在未來(lái)610億片LED芯片市場(chǎng)中不論誰(shuí)主沉浮，對(duì)于MOCVD設(shè)備商這并不重要，重要的是LED芯片市場(chǎng)給MOCVD帶來(lái)的是一場(chǎng)泡沫還是一場(chǎng)盛宴？##受到LED照明需求成長(zhǎng)帶動(dòng)，許多LED晶粒廠產(chǎn)能利用率已經(jīng)都維持在高水位，獲利表現(xiàn)也在改善，為設(shè)備市場(chǎng)捎來(lái)復(fù)蘇跡象。
2014-04-18 09:16:46
5261 據(jù)臺(tái)灣LED制造商消息稱，2015年全球LED芯片供大于求的比例將達(dá)到22%，主要?dú)w因于大陸LED外延片及芯片廠商不斷擴(kuò)大產(chǎn)能。
2015-09-23 08:18:184211 總部位于廈門(mén)的三安光電營(yíng)業(yè)收入超48億元，MOCVD（LED外延片制造設(shè)備）總數(shù)量已達(dá)到279臺(tái)，形成年產(chǎn)LED外延2400萬(wàn)片、LED芯片3000億粒的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，各項(xiàng)數(shù)據(jù)均居于全國(guó)第一，并在廈門(mén)
2016-11-10 18:03:384998 穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱微分方程，利用計(jì)算機(jī)專用軟件計(jì)算得到不同LED芯片分布時(shí)，散熱片芯片表面的溫度分布，根據(jù)其溫度場(chǎng)來(lái)分析LED芯片分布對(duì)其散熱的影響。結(jié)果是：九顆芯片集中在一起散熱效果最差，芯片之間的距離應(yīng)達(dá)到
2011-04-26 12:01:33
，利用計(jì)算機(jī)專用軟件計(jì)算得到不同LED芯片分布時(shí)，散熱片芯片表面的溫度分布，根據(jù)其溫度場(chǎng)來(lái)分析LED芯片分布對(duì)其散熱的影響。結(jié)果是：九顆芯片集中在一起散熱效果最差，芯片之間的距離應(yīng)達(dá)到5mm以上，其芯片
2012-10-24 17:34:53
芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化方案，幫助提高芯片性能。 7.芯片外延質(zhì)量問(wèn)題 LED芯片工作的核心是外延層，LED芯片外延層質(zhì)量的好壞關(guān)系著芯片的壽命、抗靜電能力及抗過(guò)電應(yīng)力能力等。針對(duì)芯片失效分析，金鑒工程師會(huì)對(duì)
2020-10-22 09:40:09
芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化方案，幫助提高芯片性能。 7.芯片外延質(zhì)量問(wèn)題 LED芯片工作的核心是外延層，LED芯片外延層質(zhì)量的好壞關(guān)系著芯片的壽命、抗靜電能力及抗過(guò)電應(yīng)力能力等。針對(duì)芯片失效分析，金鑒工程師會(huì)對(duì)
2020-10-22 15:06:06
之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝過(guò)程，而在這個(gè)過(guò)程中，外延片有可能碎裂、局部殘缺碎裂或局部殘缺，使得實(shí)際的芯片分布與儲(chǔ)存在分選機(jī)里的數(shù)據(jù)不符，造成分選困難。從根本上解決芯片測(cè)試分選瓶頸問(wèn)題的關(guān)鍵是
2018-08-24 09:47:12
[導(dǎo)讀] LED芯片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)“P-N結(jié)”。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于
2016-08-18 16:46:15
的外延工藝過(guò)程，如何生長(zhǎng)出所需波長(zhǎng)及亮度的LED外延片是降低成本的關(guān)鍵點(diǎn)，這個(gè)問(wèn)題不解決，LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片
2017-08-04 10:28:54
LED座，三孔，φ3.3mm
2023-03-29 21:30:27
寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過(guò)渡產(chǎn)品?！ 靶驴茽钤本蹱N光電LED外延片產(chǎn)能約450萬(wàn)片(折2英寸)，芯片產(chǎn)能約330萬(wàn)片。而且其在建產(chǎn)能十分龐大，據(jù)了解，聚燦光電LED外延片
2018-06-14 14:44:35
LED上游外延片、芯片生產(chǎn)上，美國(guó)、日本、歐盟仍擁有很大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而中國(guó)***地區(qū)則已成為全球重要的LED生產(chǎn)基地。雖然中國(guó)在LED 外延片、芯片的生產(chǎn)技術(shù)上距離國(guó)際先進(jìn)水平還有較大差距，國(guó)內(nèi)芯片、外延
2017-10-11 18:32:25
LED芯片是采用外延片制造的，是提供LED燈珠封裝的器件，是LED燈珠品質(zhì)的關(guān)鍵。LED芯片和LED燈珠的流程是十分有必要的一件事呢？因?yàn)樯a(chǎn)過(guò)程直接關(guān)系到這些器件的產(chǎn)品質(zhì)量，而產(chǎn)品質(zhì)量則影響設(shè)計(jì)的最終效率。因此，通過(guò)對(duì)器件的深入了解來(lái)進(jìn)行好壞的判別是非常有必要的。
2020-11-03 07:53:28
LED電源在成品LED燈中是核心部件，而LED電源芯片在LED電源當(dāng)中起到了十分關(guān)鍵的核心作用，一個(gè)LED電源芯片直接影響了一個(gè)成品燈的好壞，LED電源芯片會(huì)影響產(chǎn)品的效率，效率越高則成品燈的溫度
2017-06-13 17:37:34
科普幾個(gè)與LED產(chǎn)品有關(guān)的問(wèn)題
2021-06-07 07:09:32
進(jìn)行的AlGaInP紅光垂直結(jié)構(gòu)超高亮度LED芯片制作方法。首先進(jìn)行MOCVD外延，再以高熱導(dǎo)率Si、SiC、金屬等材料作為襯底，將LED外延層粘接在其上并制成芯片。其結(jié)構(gòu)為:工藝制作先在高熱導(dǎo)率材料
2010-06-09 13:42:08
LED的原理與光電特性12LED芯片的基本概述121LED芯片的結(jié)構(gòu)與類型122LED芯片的新技術(shù)13LED外延片的選擇要點(diǎn)及相關(guān)參數(shù)131LED外延片的作用及選擇要點(diǎn)132外延片
2013-06-08 15:41:27
缺陷，幫助LED客戶選擇高質(zhì)量的外延片、芯片。4.芯片工藝和清潔度觀察電極加工是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨，會(huì)接觸到很多化學(xué)清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈，會(huì)使
2015-03-11 17:08:06
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
雙LED座 φ3 兩孔
2023-03-29 21:30:27
的外量子效率取決于外延材料的內(nèi)量子效率和芯片的取光效率，由于大功率白光LED采用了MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，并在精確控制生長(zhǎng)和摻雜以及減少缺陷等方面取的突破性進(jìn)展，其外延片的內(nèi)量子效率已有很大
2013-06-04 23:54:10
急速發(fā)展的中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過(guò)剩？中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過(guò)剩？中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步于上世紀(jì)70年代。早期中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)中缺少LED外延片及芯片制造環(huán)節(jié)，所使用的LED
2010-11-25 11:40:22
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
需要led 芯片設(shè)計(jì)，封裝設(shè)計(jì)的模擬軟件的聯(lián)系我我這邊有晶體生長(zhǎng)，外延模擬，led模擬的各種軟件
2015-01-19 16:29:53
介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-05-26 10:23:36
19 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2442 介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-12-23 14:33:5625 LED制作流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純
2010-01-09 10:39:1467 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 led芯片基礎(chǔ)知識(shí)
led芯片led芯片的主要材料是單晶硅.
led芯片作用？
芯片主要是把電轉(zhuǎn)化光的核心的東西,本公
2009-11-13 09:59:483027 LED外延片代工廠走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14906 LED封裝研發(fā)與整合能力同等重要
●外延和芯片的散熱結(jié)構(gòu)固然重要，
2010-02-03 11:06:38664 
LED相關(guān)專利情況分析
LED行業(yè)是一個(gè)高進(jìn)入壁壘的行業(yè)，這里指的是上游芯片和外延片，該環(huán)節(jié)目前占到了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值的70%.也正是因?yàn)槿绱?，才有?b class="flag-6" style="color: red">LED專利壁壘的
2010-02-22 10:29:041108 
中國(guó)led封裝技術(shù)與國(guó)外的差異
一、概述
LED產(chǎn)業(yè)鏈總體分為上、中、下游，分別是LED外延芯片、LED封裝及LED應(yīng)用
2010-04-09 10:27:21962 目前，國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展比較成熟，LED產(chǎn)業(yè)上游包括原材料和襯底等環(huán)節(jié)，中游包括外延和芯片等環(huán)節(jié)，下游
2010-11-18 11:51:21551 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 DB-8002S LED自動(dòng)撿片機(jī)是自動(dòng)剔除LED晶圓中外觀有缺陷芯片的一種自動(dòng)化設(shè)備，是LED生產(chǎn)線上后道封裝工序自動(dòng)化必備的重要設(shè)備之一。
2011-04-15 15:14:0617 20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
2011-05-06 11:55:522259 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321589 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131699 LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(zhǎng)的基本原理,LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程比較復(fù)雜,目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法。
2012-05-15 09:48:402568 很多同行在抱怨中國(guó)大陸LED廠沒(méi)有掌握到LED核心技術(shù)，實(shí)際上這個(gè)所被抱怨的核心技術(shù)更多的是體現(xiàn)在LED上游，包括MOCVD機(jī)臺(tái)以及外延芯片廠等領(lǐng)域。
2012-07-31 09:26:38977 本文針對(duì)65×65mm一面設(shè)有九顆1×1mm、1W的LED芯片，另一面為肋片的鋁制散熱片，利用數(shù)值法求解三維穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱微分方程，利用計(jì)算機(jī)專用軟件計(jì)算得到不同LED芯片分布時(shí)，散熱片芯片表面
2012-10-22 16:19:525260 
濟(jì)寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461477 LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，本文詳細(xì)介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:148712 半導(dǎo)體照明光源的質(zhì)量和LED芯片的質(zhì)量息息相關(guān)。進(jìn)一步提高LED的光效（尤其是大功率工作下的光效）、可靠性、壽命是LED材料和芯片技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)?，F(xiàn)將LED材料和芯片的關(guān)鍵技術(shù)及其未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做如下梳理：
2013-05-29 10:34:522219 LED是一種可以將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)光源相比，LED光源具有節(jié)能、環(huán)保、安全、牢固、體積小、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)時(shí)間短、色彩豐富等諸多優(yōu)勢(shì)。LED行業(yè)具有較長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈，包括上游外延片生長(zhǎng)、中游芯片制造、下游芯片封裝及應(yīng)用領(lǐng)域。
2016-01-28 15:51:081388 各位一定頻繁的看到“LED”這個(gè)名詞，它和OLED僅僅雖然只有一個(gè)字母之差，但實(shí)際上兩者描述的是完全不同的事物。
2016-05-13 11:04:2579457 LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。
2016-08-05 17:45:2122144 
LED芯片發(fā)光效率的提高決定著未來(lái)LED路燈的節(jié)能能力，隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，外延片的內(nèi)量子效率已有很大提高。要如何滿足路燈使用的標(biāo)準(zhǔn)，很大程度上取決于如何從芯片中用最少的功率提取
2017-05-03 14:35:0826384 一般來(lái)說(shuō)，GaN 的成長(zhǎng)須要很高的溫度來(lái)打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動(dòng)力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會(huì)進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒(méi)有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 半導(dǎo)體晶片由三部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子，中間通常是1至5個(gè)周期的量子阱。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子和空穴就會(huì)被推向量子阱，在量子阱內(nèi)電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。
2017-11-27 14:55:1227433 如今，我國(guó)初步形成了包括LED外延片的生產(chǎn)、LED芯片的制備、LED芯片的封裝以及LED產(chǎn)品應(yīng)用在內(nèi)的較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。其中，隨著LED滲透率提升，LED下游應(yīng)用市場(chǎng)越來(lái)越廣闊。
2017-12-27 11:28:0213683 
我國(guó)LED 產(chǎn)業(yè)保持穩(wěn)步擴(kuò)張，行業(yè)內(nèi)結(jié)構(gòu)分化日益明顯我國(guó)初步形成了包括LED 外延片的生產(chǎn)、LED 芯片的制備、LED 芯片的封裝以及LED 產(chǎn)品應(yīng)用在內(nèi)的較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。
2017-12-29 10:59:005175 據(jù)報(bào)道，聚燦擬募投項(xiàng)目變更，公司擬將原募集資金項(xiàng)目“聚燦光電科技股份有限公司 LED 芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目”變更為“聚燦光電科技（宿遷）有限公司 LED 外延片、芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目（一期）”。
2018-03-03 15:51:012241 如今，我國(guó)初步形成了包括LED外延片的生產(chǎn)、LED芯片的制備、LED芯片的封裝以及LED產(chǎn)品應(yīng)用在內(nèi)的較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。其中，隨著LED滲透率提升，LED下游應(yīng)用市場(chǎng)越來(lái)越廣闊。
2018-04-08 11:09:198672 
每個(gè)LED的正負(fù)極(P、N電極)與電路基連接。使用LED全彩驅(qū)動(dòng)芯片對(duì)每個(gè)LED芯片進(jìn)行尋址、獨(dú)立的電流驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)成像。
2018-04-10 11:45:004902 
兆馳股份4月23日在互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前公司外延片及芯片項(xiàng)目主要用于LED照明領(lǐng)域，預(yù)計(jì)于2018年年底點(diǎn)亮。
2018-04-26 15:25:047347 經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了包括外延片、芯片、封裝、下游終端應(yīng)用、LED相關(guān)設(shè)備及材料在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，目前我國(guó)已經(jīng)成為LED產(chǎn)業(yè)第一生產(chǎn)大國(guó)，產(chǎn)品出口總量不斷攀升。但是我國(guó)在不斷壯大的同時(shí)，質(zhì)量問(wèn)題令人感到擔(dān)憂。
2018-08-10 11:19:001577 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子幾乎訂購(gòu)了中國(guó)LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門(mén)的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。
2018-05-16 10:24:005853 近年來(lái)，LED 產(chǎn)業(yè)鏈中各環(huán)節(jié)的技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn)，推動(dòng)了 LED 成本大幅下降，促進(jìn)了 LED 應(yīng)用全面發(fā)展。LED 外延生長(zhǎng)和芯片制造是 LED 生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平?jīng)Q定了
2018-05-16 10:58:2310944 據(jù)悉，LED外延片和芯片制造商晶元光電將于8月29日至31日在臺(tái)北舉行的2018年臺(tái)灣智慧顯示與觸控展（Touch Taiwan 2018）上展示Mini LED應(yīng)用。
2018-07-04 16:34:002049 。芯片尺寸微小化背后的含意，除了發(fā)光組件的總體尺寸能更佳符合未來(lái)產(chǎn)品輕、薄、短、小的趨勢(shì)之外，單一外延片所能切割的小芯片數(shù)量更多了，固定功率下所需使用的芯片數(shù)量更少了，這些對(duì)于降低LED的生產(chǎn)支出有很大的幫助，畢竟”成本”永遠(yuǎn)都是個(gè)大問(wèn)題。
2018-08-14 15:46:071687 
LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 未來(lái)LED技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能過(guò)剩因素仍有可能促使LED外延片、芯片產(chǎn)品價(jià)格繼續(xù)下降，如芯片企業(yè)不能有效控制成本，成本下降速度慢于產(chǎn)品價(jià)格下降速度，公司毛利率將存在不斷降低風(fēng)險(xiǎn)，對(duì)未來(lái)的盈利能力造成不利影響。
2018-11-02 17:16:345471 
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，由于中國(guó)LED外延片和芯片制造商不斷投入更多產(chǎn)能，但是市場(chǎng)需求卻保持不變，導(dǎo)致LED芯片市場(chǎng)出現(xiàn)供過(guò)于求的局面，最終導(dǎo)致臺(tái)灣和國(guó)內(nèi)LED芯片產(chǎn)商面臨過(guò)高的庫(kù)存水平壓力。
2018-11-19 15:06:171874 近日，華燦光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，LED芯片成本主要由原材料、設(shè)備折舊、人工成本等構(gòu)成，公司LED外延片擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度將視行業(yè)情況而定。
2018-11-29 15:27:142386 1月9日晚間，國(guó)星光電(002449)發(fā)布公告，宣布投資10億擴(kuò)產(chǎn)新一代LED封裝器件及配套外延芯片。
2019-01-14 15:05:403749 LED芯片根據(jù)功率分為：小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。LED芯片根據(jù)形狀分為：一般分為方片、圓片兩種；LED芯片根據(jù)發(fā)光亮度分為：一般亮度：R（紅色GaAsP655nm）、H（高紅
2019-03-27 16:46:4218858 本視頻主要詳細(xì)介紹了led死燈的原因，分別是芯片抗靜電能力差、芯片外延缺陷、芯片化學(xué)物殘余、芯片的受損、鍍銀層過(guò)薄。
2019-05-06 17:15:427378 6月25日，兆馳股份發(fā)布公告宣布調(diào)整募集資金投資項(xiàng)目具體投向。公司擬對(duì)LED外延芯片生產(chǎn)項(xiàng)目具體投向進(jìn)行調(diào)整，將“設(shè)備購(gòu)置費(fèi)”變更為“設(shè)備購(gòu)置費(fèi)、材料成本、生產(chǎn)耗材等”。
2019-06-26 15:26:331900 
LED燈珠的整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程，分為外延片生產(chǎn)、芯片生產(chǎn)、燈珠封裝，整個(gè)過(guò)程體現(xiàn)了現(xiàn)代電子工業(yè)制造技術(shù)水平，LED的制造是集多種技術(shù)的融合，是高技術(shù)含量的產(chǎn)品，對(duì)于照明用途的LED的知識(shí)掌握也需要了解LED燈珠是如何生產(chǎn)出來(lái)的。
2019-10-04 17:24:0024613 晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:322307 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596397 Micro LED的發(fā)光效率會(huì)隨著尺寸微縮而下降，從而導(dǎo)致檢測(cè)與維修問(wèn)題增多，這是Micro LED面臨的關(guān)鍵技術(shù)難題之一。鑒于此，相關(guān)技術(shù)研究員嘗試在外延片生產(chǎn)階段提高M(jìn)icro LED的效率。
2020-07-24 11:29:261071 三安光電是國(guó)內(nèi)LED芯片龍頭，產(chǎn)品包括全色系超高亮度LED外延片、芯片，近年來(lái)，三安光電切入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體化合物高端領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。2019年，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收74.6億元。
2020-08-11 11:30:203180 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個(gè)主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時(shí)間內(nèi)Micro LED可能會(huì)大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:241268 廣東LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展完善，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有企業(yè)參與。上游襯底材料、外延片、芯片領(lǐng)域中，廣東深圳、惠州、中山、佛山LED照明產(chǎn)業(yè)鏈上具有眾多企業(yè)，上游外延片、芯片領(lǐng)域，深圳有淼浩高科、愛(ài)彼斯通、世紀(jì)晶
2020-09-10 14:24:494983 
產(chǎn)滿銷狀態(tài)，并開(kāi)始給韓廠供貨 關(guān)于LED外延片及芯片目前產(chǎn)能情況，兆馳表示已于2019年第四季度正式投入運(yùn)營(yíng)，目前已經(jīng)處于滿產(chǎn)狀態(tài)，月產(chǎn)能達(dá)到50余萬(wàn)片4寸片。 在產(chǎn)品方面，現(xiàn)階段以LED照明通用芯片為主，LED背光芯片為輔，計(jì)劃未來(lái)在照明芯片端逐步向高光效
2021-01-08 14:38:243232 一飛沖天，成為電子信息的高價(jià)龍頭。 ? 士蘭微（600460）：? ?藍(lán)、綠光LED芯片。 ? 聯(lián)創(chuàng)光電（600363）：公司列入國(guó)家半導(dǎo)體照明工程全國(guó)五大產(chǎn)業(yè)基地之一,外延片、芯片及器件應(yīng)用,形成了較完整的產(chǎn)業(yè)鏈。 ? 同方股份（600100）：高亮度藍(lán)、綠光LED芯片,批量生產(chǎn)大功率
2021-07-14 11:25:158577 LED芯片是LED照明的核心部件，芯片溫度過(guò)高會(huì)嚴(yán)重影響LED壽命和發(fā)光質(zhì)量；散熱片作為芯片的唯一散熱手段，在設(shè)計(jì)中必須關(guān)注溫度的分布狀態(tài)；本文主要介紹使用紅外熱像儀對(duì)LED芯片散熱片進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)
2021-11-26 16:33:512406 
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355313 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 對(duì)于Micro
LED而言，一張4寸
外延的
片內(nèi)波長(zhǎng)差小于2nm才勉強(qiáng)滿足使用要求，除此之外Micro
LED對(duì)更高光效的
外延也提出了要求；如何通過(guò)對(duì)
外延結(jié)構(gòu)以及生長(zhǎng)方法和工藝進(jìn)行一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:411900 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:041644 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540 近日，乾照光電取得多項(xiàng)LED芯片相關(guān)專利，分別是“一種LED芯片及其制備方法”、“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”、“一種LED外延結(jié)構(gòu)“。
2023-12-03 14:11:351939 LED洗墻燈跟線條燈的區(qū)別，使用的芯片有何差異？
2024-01-05 14:30:482716 3月6日，聚燦光電發(fā)布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目”的部分募集資金（共計(jì)8億元）用途，用于新項(xiàng)目“年產(chǎn)240萬(wàn)片紅黃光外延片、芯片項(xiàng)目”的實(shí)施。
2024-03-08 13:58:421890 
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程： 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造的。這個(gè)過(guò)程通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或
2024-07-12 09:16:522550 實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢測(cè)測(cè)試設(shè)備：光譜儀、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器
2024-10-25 10:29:541235 
引言
碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414 
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