
3483 制造、設(shè)計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件級
2023-06-21 17:36:32
13702 
NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:21
4056 
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
2025-03-25 11:44:24
2592 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
Hittite推出業(yè)界領(lǐng)先的商業(yè)DRO產(chǎn)品線
2019-09-11 06:01:58
,三星電子和東芝(Toshiba)分別處于技術(shù)領(lǐng)先的地位,美光和英特爾(Intel)的IM Flash是在2009年正式量產(chǎn)34奈米制程技術(shù)后,才一舉追趕過競爭對手,勇奪NAND Flash市場技術(shù)領(lǐng)先
2022-01-22 08:05:39
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表,斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI(高達(dá)x4)和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是,如果它支持NAND閃存,我不太清楚嗎?我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺,我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
BSIMProPlus?是業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件SPICE建模平臺,在其產(chǎn)品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,被全球一百多家領(lǐng)先的集成電路制造和設(shè)計公司作為標(biāo)準(zhǔn)SPICE
2020-07-01 09:36:55
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品,包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī),樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
Altera和賽靈思20年來都在FPGA這個窄眾市場激烈的競爭者,然而Peter Larson基于對兩個公司現(xiàn)金流折現(xiàn)法的研究表明,賽靈思是目前FPGA市場的絕對領(lǐng)先者。
2019-09-02 06:04:21
電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
分類
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年,東芝公司
2025-07-03 14:33:09
全球領(lǐng)先的傳感器供應(yīng)商InvenSense(INVN)7日宣布收購法國運(yùn)動處理技術(shù)公司Movea,旨在通過此次收購在運(yùn)動傳感器和聯(lián)網(wǎng)式(GPS/WIF)數(shù)據(jù)追蹤技術(shù)方面得以提升,此項收購的規(guī)模為8100萬美元,其中現(xiàn)金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
科技積極引進(jìn)國內(nèi)先進(jìn)技術(shù),擁有多項核心技術(shù),在行業(yè)競爭中具有明顯的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。在積極利用自身優(yōu)勢進(jìn)行科研開發(fā)工作的同時,華德利科技還與武漢多所高校建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系,研發(fā)實力進(jìn)一步增強(qiáng)。 為激發(fā)研發(fā)
2013-09-16 14:38:40
全球新車市場需求的近35%。今天,人們對于車載連接集成的關(guān)注度也正在急速升溫。互聯(lián)汽車的核心理念在于利用半導(dǎo)體芯片實現(xiàn)連通性。隨著技術(shù)的不斷革新,分析師預(yù)測到2020年每輛車上的芯片數(shù)量將接近1,000個。下面讓我們來更加深入地了解促進(jìn)車聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的各種領(lǐng)先技術(shù)。
2019-07-10 07:14:30
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr?我走對路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性,您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺,由于速度需求,不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間, NAND的市場復(fù)合年增長率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面,內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù),讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
日前,美容科技發(fā)達(dá),祛斑的方法各色各樣,王者風(fēng)范在祛斑界的效果已經(jīng)是遙遙領(lǐng)先了,那么,南寧OPT王者風(fēng)范祛斑的原理是什么?下面我們就有請南寧整形醫(yī)院專家給我們介紹。王者風(fēng)范祛斑的原理是利用光能被皮膚
2012-10-10 10:26:08
系統(tǒng)工程師是如何借助SDR平臺領(lǐng)先一大步的?
2021-05-21 06:32:20
`在2015年北京中關(guān)村智能硬件創(chuàng)業(yè)節(jié)上,藍(lán)宙電子與全球領(lǐng)先的開源軟硬件平臺Arduino達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 藍(lán)宙電子正式成為Arduino官方授權(quán)的中國區(qū)域代理商,標(biāo)志著藍(lán)宙電子正式成為國內(nèi)
2016-04-08 13:32:25
第七章 克服關(guān)鍵組織障礙第八章 寓執(zhí)行于戰(zhàn)略第九章 結(jié)論:藍(lán)海戰(zhàn)略的可持續(xù)性與更新附錄A 藍(lán)海戰(zhàn)略案例縱覽附錄B 價值創(chuàng)新:戰(zhàn)略的結(jié)構(gòu)再造觀點(diǎn)附錄C 價值創(chuàng)新的市場動態(tài)分析
2008-07-03 14:48:07
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器,主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年
2010-08-30 15:48:01
183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29
112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了
2006-04-17 20:48:52
4120 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:23
1522 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06
1236 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:37
1266 集線器網(wǎng)絡(luò)移動通信交換解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 MACH 今天公布新戰(zhàn)略
盧森堡2009年10月15日電 -- 旨在簡化并加快移動通信供應(yīng)鏈創(chuàng)建和運(yùn)行的解決方案領(lǐng)先供
2009-10-15 16:48:21
1097 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12
1155 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:51
1566 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預(yù)計今年晚
2010-03-23 11:58:41
777 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
1244 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存,這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09
890 東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略(圖1)。東芝計劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實力,應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的
2011-09-23 09:27:58
2047 
意法半導(dǎo)體(ST)將于2012年12月10日公布新戰(zhàn)略計劃 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將于2012年12月10日
2012-12-06 09:26:33
846 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今天宣布推出一個新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。
2013-12-31 10:57:20
1047 11月17日,國家射頻識別(RFID)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)在上海召開發(fā)布會,會上發(fā)布了國家射頻識別產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)容覆蓋協(xié)議符合性、性能性、可靠性、環(huán)境適應(yīng)性、電磁兼容性及安全性六大方面,將進(jìn)一步推動射頻識別技術(shù)的民用化進(jìn)程。
2016-11-21 11:27:11
1362 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元(MLC)閃存技術(shù)與美光的DRAM
2017-04-20 17:33:52
4345 過去幾年由于PC從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為閃存盤,智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品不斷提升閃存容量,導(dǎo)致全球市場對NAND flash的需求大幅增長,這推動了全球NAND flash的價格持續(xù)上漲。作為全球最大
2018-05-31 12:10:00
1612 DVEVM可以啟動或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟連續(xù)五年被科技部評為“高活躍度聯(lián)盟”
2018-07-05 15:31:36
4160 至少2年時間,Intel、美光去年才推出3D NAND閃存,Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD,不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同,堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39
780 NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲
2018-11-23 08:45:28
12700 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
2506 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
6335 
根據(jù)江蘇省科技廳《關(guān)于公布2017年度江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟績效評價結(jié)果的通知》(蘇科高發(fā)【2018】378號),江蘇省集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟被評定為A類聯(lián)盟。
2018-12-29 15:33:33
6373 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01
629 雖然Intel的NAND閃存業(yè)務(wù)在全球6大原廠中規(guī)模是最小的,但是Intel強(qiáng)項在于先進(jìn)技術(shù),2015年底領(lǐng)先其他廠商推出了革命性的3D XPoint存儲芯片,這種存儲芯片不同于DRAM及NAND閃存,用途廣泛。
2019-05-14 08:42:09
2623 工業(yè)和信息化部通信科技委常務(wù)副主任韋樂平發(fā)表了題為《網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)先是實現(xiàn)國家5G戰(zhàn)略的基石》的主題演講。
2019-07-18 16:33:41
3120 四級單元(QLC)NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域,它可幫助降低價格,低于目前領(lǐng)先的三級單元(TLC)NAND。四級單元應(yīng)該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地位,盡管有人預(yù)測,存儲級內(nèi)存(SCM)和持久內(nèi)存技術(shù)最終將取代NAND。SCM和持久內(nèi)存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價格和性能差距。
2020-03-06 15:50:00
4128 在過去50年的歷史中,AMD絕大多數(shù)時候都會在CPU工藝上落后Intel一兩代,不是AMD不努力,而是Intel實在是太強(qiáng)了,這二十多年來一直都擁有地球上最先進(jìn)的制程工藝,官方之前還表態(tài)他們的制造工藝領(lǐng)先對手三年半,當(dāng)然說這話的時候是22nm之前的節(jié)點(diǎn)了。
2019-12-14 09:30:43
4573 成本領(lǐng)先戰(zhàn)略和產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略均能夠通過提升顧客價值而提升企業(yè)的競爭力。成本領(lǐng)先戰(zhàn)略將成本降到低于其他競爭對手的水平來贏得競爭優(yōu)勢,而憑借產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略,企業(yè)能夠提升客戶對本企業(yè)產(chǎn)品或服務(wù)價值的認(rèn)知
2019-12-18 14:54:50
14 任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00
1103 
根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:49
5929 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:45
14823 據(jù)悉,美國國防部近日公布了一項新戰(zhàn)略,以推動對安全和具有彈性的5G網(wǎng)絡(luò)的采用,并保持領(lǐng)先于潛在對手。
2020-05-27 15:52:03
1418 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:03
16738 
最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:10
21165 通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
1284 
我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
8552 據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
3038 作價 90 億美元,Intel 又賣出了旗下的一個重要業(yè)務(wù)。這個業(yè)務(wù),就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:57
2316 前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:32
1877 前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:42
1454 據(jù)報道,第三季度財報優(yōu)于市場預(yù)期的SK海力士計劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào),決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務(wù),在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:42
2079 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:21
2920 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:55
3696 ,即使隔著屏幕也能感受到Intel撲面而來的“殺氣”。 此次Intel仍然發(fā)布了3D NAND產(chǎn)品,3款產(chǎn)品中有2款都拿到一個“業(yè)界第一”,即便是其閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士,其閃存產(chǎn)品性能依然風(fēng)騷“不減”。 在傲騰業(yè)務(wù)方面,Intel公司執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)平臺事業(yè)部總經(jīng)理Navin She
2020-12-17 14:09:37
2354 近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:39
2737 近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:34
3178 eMMC模塊因為是以NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計,他們也必須預(yù)見到同一系統(tǒng)隨著時間的推移必須應(yīng)對不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:04
2658 眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:37
3205 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:56
3783 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
3354 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:24
16 在NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:11
2256 
在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:43
3434 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4222 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:00
3694 這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年,NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度,以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:34
3462 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:35
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據(jù)最新報道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35
1207 ONFI 由100多家制造、設(shè)計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組,其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計算平臺以及其他需要大容量固態(tài)存儲的應(yīng)用程序中的過程。
2024-04-03 12:26:24
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全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著美光成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力,更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:46
1251 NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:19
13058 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù),它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:27
7987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進(jìn)步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:58
3368 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,存儲技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲解決方案也在不斷進(jìn)步,以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。EMMC(嵌入式多媒體卡)和NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲技術(shù),它們在
2024-12-25 09:37:20
4674 NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:14
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