本文介紹了LED結(jié)溫及其產(chǎn)生的原因，最后給出了LED結(jié)溫的降低方法。LED的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)半導(dǎo)體的P—N結(jié)。實(shí)驗(yàn)指出，當(dāng)電流流過(guò)LED元件時(shí)，P—N結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說(shuō)，就把
2011-10-31 12:05:19
3168 據(jù)最新報(bào)告1Q17 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場(chǎng)會(huì)員報(bào)告顯示，Micro LED關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術(shù)、轉(zhuǎn)移技術(shù)、鍵結(jié)技術(shù)（Bonding）、彩色化方案等。
2017-01-22 11:05:393090 專有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到Propel? 單晶圓MOCVD系統(tǒng)，從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。
2018-02-26 10:24:1010634 當(dāng)前的鐵電隧道結(jié)都是基于兩類鐵電材料，鈣鈦礦型鐵電體（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型鐵電體（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。這兩類鐵電材料用于鐵電隧道結(jié)各有優(yōu)缺點(diǎn)
2020-08-19 17:55:036043 Micro LED顯示面板包含PCB板、LED芯片、封裝膠膜、驅(qū)動(dòng)IC等，Micro LED COB顯示屏的光學(xué)性能關(guān)鍵指標(biāo)：亮度、對(duì)比度、色域、灰階、刷新率、可視角等。本文通過(guò)研究COB單元板光學(xué)性能的設(shè)計(jì)影響因素，為COB單元板的光學(xué)性能設(shè)計(jì)提供參考。
2023-11-13 11:06:345254 
實(shí)驗(yàn)名稱：功率放大器在驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED上的應(yīng)用研究方向：半導(dǎo)體器件，光電子器件，micro-LED實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：1、制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件；2
2024-08-28 14:57:331617 
substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱，這是首個(gè)蝕刻定義臺(tái)面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
2024-02-04 00:07:0011073 LED路燈35萬(wàn)盞（不包含LED隧道燈），其中“十城萬(wàn)盞”21個(gè)城市共安裝LED路燈16萬(wàn)盞。高工LED預(yù)計(jì)，2011年中國(guó)LED路燈安裝量將超過(guò)50萬(wàn)盞。 基于高工LED團(tuán)隊(duì)對(duì)產(chǎn)業(yè)的及時(shí)深入調(diào)研
2011-01-19 11:29:12
的結(jié)溫是影響各項(xiàng)性能指標(biāo)的主要因素，也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素，這些參數(shù)對(duì)普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評(píng)價(jià)指標(biāo)，這已經(jīng)在照明業(yè)界達(dá)成共識(shí)。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
還是工程技術(shù)上的應(yīng)用，高調(diào)制帶寬的微納米器件都依然面臨著極大的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著電子器件制備工藝的提高，高帶寬micro LED與LD的性能與可靠性也會(huì)越來(lái)越好，有望在可見(jiàn)光通信、光纖通信與水下通信等領(lǐng)域
2023-05-17 15:01:55
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
高性能led路燈驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案管理員，請(qǐng)把我的貼發(fā)了吧，我等著積分，下載些救命的資料！謝謝！
2010-07-14 16:13:57
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展史高性能計(jì)算機(jī)的內(nèi)容高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用高性能計(jì)算機(jī)的現(xiàn)狀高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計(jì)算機(jī)的未來(lái)展望
2019-09-10 10:42:36
異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長(zhǎng)法。根據(jù)pn結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用pn結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開(kāi)關(guān)二極管；利用擊穿特性
2016-11-29 14:52:38
現(xiàn)在的電池技術(shù)還是存在許多的弊端，比如說(shuō)待機(jī)時(shí)間短、成本過(guò)高等問(wèn)題。近日，蘇州大學(xué)物理與光電能源學(xué)部晏成林教授科研團(tuán)隊(duì)利用廉價(jià)冶金硅和廢棄的豆渣制備出高性能新型電池，可用于各類可穿戴設(shè)備上。讓
2016-01-12 16:23:38
產(chǎn)品重要性的同時(shí)，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說(shuō)紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對(duì)集成度越來(lái)越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國(guó)市場(chǎng)對(duì)高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
通過(guò)FPGA來(lái)構(gòu)建一個(gè)低成本、高性能、開(kāi)放架構(gòu)的數(shù)據(jù)平面引擎可以為網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備提供性能提高的動(dòng)力。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，性能成為制約網(wǎng)絡(luò)處理的一大瓶頸問(wèn)題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網(wǎng)絡(luò)安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推動(dòng)著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
利用差動(dòng)放大器實(shí)現(xiàn)低損失、高性能全波整流器的電路是什么樣的？
2019-08-02 07:00:51
如何設(shè)計(jì)高性能的SDI信號(hào)鏈？對(duì)PCB布板和電源設(shè)計(jì)有哪些建議？TI在SDI領(lǐng)域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
高頻開(kāi)關(guān)電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術(shù)
2019-04-15 09:58:37
PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計(jì)的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和工程實(shí)現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
激光器的增益區(qū)為GaAs量子阱，采用折射率低的AlGaAs作為光腔限制層。因?yàn)镚aAs和AlGaAs的晶格常數(shù)幾乎一致，且制備條件相似，所以激光器的增益區(qū)和光腔的質(zhì)量很高，激光器的性能也很好
2020-11-27 16:32:53
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實(shí)現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動(dòng)和內(nèi)容更換，可以說(shuō)其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計(jì)可以應(yīng)對(duì)多種大屏幕顯示的場(chǎng)合。
2021-06-04 06:02:01
怎樣利用可編程邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
一層的外延生長(zhǎng)得到N+溝槽和直接開(kāi)溝槽。前者工藝相對(duì)的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。超結(jié)型結(jié)構(gòu)的工作原理1、關(guān)斷狀態(tài)從圖4中可以看到，垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在
2018-10-17 16:43:26
的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED驅(qū)動(dòng)芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國(guó)
2018-08-31 20:15:12
了影響散熱器性能的因素。熱量如何產(chǎn)生并影響 LED當(dāng)在 LED 的 P-N 結(jié)適當(dāng)施加足夠的電壓時(shí)，電流會(huì)流經(jīng)該結(jié)，同時(shí)產(chǎn)生光和熱。 但是，普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量
2017-04-10 14:03:41
LED隧道照明技術(shù)分析
全球節(jié)能減排的帶動(dòng)，LED作為要求24小時(shí)運(yùn)作的隧道燈便成為不二之選。加上半導(dǎo)體照明技術(shù)正在日益進(jìn)步，目前市場(chǎng)上已經(jīng)量產(chǎn)的１W大功
2010-04-02 16:12:01
65 LED燈具的工作結(jié)溫是產(chǎn)品性能的重要指標(biāo)，工作結(jié)溫直接影響到LED燈具的使用壽命，但目前罔內(nèi)在這方面標(biāo)準(zhǔn)的制玎則相對(duì)落后衛(wèi)章介紹7亞明LED實(shí)驗(yàn)室采用的撿剎方擊廈
2010-08-25 08:52:0556 1、什么是LED 的結(jié)溫？LED 的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)半導(dǎo)體的P—N 結(jié)。實(shí)驗(yàn)指出，當(dāng)電流流過(guò)LED 元件時(shí)，P—N 結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說(shuō)，就把P—N 結(jié)區(qū)的溫度定義為LED 的結(jié)溫
2010-10-26 17:05:0334 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 本推薦性技術(shù)規(guī)范的全部技術(shù)內(nèi)容為推薦性。制定本推薦性技術(shù)規(guī)范的目的是指導(dǎo)LED 隧道燈的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用，規(guī)范和引導(dǎo)LED 隧道照明技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。本推薦性技術(shù)規(guī)范
2010-12-23 17:17:0953 LED結(jié)溫產(chǎn)生原因是什么?降低LED結(jié)溫的途徑有哪些？ 1、什么是LED的結(jié)溫？LED的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)半導(dǎo)體的P—N結(jié)。實(shí)驗(yàn)指出，當(dāng)電流流過(guò)LED元件時(shí)，P—N結(jié)的溫
2009-11-13 10:07:211440 高性能鋰離子電池正極材料制備技術(shù)
以鈷為原料，采用液相合成和高溫固相合成相結(jié)合的集成工藝，攻克了制備高性能鋰離子電池正極材
2009-11-20 14:00:44765 LED隧道燈在隧道照明工程中重點(diǎn)技術(shù)指標(biāo)的分析
隧道應(yīng)用新型光源的節(jié)能研究受到了業(yè)界關(guān)注，其中LED隧道燈的節(jié)能研究已經(jīng)有重大進(jìn)展。因?yàn)楦鶕?jù)明視覺(jué)與中間視覺(jué)
2010-03-09 09:32:342092 
通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測(cè)量, 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增 加而變大, 其中基于InGaN 材料的藍(lán)光和白光LED 工作在小于額定電流下時(shí), 熱阻上升迅速; 驅(qū)動(dòng)電流大于額定電 流時(shí), 熱阻上升速率變緩。其他顏色LED 熱阻隨驅(qū)動(dòng)電
2011-03-15 10:21:5363 DESCRIPTION The VLHW4100 is a clear, untinted 3 mm LED for high end applications where supreme
2011-03-29 10:05:5324 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 該文通過(guò)分析LED光源的特點(diǎn)、隧道照明的特點(diǎn)及對(duì)光源的要求, 總結(jié)了LED 光源在隧道照明中的優(yōu)勢(shì)和機(jī)遇, 指出了當(dāng)前LED光源仍面臨價(jià)格和散熱兩方面的挑戰(zhàn)。從而為LED光源在隧道照明
2012-01-09 14:29:4935 LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131699 氮化鎵（GaN）的混合物和氮化銦（酒店）形成的氮化銦鎵（InGaN）已成為制造LED的比較流行的技術(shù)之一，特別是藍(lán)色和綠色。雖然技術(shù)的歷史可以追溯到上世紀(jì)90年代，大功率InGaN技術(shù)更近。
2017-06-13 14:25:368 利用藍(lán)光LED芯片激發(fā)［ Ru（ dtb-bpy ）; ］2+ （PF ）z 和YAG 混合熒光粉的方法制備了新型白光LED，研究了隨著［Ru（ dtb-bpy ）; ］2+ （PFG ）z 含量
2017-10-20 17:24:539 通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測(cè)量， 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大， 其中基于InGaN 材料的藍(lán)光和白光LED 工作在小于額定電流下時(shí)， 熱阻上升迅速
2017-11-13 15:08:394 從傳統(tǒng)封裝LED，到“小間距”、“Micro LED”、“Mini LED”，泛濫的技術(shù)名詞讓顯示市場(chǎng)一片混沌，許多人才弄明白Micro LED沒(méi)多久，Mini LED一來(lái)又混亂了，這到底是新的技術(shù)路線，還是新的商業(yè)策略？是自成一格的次世代技術(shù)，還是通往Micro LED的過(guò)渡技術(shù)？
2018-05-19 11:53:002600 廈門大學(xué)與臺(tái)灣新竹交通大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近期合作開(kāi)發(fā)了一種基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測(cè)系統(tǒng)，可以快速測(cè)量Micro-LED陣列在工作時(shí)任意位置的絕對(duì)亮度值。
2018-10-05 08:46:004415 韓國(guó)研究財(cái)團(tuán)10月14日宣布稱，高麗大學(xué)Kim Taegeun教授帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)金屬離子的電化學(xué)摻雜方式，開(kāi)發(fā)出可提升Micro LED的光電效率的高效率透明電極。
2018-10-18 15:45:304850 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-13 17:02:593997 雖然，在蘋(píng)果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋(píng)果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當(dāng)紅炸子雞，但由于其技術(shù)難度和高昂成本，我們
2019-03-23 09:29:545899 三安光電透露，擬投資120億元，在湖北省建設(shè)Mini/Micro LED 外延與芯片項(xiàng)目。
2019-04-30 08:46:593991 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922365 日前，英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:092185 據(jù)報(bào)道，加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（University of California， Santa Barbara，UCSB）對(duì)通用電氣（GE）提起專利侵權(quán)訴訟，持續(xù)捍衛(wèi)其LED燈絲燈專利權(quán)。
2020-01-02 14:52:435375 、UV PD以及HEMT，分享了寶貴的仿真設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，旨在助力產(chǎn)業(yè)省時(shí)省力省財(cái)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">制備高效的器件。 第一講：芯片設(shè)計(jì)助力制備高效率UVC-LED器件 課程介紹： 據(jù)權(quán)威研究報(bào)道顯示，UVC-LED在滅殺新型冠狀病毒方面有著顯著的效果，對(duì)于防控與抑制新型
2020-04-07 16:21:211340 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)一直致力于鐵性隧道結(jié)信息存儲(chǔ)原型器件研究，在磁電耦合、超快、多阻態(tài)、低功耗、非易失信息存儲(chǔ)等方面取得了重要進(jìn)展。
2020-04-11 15:49:183067 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596397 據(jù)報(bào)道，德國(guó)硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國(guó)王科技大學(xué)（KAUST）研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48895 國(guó)星半導(dǎo)體是專業(yè)從事高端LED外延芯片的研發(fā)、制造、銷售的公司，產(chǎn)品涵蓋高性能RGB顯示芯片、UV芯片、倒裝大功率芯片、Mini/Micro芯片等。
2020-08-11 16:35:062679 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個(gè)主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時(shí)間內(nèi)Micro LED可能會(huì)大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:241268 LED熱測(cè)試 為了在不犧牲可靠性的前提下獲得最高的光學(xué)性能，必須了解特定應(yīng)用中LED組件的熱性能。1993年1月28日的技術(shù)備忘錄“ LED燈的熱特性”討論了LED燈的基本熱模型。本應(yīng)用簡(jiǎn)介描述了
2021-05-13 09:47:175303 
，國(guó)內(nèi)外不斷傳來(lái)紅光問(wèn)題的解決方案，雖然這些解決方案還未能開(kāi)始量產(chǎn)應(yīng)用，但無(wú)疑已經(jīng)為未來(lái)重新定義可能性提供了選擇。 近日，外媒有消息稱，從劍橋大學(xué)分拆的公司Porotech宣布推出基于其獨(dú)特GaN生產(chǎn)技術(shù)的首款產(chǎn)品，也是全球首款商業(yè)化的用于Micro LED應(yīng)用的原生紅光LED外延
2020-12-02 11:29:303824 從產(chǎn)品特性等優(yōu)勢(shì)來(lái)說(shuō)，Micro LED似乎更應(yīng)該在超小尺寸顯示領(lǐng)域更早開(kāi)花結(jié)果。而現(xiàn)實(shí)卻是Micro LED最早在超大尺寸顯示領(lǐng)域落地。
2021-01-21 15:42:271161 顯示和巨量轉(zhuǎn)移兩個(gè)難題以外，基于GaN基的Micro-LED器件的低EQE也是亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題之一。造成GaN基的Micro-LED器件低EQE的主要原因在于小尺寸器件下，側(cè)壁缺陷造成的非輻射復(fù)合對(duì)器件性能的影響。針對(duì)這一問(wèn)題，主要有以下幾個(gè)方法去解決：從工藝制備角度來(lái)說(shuō)，可
2021-01-25 14:06:301544 
中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室梁靜秋研究團(tuán)隊(duì)使用晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，制備五種像素尺寸（最小尺寸為10μm）的硅襯底AlGaInP紅光Micro-LED以探究其尺寸效應(yīng)。
2022-04-25 15:52:002644 今年2月22日，由劍橋大橋分拆出來(lái)的Micro LED微顯示技術(shù)企業(yè)Porotech宣布獲得2000萬(wàn)美元（約合人民幣1.27億元）的A輪融資，資金擬用于加速推動(dòng)公司全球擴(kuò)張計(jì)劃及InGaN基Micro LED產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。
2022-06-24 12:48:112578 
光電探測(cè)器在圖像傳感、環(huán)境監(jiān)測(cè)、通信等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。近年來(lái)，量子點(diǎn)作為一種光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體納米材料，被廣泛應(yīng)用于光電探測(cè)器。PbSe量子點(diǎn)具有優(yōu)異的吸光性能，被用于制備高性能的光電探測(cè)器。
2022-11-21 10:10:354367 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫(xiě)作μLED
2023-02-06 10:28:4352059 該團(tuán)隊(duì)還針對(duì)化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長(zhǎng)的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問(wèn)題，發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法，創(chuàng)造性地利用水膜浸潤(rùn)轉(zhuǎn)移界面，根據(jù)材料或襯底的親水疏水性不同
2023-02-15 10:16:162577 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:161649 對(duì)于
Micro LED而言，一張4寸
外延的片內(nèi)波長(zhǎng)差小于2nm才勉強(qiáng)滿足使用要求，除此之外
Micro LED對(duì)更高光效的
外延也提出了要求；如何通過(guò)對(duì)
外延結(jié)構(gòu)以及生長(zhǎng)方法和工藝進(jìn)行一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:411900 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:041644 通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見(jiàn)的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過(guò)程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:212408 
Mojo Vision日前發(fā)布了一款14K ppi的紅色Micro LED顯示器，從而向克服高性能全彩Micro-LED顯示器挑戰(zhàn)的重要一步。
2023-07-03 10:12:23463 2021, 372, 1462”)報(bào)道了雙層六方氮化硼(BBN)中的鐵電極化及其新型滑移反轉(zhuǎn)機(jī)制的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，這為范德華多鐵隧道結(jié)的進(jìn)一步發(fā)展開(kāi)辟了新的發(fā)展策略。截至當(dāng)前，利用范德華滑移鐵電材料與二維磁性材料構(gòu)建多鐵隧道結(jié)目前還沒(méi)有報(bào)到，這值得實(shí)驗(yàn)和理論進(jìn)一步的探究。
2023-08-25 14:25:002513 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 思坦科技的高性能micro led微顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2018年設(shè)立時(shí)開(kāi)始致力于宣傳飛行員生產(chǎn)線進(jìn)行了技術(shù)驗(yàn)證和優(yōu)化工程中，micro led光電芯片和驅(qū)動(dòng)芯片的自主設(shè)計(jì)和高精結(jié)合，草色單曲芯片等核心工藝技術(shù)精通。
2023-09-22 10:37:501609 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Micro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測(cè)設(shè)備鏡頭的相機(jī)像素?zé)o法滿足檢測(cè)需求，臺(tái)灣地區(qū)工研院研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用“重復(fù)曝光色彩校正技術(shù)”，以重復(fù)曝光方式達(dá)到Micro LED面板色彩的平衡，并通過(guò)光學(xué)校正技術(shù)分析色彩均勻度，達(dá)到準(zhǔn)確量測(cè)目的。
2023-10-26 16:42:031587 
這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測(cè)器，該紅外探測(cè)器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步的一個(gè)重要里程碑。
2023-11-13 12:42:511649 
據(jù)悉，研究人員使用金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長(zhǎng)GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項(xiàng)研究表明，可通過(guò)石墨烯上生長(zhǎng)出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。
2023-12-13 16:55:391392 
據(jù)估計(jì)，專供1英寸以下尺寸且用于XR設(shè)備的小型化顯示將會(huì)是 Micro LED 技術(shù)最為成熟的領(lǐng)域。分析認(rèn)為，在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）頭戴式顯示器（HMD）和抬頭顯示器（HUD）方面，Micro LED憑借高性能和亮度等優(yōu)勢(shì)將得到充分體現(xiàn)。
2024-01-12 09:52:283014 Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長(zhǎng)溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
近年，IQE開(kāi)始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)儲(chǔ)備及規(guī)?；a(chǎn)的能力，可滿足制備微米級(jí)高亮Micro LED的需求。
2024-01-18 11:45:241892 大話顯示3月2日消息，蘋(píng)果近日接連爆出震撼彈，繼傳出喊停Apple Car開(kāi)發(fā)計(jì)劃，解散多達(dá)2千人的團(tuán)隊(duì)，現(xiàn)在可能就連Micro LED Apple Watch項(xiàng)目也告吹了。
2024-03-04 10:27:101149 據(jù)消息人士透露，蘋(píng)果現(xiàn)已終止了尋找新供應(yīng)商的行動(dòng)，并開(kāi)始調(diào)整Micro LED研發(fā)團(tuán)隊(duì)結(jié)構(gòu)。早前，蘋(píng)果已投入數(shù)十億美元進(jìn)行Micro LED屏研發(fā)，旨在首先應(yīng)用于Apple Watch Ultra表款之上。
2024-03-25 15:44:30773 近年在LED上游企業(yè)努力下，更小尺寸的LED芯片在良率以及性能上持續(xù)提升，Mini/Micro LED技術(shù)得以穩(wěn)步發(fā)展。
2024-04-07 10:07:491387 半導(dǎo)體量子點(diǎn)（QD）以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級(jí)結(jié)構(gòu)，成為構(gòu)筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光電子、單電子存儲(chǔ)和單光子器件等方面具有重要應(yīng)用價(jià)值。半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型
2024-06-16 17:23:3612142 
材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點(diǎn)。 近期，在中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國(guó)院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團(tuán)隊(duì)等在量子點(diǎn)異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術(shù)，發(fā)展
2024-11-13 09:31:261408 SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302351 
? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量是確保制備質(zhì)量的關(guān)鍵。白光干涉儀憑借獨(dú)特
2025-05-23 09:39:17632 
高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過(guò)程?
2025-06-17 15:05:451231 
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