若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工業(yè)者著眼于應用廣泛、無所不包的物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 市場對低功耗、低成本組件需求而推出的各種中低階制程技術(shù)選項，也是產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注焦點。

例如晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)的16與12奈米FFC (FinFET Compact Technology)、22奈米超低功耗(ULP)、28奈米HPC/HPC+，以及40奈米ULP、55奈米ULP與低功耗(LP) 等邏輯制程，還有英特爾(Intel)的22奈米低功耗FinFET (22FFL)制程、GlobalFoundries的28奈米HPP (High Performance Plus)/SLP (Super Low Power)、 22FDX制程，以及三星電子(Samsung)的28奈米FDSOI、LPP、LPH... 等等，都是適合廣泛物聯(lián)網(wǎng)應用市場需求特性的解決方案。

其中GlobalFoundries的FDX系列制程與Samsung的FD-SOI制程，與其他競爭方案之間的最大差異，就在于采用了無論是英文或中文讀來都十分拗口的「全空乏絕緣上覆硅」(Fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)技術(shù)；該技術(shù)早在2011年就由SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(SOI Industry Consortium)、意法半導體(ST)以及其研發(fā)伙伴IBM、GlobalFoundries、 三星等率先在業(yè)界推廣，號稱在28奈米與20 (22)奈米節(jié)點能達到由英特爾、臺積電等支持的新一代FinFET制程相當?shù)男阅?，但成本與風險更低。

FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢何在？

不同于FinFET制程采用的3D晶體管結(jié)構(gòu)，F(xiàn)D-SOI為平面制程；根據(jù)ST官網(wǎng)上的技術(shù)數(shù)據(jù)，F(xiàn)D-SOI有兩大主要創(chuàng)新：首先是采用了埋入氧化物(buried oxide，BOX)超薄絕緣層，放置于硅基板之上 ；接著將超薄的硅薄膜布署于晶體管信道，因為其超薄厚度，信道不需要摻雜(dope)，使晶體管能達到完全空乏。 以上兩種創(chuàng)新技術(shù)的結(jié)合全名為「超薄基體埋入氧化層全空乏絕緣上覆硅」(ultra-thin body and buried oxide FD-SOI，UTBB-FD-SOI)。

ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，F(xiàn)D-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流動， 大幅降低影響組件性能的泄漏電流(圖1)。 除了透過閘極，F(xiàn)D-SOI也能藉由極化(polarizing)組件底層基板來控制晶體管行為，類似于塊狀硅技術(shù)亦可實現(xiàn)的基體偏壓(body bias)。

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圖1：塊狀硅制程與FD-SOI制程晶體管結(jié)構(gòu)比較

不過塊狀硅技術(shù)的基體偏壓非常有限，因為寄生漏電流以及晶體管幾何尺寸縮減之后晶體管效率降低；而FD-SOI因為晶體管結(jié)構(gòu)以及超薄絕緣層，偏壓效率會更好。 此外，埋入氧化層也能實現(xiàn)更高的基體偏壓，達到對晶體管突破性的動態(tài)控制──當基板的極化為正向，也就是順向基體偏壓(FBB)，晶體管切換速度能加快，并因此能優(yōu)化組件性能與功耗。

根據(jù)ST的說法，F(xiàn)D-SOI能輕易實現(xiàn)FBB并在晶體管運作期間進行動態(tài)調(diào)節(jié)，為設(shè)計工程師提供高度彈性，特別是對省電性能與速度有高度要求、性能并非關(guān)鍵的組件，因此是物聯(lián)網(wǎng)或可攜式/穿戴式消費性電子裝置應用的理想解決方案。

市場研究機構(gòu)International Business Strategies (IBS)執(zhí)行長Handel Jones在2014年發(fā)表的一份報告中寫道：「同樣是100mm見方大小的芯片， 采用28奈米FD-SOI制程的成本比塊狀CMOS制程低3%，在20奈米節(jié)點則可以進一步低30%；這是因為帶來更高參數(shù)良率的同時，晶圓成本也更低；」此外FD-SOI制程裸晶的復雜度與塊狀CMOS制程比較，低了10%~12%。

Jones進一步表示：「更小的裸晶面積與更高的參數(shù)良率之結(jié)合，F(xiàn)D-SOI制程在20奈米節(jié)點的產(chǎn)品成本優(yōu)勢會比塊狀CMOS制程多20%；在28奈米節(jié)點，F(xiàn)D-SOI的性能則比20奈米塊狀CMOS高出15%。 」他并指出：「FD-SOI制程在高/低Vdd方面能提供比塊狀CMOS制程更高的能源效率等級(energy efficiency levels)；FD-SOI在位單元(bit cells)上的電源效率也高出塊狀CMOS， 這是因為較低的泄漏電流以及對α粒子更好的免疫力。 」

FD-SOI制程：西方冷、東方熱

不過盡管FD-SOI號稱有上述諸多優(yōu)勢，對于該制程的生產(chǎn)良率、專用晶圓片價格與供應來源穩(wěn)定性，還有大量生產(chǎn)確切時程、整體技術(shù)支持生態(tài)系統(tǒng)完整性，產(chǎn)業(yè)界仍有諸多疑慮；因此雖然FD-SOI在歐洲有ST、恩智浦(NXP) 等支持者，三星、GlobalFoundries等也分別積極推廣自家FD-SOI代工業(yè)務，該技術(shù)在市場的討論熱度與能見度一直偏低，特別是在西方。

時間來到2017年2月，GlobalFoundries宣布投資100億美元在中國大陸成都高新西區(qū)建立12吋晶圓廠(圖2)，2018年開始營運的第一期生產(chǎn)線會是轉(zhuǎn)移自該公司新加坡廠之為較成熟的180/130奈米制程， 第二期為轉(zhuǎn)移自其德國德勒斯登(Dresden)廠的22FDX FD-SOI制程生產(chǎn)線，預計2019年開始營運；此訊息在半導體產(chǎn)業(yè)界引起廣大回響，除了再次昭示了中國發(fā)展本土半導體產(chǎn)業(yè)鏈的企圖心，也代表FD-SOI制程的「 主戰(zhàn)線」將在中國點燃。

圖2：Globalfoundries在中國成都興建12吋廠Fab 11，預計2019年量產(chǎn)的第二階段生產(chǎn)線為22FDX FD-SOI制程

中國早在2015年就對FD-SOI技術(shù)表達了高度興趣；當時中國大陸IC設(shè)計服務業(yè)者芯原(VeriSilicon)執(zhí)行長戴偉民(Wayne Dai)在接受EE Times記者訪問時即表示， 與其不斷地在FinFET制程方面追趕臺積電或英特爾的腳步，他認為中國應該投資FD-SOI，并以該技術(shù)做為低功耗制程的替代方案。 此外上海新傲科技(Simgui)于2015年秋天開始量產(chǎn)首批8吋SOI晶圓片，采用與該公司策略伙伴、法國業(yè)者Soitec的Smart Cut制程技術(shù)。

還有一個由中國「大基金」成立的投資平臺，上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司(National Silicon Industry Group，NSIG)在2016年宣布收購14.5%的Soitec股權(quán)；晶圓代工業(yè)者上海華力微電子( Shanghai Huali Microelectronics Corp.) 在GlobalFoundries宣布成都廠投資計劃前，也透露了投資FD-SOI生產(chǎn)線的計劃，但并沒有具體時間表。 這些跡象在在顯示FD-SOI將會是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍圖的一部分，并可能讓這個迄今在西方世界市場稍嫌受到冷遇的技術(shù)，在東方市場發(fā)光發(fā)熱。

根據(jù)Globalfoundries產(chǎn)品管理資深副總裁Alain Mutricy在2017年5月接受EE Times采訪時的說法，該公司在成都投資設(shè)廠只是第一步，接下來還將在當?shù)亟D-SOI生態(tài)系統(tǒng)， 幫助中國無晶圓廠IC設(shè)計業(yè)者以及設(shè)計服務業(yè)者更容易取得所需的IP與工具。

物聯(lián)網(wǎng)制程戰(zhàn)火即將引爆

2017年9月底，在SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦的第五屆上海FD-SOI論壇上，發(fā)表專題演說的GlobalFoundries執(zhí)行長Sanjay Jha再次大力宣傳FD-SOI制程，并以22奈米──采用單次光罩最小節(jié)點，也是適合物聯(lián)網(wǎng) 、便攜設(shè)備等對成本/功耗敏感應用，預期將會是市場上的「長壽」節(jié)點──為基準，將該公司的22FDX制程以及英特爾22FFL制程、臺積電22ULP制程的性能比較(圖3)。

圖3：GlobalFoundries、臺積電與英特爾的22奈米制程性能比較

Jha在專題演說后接受EE Times China訪問時表示：「從成本上面來說，22奈米FinFET如果采用平面技術(shù)，制程步驟會多一些，制程控制的復雜度很高。 對于FDX，底層的基板成本可能會高一點。 確實很難模擬各自成本的結(jié)構(gòu)，但是考慮到我們在中國晶圓廠的建設(shè)投資以及規(guī)模產(chǎn)生的成本效應，從生產(chǎn)的成本來說，相較于英特爾的技術(shù)，可能略有優(yōu)勢。 」

在同一場論壇上，IBS執(zhí)行長Jones也進一步提出了FD-SOI制程的閘極成本(cost per gate)分析(圖4)，他指出，28奈米FD-SOI制程與28奈米高介電金屬閘極(HKMG)塊狀CMOS的閘極成本相當， 22奈米FD-SOI的閘極成本也仍具競爭力；而到了下一代的12奈米FD-SOI，因為所需光罩層數(shù)較少，閘極成本會比16奈米FinFET制程低22.4%，比10奈米FinFET低23.4%，比7奈米FinFET低27%， 而FD-SOI的低耗電表現(xiàn)當然也優(yōu)于FinFET。

圖4：FD-SOI與FinFET制程閘極成本比較

此外Jones也提出了各制程節(jié)點的軟硬件設(shè)計成本比較(圖5)，估計12奈米FD-SOI的設(shè)計成本在5,000至5,500萬美元之間，而16奈米FinFET設(shè)計成本在7,200萬美元左右， 10奈米FinFET設(shè)計成本在1.31億美元左右；因為設(shè)計成果的營收需要是成本的10倍，所以12奈米FD-SOI的潛在市場規(guī)模(TAM)會比16奈米與10奈米FinFET更大。

圖5：各制程節(jié)點設(shè)計成本比較

綜合FD-SOI低功耗、易于整合RF等特性與成本上的優(yōu)勢，GlobalFoundries將行動裝置、物聯(lián)網(wǎng)、無線通信(5G/LTE/Wi-Fi)，以及汽車(ADAS/車用通訊)視為該制程的熱門應用；Jones則認為， 現(xiàn)有28奈米制程組件中，有九成都適合轉(zhuǎn)向FD-SOI制程，其TAM規(guī)模在2018年估計達到171億美元(圖6)，到2025年甚至可達184億美元，眾家FD-SOI技術(shù)供貨商能實際取得多少營收得各憑本事， 而鎖定物聯(lián)網(wǎng)市場商機的制程大戰(zhàn)已經(jīng)煙硝四起。

圖6：22奈米FD-SOI制程潛在市場規(guī)模預測

中國IC廠商躍躍欲試，***廠商呢？

根據(jù)GlobalFoundries在第五屆上海FD-SOI論壇提供的統(tǒng)計數(shù)字，該公司的22FDX制程已經(jīng)獲得了總計135家客戶的青睞，其中有20家客戶會在2017年底之前進入多項目晶圓(MPW)試產(chǎn)、 這之中又有15家會在2018年底正式投片，而進入測試設(shè)計/投片階段的這些客戶中，包括10家來自中國的廠商。

GlobalFoundries于2017年2月宣布于成都興建投資額達百億美元的12吋新廠之后，又于同年5月與成都市政府共同宣布，雙方將合作以6年時間建立一個累計投資規(guī)模超過1億美元的「 世界級的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)」，涵蓋多個位于成都的研發(fā)中心以及與大學院校合作的研究項目，目的是能吸引更多頂尖半導體業(yè)者落戶成都，并使成都「成為下一代芯片設(shè)計的卓越中心」。

將加入成都FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)的公司包括EDA供貨商Cadence、Synopsys，設(shè)計服務業(yè)者芯原、Invecas，還有芯片設(shè)計業(yè)者聯(lián)發(fā)科(MediaTek)、瑞芯微(RockChip)、上海復旦微電子( Shanghai Fudan Microelectronics Group Company)等等；芯原的戴偉民在接受EE Times訪問時表示，要從成都FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)投資中獲得研發(fā)經(jīng)費，「每一家公司都必須在成都部署研發(fā)團隊。 」

戴偉民指出，F(xiàn)D-SOI的支持者已經(jīng)在中國打好基礎(chǔ)，藉由像是上海FD-SOI論壇這樣的活動，持續(xù)向中國本地的芯片業(yè)者與IC設(shè)計工程師、政府官員、私人投資基金等大力宣傳；而他認為，要壯大中國的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)有幾個要點 ，包括：使用FD-SOI實現(xiàn)混合訊號和RF設(shè)計的可行性、設(shè)計服務業(yè)者(如芯原)的支持、實現(xiàn)基體偏壓設(shè)計流程和工具，還有設(shè)計教學、研討會、大學課程、實驗室和教科書，以及政府的支持。

中國IC業(yè)者對FD-SOI技術(shù)躍躍欲試，當?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)逐漸成形；以全球來看，GlobalFoundries則表示其FD-SOI制程生態(tài)系統(tǒng)FDXcelerator的合作伙伴截至2017年9月已經(jīng)達到33家(圖7)， 涵蓋半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游業(yè)者。 盡管占據(jù)十分少數(shù)，***業(yè)者也在其中，包括封測大廠日月光(ASE)、嵌入式內(nèi)存IP供貨商力旺電子(eMemory)，以及處理器IP供貨商晶心科技(Andes)。

圖7：GlobalFoundries積極為FD-SOI制程建立產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)

晶心科技總經(jīng)理林志明接受EE Times采訪時表示，該公司是在2015年與GlobalFoundries的長期伙伴、美國IC設(shè)計服務業(yè)者Invecas合作，將其32位N7處理器核心導入采用FD-SOI制程的參考設(shè)計， 后來也獲得了GlobalFoundries的22FDX制程驗證。

他指出，晶心的處理器核心開發(fā)原本就是以低功耗、高效率為訴求，其N7、N8與N9等系列都已經(jīng)在物聯(lián)網(wǎng)與可攜式消費性電子市場獲得采用，進駐包括智能手表、智能語音助理、游戲機以及隨身卡拉OK麥克風等等裝置， 目標市場與FD-SOI技術(shù)的方向一致，以此制程選項搭配晶心的IP，可望為客戶的設(shè)計帶來更佳的省電效能。

圖8：晶心科技總經(jīng)理林志明：FD-SOI制程的終端目標市場正好與我們的產(chǎn)品線非常一致

***的半導體IP供貨商并未在FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)中缺席，但***IC設(shè)計業(yè)者何時會跟進？ 除了已經(jīng)準備加入成都FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)的聯(lián)發(fā)科技，***本地業(yè)者對此技術(shù)的態(tài)度與西方市場一樣偏冷；如半導體測試實驗室宜特科技(iST)表示，據(jù)了解正在嘗試FD-SOI設(shè)計的***IC業(yè)者仍在少數(shù)， 預期對該制程的接受速度會比中國大陸業(yè)者緩慢得多。

結(jié)語

***的市場研究機構(gòu)集邦科技(TrendForce)旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導體研究中心分析師黃志宇表示，目前全球FD-SOI產(chǎn)能的統(tǒng)計數(shù)字不易取得，僅能大略估計該制程占據(jù)2017年全球晶圓代工銷售的比例為0.2%左右 ；他并指出，中國大陸積極建立FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈，引進晶圓片制造商Soitec、晶圓代工業(yè)者GlobalFoundries，對***晶圓代工業(yè)者的28奈米制程競爭力可能會帶來沖擊。

不過黃志宇也指出，觀察中國FD-SOI產(chǎn)能開出的時間點亦相當重要，必須同時考慮市場上既有晶圓代工業(yè)者的28奈米制程的折舊情形以及FD-SOI的實際產(chǎn)能規(guī)模：「當FD-SOI制程產(chǎn)能規(guī)模小、成本就相對變高， 而若晶圓代工業(yè)者折舊情形良好、將可提供更優(yōu)惠的28奈米制程價格，如此在以成本導向的終端產(chǎn)品競爭上，F(xiàn)D-SOI就未必有利。 」

28奈米制程可說是***晶圓代工雙雄聯(lián)電(UMC)、臺積電的「搖錢樹」，其中臺積電在2017年的28奈米晶圓片出貨量創(chuàng)下了18萬片的新高紀錄，該節(jié)點營收在臺積電2017年第三季仍然是占據(jù)當季整體營收最高比例、達到27%， 高于先進的16/20奈米節(jié)點；聯(lián)電則在第三季看到28奈米HKMG的市場需求趨緩。

來勢洶洶的FD-SOI制程將會對現(xiàn)有28奈米晶圓代工市場帶來什么樣的影響？ 中國半導體產(chǎn)業(yè)是否將因為FD-SOI技術(shù)的發(fā)展而改寫歷史？ 臺積電即將開出的22奈米新制程又是否能取得市場動力？ 為物聯(lián)網(wǎng)市場商機，聯(lián)電在28奈米制程之后又將祭出甚么新「武器」？ 2018年半導體市場的發(fā)展局勢值得陸續(xù)觀察！

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