深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架
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功率半導(dǎo)體井噴:IGBT模塊主流廠商與產(chǎn)品
電機(jī)、賽米控等,而國(guó)內(nèi)IGBT主要廠商有斯達(dá)半導(dǎo)體、中車、廣東芯聚能、宏微科技等。目前國(guó)內(nèi)外IGBT實(shí)力相差懸殊,但隨著新基建、新能源汽車等發(fā)展,國(guó)內(nèi)IGBT已經(jīng)初具規(guī)模,并在不斷縮小與國(guó)外廠商的差距。 一、 IGBT市場(chǎng)分析 IGBT供不應(yīng)求,行業(yè)持續(xù)向好發(fā)展,
2020-07-27 10:28:09
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11162功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
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IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應(yīng)用
和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT絕緣柵雙極晶體管
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用基礎(chǔ)
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問(wèn)題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問(wèn)題:一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性?二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊(cè)SEMIKRON
`本書主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶,并把基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述歸納總結(jié)。本手冊(cè)站在用戶的角度上,去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)如何?
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
半導(dǎo)體功率器件的分類
近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
半導(dǎo)體材料有什么種類?
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初,就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成,成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體電阻率測(cè)試方案解析
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù),為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況,需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種,其中四探針?lè)ň哂性O(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體的熱管理解析
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列,可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
ON安森美高功率應(yīng)用TO247封裝IGBT單管
,究竟它是如何辦到的?讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解?! ⊥ㄟ^(guò)TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能,它在
2020-07-07 08:40:25
PPF框架在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用
半導(dǎo)體工業(yè)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)?!娟P(guān)鍵詞】:RoHS指令;;PPF框架;;綠色封裝;;半導(dǎo)體工業(yè)【DOI】:CNKI:SUN:DYFZ.0.2010-03-016【正文快照】:1引言2003年1月27日
2010-05-04 08:10:38
【基礎(chǔ)知識(shí)】功率半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)介
,功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起,功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn),目前可承受
2019-02-26 17:04:37
主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
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什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?! ∪欢?,所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想,并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?
什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?
2021-06-26 06:14:32
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:MOSFET與IGBT模塊
所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
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兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)用,看完你就知道了
變速驅(qū)動(dòng)的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)用
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國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
國(guó)內(nèi)最大車規(guī)IGBT廠商 比亞迪半導(dǎo)體將分拆至創(chuàng)業(yè)板
公司的主要從事新能源汽車及傳統(tǒng)燃油汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務(wù)、手機(jī)部件及組裝業(yè)務(wù)、二次充電電池及光伏業(yè)務(wù),并積極拓展城市軌道交通業(yè)務(wù)領(lǐng)域;而比亞迪半導(dǎo)體主營(yíng)功率半導(dǎo)體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導(dǎo)體
2021-05-14 20:17:31
國(guó)貨之光!比亞迪半導(dǎo)體IGBT
國(guó)貨之光!比亞迪半導(dǎo)體IGBT帶快速恢復(fù)二極管,變頻器,逆變器,UPS,焊機(jī),
2022-09-29 19:02:44
在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi),意法半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)比較
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?! 闈M足市場(chǎng)需求,意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?! ”疚脑趯?shí)際
2018-11-20 10:52:44
大功率半導(dǎo)體激光電源的作用有哪些
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率,輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
如何用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱?
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱,需要用到大功率電源,半導(dǎo)體制冷片,還有散熱系統(tǒng),單片機(jī)控制系統(tǒng),能調(diào)溫度,還能顯示溫度,具體的思路已經(jīng)有了,想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見,能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
安森美半導(dǎo)體智能功率模塊(IPM)及易于采用的工具和仿真支持
最新的電源模塊,結(jié)合高能效與強(qiáng)固的物理和電氣設(shè)計(jì),用于要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用。展出的電動(dòng)工具演示將向觀眾演示安森美半導(dǎo)體的電源模塊如何幫助實(shí)現(xiàn)緊湊、高能效的設(shè)計(jì),以支持較長(zhǎng)的電池使用壽命。功率模塊是電源轉(zhuǎn)換
2018-10-30 09:06:50
未來(lái)5年,GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)發(fā)生哪些變化?
`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
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采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)?
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖?采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)?
2021-07-09 06:25:46
高效能IGBT助力高功率應(yīng)用
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出
2019-07-18 06:12:00
#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件 功率半導(dǎo)體器件-28-功率MOSFET3-2
IGBTFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:43:38


賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24
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1261IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論免費(fèi)下載
《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線,系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí),內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:37
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0安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功率模塊,尤其在收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體后
2017-05-16 16:43:39
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功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)
目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及,且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件,IGBT還處于研發(fā)階段。
2017-09-20 17:46:59
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44功率半導(dǎo)體器件的直接均流技術(shù)的解析
)等,還是新型功率半導(dǎo)體器件,如:門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、門極換流晶閘管(GCT)、集成門極換流晶閘管(IGCT)等,甚至是絕緣柵雙極晶體管(IGBT),都屬于雙極注入器件,所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實(shí)際應(yīng)用中,往往有多個(gè)器件的并
2017-10-31 10:19:41
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12比亞迪推出IGBT4.0引領(lǐng)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體發(fā)展
經(jīng)過(guò)10余年的技術(shù)積累,比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng),中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)秘書長(zhǎng)蔚紅旗表示:“比亞迪在電動(dòng)車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局較早,而且真抓實(shí)干,在電動(dòng)車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)造了領(lǐng)先,中國(guó)的電動(dòng)車發(fā)展不用擔(dān)心被‘卡脖子’了。”
2018-12-13 16:51:01
6183
6183深度解析功率半導(dǎo)體器件概念及發(fā)展趨勢(shì)
中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模約占全球40%,但自給率很低,90%的需求依賴進(jìn)口來(lái)滿足,由此功率半導(dǎo)體器件被國(guó)人寄予了“國(guó)產(chǎn)替代”的厚望。
2019-02-21 17:16:08
77209
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)及機(jī)會(huì)深度解析!
IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進(jìn)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇。
2019-06-27 10:04:33
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IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)
7月16日,浙江省嘉善縣數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展再傳捷報(bào),IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。
2019-07-18 10:04:14
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4073什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:00
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功率半導(dǎo)體是什么,igbt產(chǎn)品又是如何分類的
關(guān)于IGBT,小編已經(jīng)寫過(guò)很多篇文章了。今天主要來(lái)講講什么是功率半導(dǎo)體?IGBT產(chǎn)品又是如何分類的?與芯片又有哪些不同呢?
2022-03-11 11:22:04
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半導(dǎo)體之功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)端分析
,普通晶閘管(Thyristor,SCR)、門極關(guān)斷晶閘管(GTO) 和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)先后成為功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展平臺(tái)。能稱為“平臺(tái)”者, 一般是因?yàn)樗鼈兙邆湟韵聨讉€(gè)特點(diǎn):①長(zhǎng)壽性,即產(chǎn)品生命周期長(zhǎng);②滲透性,即應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?/div>
2022-03-25 15:59:00
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新能源汽車中功率半導(dǎo)體的解析
隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展,汽車電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會(huì)。在傳統(tǒng)燃料汽車中,汽車電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車身、安全、娛樂(lè)等子系統(tǒng)中。按照功能劃分,汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET等)、MCU、傳感器及其他等元器件。
2022-11-06 21:20:27
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4296車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體:IGBT和MOSFET是主要產(chǎn)品
功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程在半導(dǎo)體功率器件中,MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,相比于功率二極管、功率三級(jí)管和晶閘管等電流控制型開關(guān)器件,具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn),應(yīng)用前景十分廣闊。
2022-11-28 16:18:58
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5912BJT,MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:14
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IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。今天SPEA和大家重點(diǎn)介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35
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1311什么是功率半導(dǎo)體?
功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來(lái)。
2023-02-06 14:27:21
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IGBT功率半導(dǎo)體器件
IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí),市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,有
2023-02-15 16:26:32
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41功率半導(dǎo)體類型及特點(diǎn)
功率半導(dǎo)體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可以控制電流的半導(dǎo)體元件,它可以在非常短的時(shí)間內(nèi)控制電流的流動(dòng),從而控制電力的輸出。
2023-02-15 17:55:51
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1945功率半導(dǎo)體的工作原理是什么
、IGBT、MOSFET、GTO等。 功率半導(dǎo)體的工作原理可以分為三個(gè)階段:導(dǎo)通、截止和反向恢復(fù)。 在導(dǎo)通狀態(tài)下,當(dāng)控制信號(hào)輸入時(shí),功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻將迅速降低,電流可以從其正極流向負(fù)極。在導(dǎo)通狀態(tài)下,功率半導(dǎo)體器件將消耗
2023-02-18 11:17:03
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3132半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討
三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:43
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科技語(yǔ)言解讀:功率半導(dǎo)體、分立器件和集成電路的細(xì)節(jié)解析
在電子技術(shù)和半導(dǎo)體行業(yè)中,功率半導(dǎo)體、分立器件、功率器件、集成電路、功率分立器件等術(shù)語(yǔ)常常出現(xiàn),了解它們的區(qū)別和關(guān)聯(lián)是理解電子器件工作原理的重要一環(huán)。本文將深入解析這些術(shù)語(yǔ),幫助你分清它們的界定和劃分。
2023-06-10 10:20:52
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功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:03
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浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無(wú)空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:57
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功率器件igbt工藝流程圖解
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:52
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功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:05
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25
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深度解析電動(dòng)汽車核心器件——IGBT
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 10:11:53
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)
這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇,IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)
2023-12-06 11:54:39
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40意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36
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一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推陳出新 IGBT搭乘新能源快車打開增長(zhǎng)
2024-07-21 17:43:41
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半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中脫穎而出,然而,傳統(tǒng)的焊接技術(shù)已經(jīng)難以滿足
2024-07-19 10:23:20
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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碳化硅VS硅基IGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:41
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功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:43
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半導(dǎo)體制冷技術(shù):從原理到應(yīng)用深度解析
。本文華晶溫控將從物理原理、技術(shù)發(fā)展、應(yīng)用場(chǎng)景等維度深度解析該技術(shù),并探討其未來(lái)的發(fā)展方向。一、半導(dǎo)體制冷技術(shù)的核心原理半導(dǎo)體制冷的理論基礎(chǔ)源自1834年法國(guó)物理
2025-05-14 15:09:15
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一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡(jiǎn)單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊,和其結(jié)構(gòu)組成,介紹其應(yīng)用場(chǎng)景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。
2025-09-10 17:57:47
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傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析:SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn)
傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析:SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12
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傾佳電子深度解析AI人工智能微電網(wǎng)解決方案:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體如何重塑能源未來(lái)
傾佳電子深度解析AI人工智能微電網(wǎng)解決方案:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體如何重塑能源未來(lái) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-22 06:41:19
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傾佳電子行業(yè)洞察:中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)與企業(yè)采購(gòu)策略深度解析
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2025-10-09 18:31:03
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傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告
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2025-12-01 09:49:52
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固態(tài)變壓器SST的拓?fù)浼軜?gòu)深度解析與基本半導(dǎo)體SiC模塊的工程應(yīng)用研究
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2025-12-16 09:15:02
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