Sinitskii表示，“我們以前也研究過其它碳基材料傳感器，如
石墨烯和氧化
石墨烯。使用
石墨烯納米帶，我們確定可以看到傳感器的響應(yīng)，但是我們沒有預(yù)想到會(huì)比過去所看到的更高?！?/div>
2020-05-18 06:44:27
在觀察佩戴假肢的人如何與之交互。科學(xué)的發(fā)展，會(huì)促使這一技術(shù)更加成熟。” 該學(xué)院的研究人員在近兩年的時(shí)間里，一直在嘗試通過3D打印技術(shù)將石墨烯制作成化學(xué)改性涂層，探究其在高靈敏度人造皮膚上的可行性
2016-01-28 10:23:12
碳原子呈六角形網(wǎng)狀鍵合的材料“石墨烯”具有很多出色的電特性、熱特性以及機(jī)械特性。具體來說，具有在室溫下也高達(dá)20萬cm2/Vs以上的載流子遷移率，以及遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過銅的對(duì)大電流密度的耐性。為此，石墨烯有望
2019-07-29 06:27:01
`隨著三部委《關(guān)于加快石墨烯產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干意見》持續(xù)推進(jìn)、《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃》的出臺(tái)和石墨烯產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的不斷推進(jìn)，預(yù)計(jì)2017年我國石墨烯產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱度仍將不減。一是低成本制備技術(shù)
2017-01-18 09:09:18
可供集成的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)素材的理論性能（價(jià)值）的30%以下，都還很有進(jìn)步空間，煎熬著進(jìn)步吧。二、 石墨烯：石墨烯這樣的東東全世界都比較熱，尤其在中國，熱炒，都要炒糊啦。石墨烯在各方面的性能潛力確實(shí)很誘人
2016-03-14 10:00:19
月19日消息，從青島市科技局獲悉，近日青島市儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成功研發(fā)出高能量密度鋰離子電容器，專家鑒定總體達(dá)到國際先進(jìn)水平。該技術(shù)突破了石墨烯復(fù)合電極設(shè)計(jì)與批量制備、可控均勻預(yù)嵌鋰、充放電脹氣
2016-01-20 14:52:37
一、引言2010年，諾貝爾物理學(xué)被兩位英國物理學(xué)家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖諾夫奪得，他們因制備出了石墨烯而獲此殊遇。而石墨烯的成功制備，引起了學(xué)界的巨大轟動(dòng)，也引發(fā)了一場(chǎng)石墨烯制備、理論研究、應(yīng)用開發(fā)的浪潮。石墨烯
2019-07-29 07:48:49
基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識(shí)別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
什么是硅基CMOS技術(shù)？如何去實(shí)現(xiàn)一種石墨烯CMOS技術(shù)？
2021-06-17 07:05:17
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
建議論壇中增加關(guān)于藝術(shù)文化與科學(xué)技術(shù)之間的關(guān)系的版塊，并希望從業(yè)前前輩推薦一些
2015-09-04 13:57:08
續(xù)航能力強(qiáng)的電池又邁進(jìn)了一步。美國加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校段鑲鋒教授解釋，新研制出來的復(fù)合電極技術(shù)，是以多孔石墨烯為三維框架結(jié)構(gòu)、表面均勻生長納米顆粒五氧化二鈮的方式制成的，它能同時(shí)實(shí)現(xiàn)充電快和使用時(shí)間
2017-07-12 15:54:13
待技術(shù)的進(jìn)一步完善。艾邁斯作為鋰電池接插件的生產(chǎn)企業(yè)，也在時(shí)刻關(guān)注石墨烯電池發(fā)展，并將積極開發(fā)石墨烯電池適用的接頭。`
2017-02-15 08:20:03
英國劍橋大學(xué)29日發(fā)布的一項(xiàng)研究成果顯示，研究人員成功將石墨烯電極植入小鼠腦部，并直接與神經(jīng)元連接，這項(xiàng)技術(shù)未來可用于修復(fù)截肢、癱瘓甚至帕金森氏 癥患者的感知功能，協(xié)助他們更好地康復(fù)。石墨烯是從
2016-02-01 15:39:08
隨著國家對(duì)節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場(chǎng)的逐步啟動(dòng)，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點(diǎn)，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
將首次亮相，另外聚碳還將對(duì)外公布其在石墨烯電池領(lǐng)域的三項(xiàng)前瞻性技術(shù)。據(jù)了解，此次發(fā)布會(huì)將會(huì)有三大亮點(diǎn)。第一個(gè)就是可能作為行業(yè)標(biāo)桿的石墨烯基鋰離子移動(dòng)電源。它利用了石墨烯超高的導(dǎo)電和電阻率最小的特性
2017-09-02 11:42:51
計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)具有一系列特點(diǎn),諸如技術(shù)密集、知(2010-05-28 09:45:40)標(biāo)簽：教育計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)具有一系列特點(diǎn),諸如技術(shù)密集、知 識(shí)密集、應(yīng)用面廣、更新速度快等。因此計(jì)算機(jī)教育
2021-09-13 08:17:17
的科學(xué)家創(chuàng)建出一種全新的石墨烯納米帶環(huán)氧涂層，在被施加電壓后，能通過產(chǎn)生的電熱實(shí)現(xiàn)覆冰的融化?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在James Tour教授的帶領(lǐng)下，研究人員將環(huán)氧樹脂涂層與石墨烯納米帶相結(jié)合。石墨烯納米帶是由單層碳原子
2016-01-29 11:16:41
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學(xué)技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-03 13:21:23
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學(xué)技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-06 08:02:08
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)
2012-11-23 09:29:30
1638 石墨烯，是當(dāng)前世界上最薄、最輕、最硬、導(dǎo)電性最好而且擁有強(qiáng)大靈活性的納米材料。
2016-11-28 10:23:20540 正中國科學(xué)家在《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表論文稱，他們在單晶石墨烯制備上取得了一項(xiàng)突破。
2016-12-09 09:41:072760 近日，科學(xué)家對(duì)石墨烯材料又挖掘除了新的用途，開發(fā)了一種智能石墨烯涂層用以感知房屋結(jié)構(gòu)斷裂情況。自石墨烯發(fā)現(xiàn)以來，科學(xué)家就加速挖掘其用途，從太陽能電池到建筑材料，從催化器到抗癌藥物，都能找到石墨烯的身影。
2017-04-26 08:45:181321 石墨烯高性能光學(xué)器件可用于成像、顯示、傳感器和高速通信。題為“由碳化硅襯底與微米量級(jí)石墨烯結(jié)合制成的光電晶體管的位置依賴和毫米范圍光電探測(cè)”的論文發(fā)表在《自然納米技術(shù)》雜志。該項(xiàng)目受到美國國家科學(xué)基金會(huì)和美國國土安全部的聯(lián)合資助。
2017-05-08 17:59:306593 石墨烯一經(jīng)發(fā)現(xiàn)，其理論力、熱、電等性能已經(jīng)可輕松超越許多常規(guī)材料數(shù)倍，同時(shí)被學(xué)者也認(rèn)為石墨烯是碳納米管、富勒烯等碳材料的基本組成單元，但石墨烯的很多實(shí)際應(yīng)用還需要利用石墨烯組裝成宏觀石墨烯組裝體，包括一維石墨烯纖維、二維石墨烯薄膜。
2017-05-10 13:58:313620 
1.石墨烯的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 物理結(jié)構(gòu)：石墨烯，是由碳原子組成的單原子層平面薄膜，厚度僅為0.34納米，單層厚度相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的十五萬分之一。是目前世界上已知的最輕薄、最堅(jiān)硬的納米材料，透光性好，能折疊
2017-09-19 08:57:58
15 。納米技術(shù)可制備具有納米尺度的材料，減少Li+擴(kuò)散距離，顯著提升材料的倍率性能，但是納米材料也會(huì)帶來振實(shí)密度下降、高比表面積的問題，導(dǎo)致電極材料的副反應(yīng)增加，限制了納米技術(shù)在鋰離子電池上的應(yīng)用。 近日來自美國西北
2017-09-22 15:56:114 石墨烯材料誕生于2004年，由英國曼徹斯特大學(xué)兩位科學(xué)家安德烈·杰姆和克斯特亞·諾沃肖洛夫首次在實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)。簡單來說，石墨烯就是把石墨中的堆疊的碳原子分離成單層或者雙層，例如，鉛筆在紙上留下的痕跡就可能是幾層甚至是單層石墨烯。
2017-10-20 17:12:3311791 離子的能量決定了石墨烯薄片表面上納米微孔的孔徑大小，可通過調(diào)節(jié)離子的轟擊能量設(shè)定所形成納米微孔孔徑的大小，使其在1-4納米之間變化。此項(xiàng)成果的研究成功向石墨烯材料特定結(jié)構(gòu)定向獲得邁出了重要的一步。
2017-10-26 15:12:421858 團(tuán)隊(duì)將工業(yè)多晶銅箔轉(zhuǎn)化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長技術(shù)和超快生長技術(shù)成功在20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:334294 新世代高能量納米電池，亦可組成透明電極網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)手機(jī)電池、屏幕元件透明化設(shè)計(jì)，有助加快新世代透明手機(jī)問市。 斯坦福大學(xué)材料科學(xué)與工程系終身教授Yi Cui表示，納米線和納米碳管（Carbon Nanotube）技術(shù)將開創(chuàng)鋰電池設(shè)計(jì)新紀(jì)元，在硅架構(gòu)中導(dǎo)入納米線、納米碳管
2017-12-07 12:20:01965 成員(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究員和劉新宇研究員的帶領(lǐng)下，分別在采用微機(jī)械剝離方法、SiC外延生長法和化學(xué)氣相淀積(CVD)法生長出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯電子器件。
2017-12-09 11:17:121006 
獲得中國石油集團(tuán)石油管工程技術(shù)研究院認(rèn)證的石墨烯納米技術(shù)擁有，零VOC排放，高達(dá)80%干膜氟化石墨烯及氧化鋅含量等特點(diǎn)，這種黑科技為何如此厲害？
2018-05-28 09:46:034377 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，韓國科學(xué)技術(shù)院的研究人員通過開發(fā)一種柔性、透明的超薄分層納米復(fù)合材料（HNC）薄膜，研究出了一種高性能的透明納米觸摸傳感器。
2018-10-22 15:32:223884 同時(shí)研究團(tuán)隊(duì)也詳細(xì)研究了石墨烯上氮化物生長機(jī)理，發(fā)現(xiàn)石墨烯可以改變成核密度，大幅度提高 AlN 成核島的生長速度，從而降低融合邊界的位錯(cuò)密度。 DFT 計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果也驗(yàn)證了石墨烯可以顯著 改善外延
2018-11-21 16:37:186012 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域。最近，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開發(fā)出了石墨烯／藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-25 09:35:531754 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開發(fā)出了石墨烯/藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:263682 
中國院士分為中國科學(xué)院院士和中國工程院院士。中國科學(xué)院院士最初設(shè)立于 1955 年，是中國在科學(xué)技術(shù)方面的設(shè)立的最高學(xué)術(shù)稱號(hào)，而中國工程院院士則是中國工程科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)稱號(hào)，本次最終確定有
2019-05-05 15:05:3012003 石墨烯（Graphene）是一種由碳原子以sp雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的二維碳納米材料?；?b class="flag-6" style="color: red">石墨烯材料的靈感，EOS創(chuàng)始人Daniel Larimer帶領(lǐng)Cryptonomex 公司團(tuán)隊(duì)一起研發(fā)了石墨烯區(qū)塊鏈底層技術(shù)架構(gòu)，并使該架構(gòu)成為了區(qū)塊鏈領(lǐng)域優(yōu)秀的核心底層架構(gòu)。
2019-05-31 11:20:185694 11月22日，2019年新當(dāng)選科學(xué)院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益教授赫列其中，這是國家對(duì)其科學(xué)成就的最高榮譽(yù)，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)以來，我國LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:433419 科學(xué)家們研究了一個(gè)真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進(jìn)了化學(xué)氣相沉積(CVD)生長方法，消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。
2020-04-02 17:47:103617 上海微系統(tǒng)所研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達(dá)~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。
2020-06-01 14:23:563055 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:316737 
今日上午，小米集團(tuán)副總裁、手機(jī)部總裁曾學(xué)忠解讀了石墨烯在電池技術(shù)上的應(yīng)用突破。 據(jù)了解到，小米 10 至尊紀(jì)念版內(nèi)置 4500mAh 電池，支持 120W 有線充電。據(jù)介紹，大功率充電下，小米 10
2020-10-22 10:16:032897 2020年，我國石墨烯研究熱度依舊不減，各高校、研究機(jī)構(gòu)、科研院所等石墨烯科技創(chuàng)新成果不斷涌現(xiàn)。其中中國科學(xué)院大學(xué)聯(lián)合大連理工大學(xué)，在高質(zhì)量、大面積、單層石墨烯的可控合成及其生長激勵(lì)研究方面取得重要進(jìn)展
2021-02-19 09:26:527182 圖形化藍(lán)寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢(shì)在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:281116 
摘要 相比單層石墨烯，特定構(gòu)型的石墨烯納米結(jié)構(gòu)具有更加新奇的物理性質(zhì)，被認(rèn)為是構(gòu)筑基于石墨烯功能納米器件的基本單元。由于納米結(jié)構(gòu)的性質(zhì)對(duì)其局域原子構(gòu)型非常敏感，可控制備高質(zhì)量的、原子級(jí)精確的石墨烯
2021-06-17 16:22:594502 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:061339 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質(zhì)結(jié)的高靈敏度近紅外光探測(cè)器，并對(duì)其電性能與光學(xué)特性進(jìn)行了研究。
2022-11-24 11:20:562613 為制備出具有離子輸運(yùn)調(diào)節(jié)功能的石墨烯納米孔，科研人員利用重離子輻照的方法在石墨烯上制備出單個(gè)納米孔，并通過與PET錐形支撐孔相結(jié)合、在石墨烯納米孔周圍構(gòu)建柵極實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯納米孔周圍電勢(shì)及離子輸運(yùn)行為的調(diào)控（圖1）。
2022-12-02 10:19:451074 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長度方向上遠(yuǎn)高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中
心及難點(diǎn)。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實(shí)驗(yàn)室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 迄今為止， 石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、液相剝離法、碳化硅外延法、化學(xué)氣相沉積法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制備的石墨烯薄膜，尤其是在銅等金屬襯底上生長的石墨烯薄膜，具有質(zhì)量高和可控性好的優(yōu)點(diǎn)，越發(fā)受到科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。
2023-02-22 11:28:293586 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:442359 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:321206 的原理、應(yīng)用、優(yōu)點(diǎn)和未來發(fā)展趨勢(shì)。 1. 石墨烯電池技術(shù)的原理 石墨烯電池技術(shù)是利用石墨烯材料的優(yōu)良特性，包括高電導(dǎo)性、高表面積、高可充放電速率等，來實(shí)現(xiàn)高能量密度和高功率密度的電池技術(shù)。其原理是在石墨烯電極上形成
2023-08-22 17:06:077604 “石墨烯”又名“單層石墨片”，是指一層密集的、包裹在蜂巢晶體點(diǎn)陣上的碳原子，碳原子排列成二維結(jié)構(gòu)，與石墨的單原子層類似。Geim 等利用納米尺寸的金制“鷹架”，制造出懸掛于其上的單層石墨烯薄膜，發(fā)現(xiàn)
2023-08-28 14:58:073920 
CVD因具有可控、高質(zhì)量生長石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報(bào)道石墨烯薄膜可在多個(gè)襯底上生長，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長單層石墨烯，可實(shí)現(xiàn)晶?？烧{(diào)、降低石墨烯固有強(qiáng)度、降低碳原料分解的能量屏障，一定條件下，CVD工藝能帶來可擴(kuò)展、經(jīng)濟(jì)、可重復(fù)且易于使用的優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-01 11:12:531884 
12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:031313 
外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:151686 特異的二維材料石墨烯，由于其狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為零帶隙特性，至今仍是諸多科學(xué)家們面對(duì)的挑戰(zhàn)。然而，馬雷教授領(lǐng)軍的科研團(tuán)隊(duì)，在對(duì)外延石墨烯生長過程進(jìn)行精密調(diào)整后，成功構(gòu)筑了新型穩(wěn)定半導(dǎo)體石墨烯。
2024-01-08 10:40:311525 石墨烯電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)攻克
2024-01-09 09:45:491239 
Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
當(dāng)?shù)潞諣柡退膱F(tuán)隊(duì)弄清楚如何使用特殊熔爐在碳化硅晶圓上生長石墨烯時(shí)，他取得了突破。他們生產(chǎn)了外延石墨烯，這是在碳化硅晶面上生長的單層。
2024-02-21 15:26:501045 異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長技術(shù)，它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生長出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421714 
、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性以及機(jī)械強(qiáng)度。單層石墨烯的厚度僅為0.335納米，是頭發(fā)直徑的二十萬分之一，且?guī)缀跬耆该?，只吸收約2.3%的光。這些特性使得石墨烯在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛
2024-09-30 08:02:161697 
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302351 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496653 
襯底的關(guān)鍵組件，其結(jié)構(gòu)和性能對(duì)外延片的質(zhì)量具有決定性影響。本文將詳細(xì)介紹一種用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)，探討其設(shè)計(jì)特點(diǎn)、工作原理及在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)
2025-01-08 15:49:10364 
引言
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長過程中，襯底應(yīng)力問題一直是
2025-02-08 09:45:00268 ，石墨烯在非金屬基板上的生長面臨著一系列的挑戰(zhàn)，特別是高密度的成核和低質(zhì)量的薄膜問題。 ? 鑒于此，北京大學(xué)劉忠范院士團(tuán)隊(duì)提出了一種創(chuàng)新的“預(yù)熔基板促進(jìn)選擇性刻蝕”（PSE）策略，成功解決了這些問題，使得石墨烯在玻璃
2025-02-08 10:50:14772 本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39870 
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