SDRAM存儲(chǔ)器讀寫速度較高，其單位容量的功耗較低，廣泛應(yīng)用在許多工程項(xiàng)目中，特別在雷達(dá)、圖像處理等需要高速度、大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，SDRAM存儲(chǔ)器有著廣泛的應(yīng)用價(jià)值。而單片SDRAM存儲(chǔ)器一般是直接焊接在電路板上，而且引腳較多、一旦遇上SDRAM存儲(chǔ)器工作故障，更換芯片比較麻煩，并且當(dāng)需要擴(kuò)充容量時(shí)修改電路也不方便。計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量，高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域，應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲(chǔ)器，給實(shí)際電路的更改和存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展帶來了極大的方便。本篇文章宇芯電子存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商主要介紹關(guān)于SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)。

SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)

SDRAM內(nèi)存條的工作模式對時(shí)序要求嚴(yán)格，只有上電邏輯和模式設(shè)置正確才能進(jìn)入相應(yīng)的工作模式。訪問特定邏輯單元必須先激活相應(yīng)的存儲(chǔ)塊（BANK），并鎖定對應(yīng)行、列地址。另外必須有定時(shí)的刷新邏輯保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。SDRAM內(nèi)存條的控制由一些專用控制引腳和地址線輔助完成CS/RASICAS/WR在時(shí)鐘上升沿的狀態(tài)決定具體操作動(dòng)作，地址線和BANK選擇控制線在部分操作動(dòng)作中作為輔助參數(shù)輸入。

1.1 上電邏輯和模式設(shè)置

SDRAM內(nèi)存條所有電源引腳必須同時(shí)加電，并且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標(biāo)稱值0.3V。加電完成后應(yīng)立即對所有BANK進(jìn)行預(yù)充電，然后等待20Ous以避免輸出總線上的數(shù)據(jù)沖突，等待期間要求DQM和CKE保持高電平。等待20Ous以后需要發(fā)出模式寄存器設(shè)置（MRS）命令以初始化模式寄存器，并附加八個(gè)自動(dòng)刷新周期（CBR）以保證后續(xù)操作正常。模式寄存器設(shè)置命令使用地線和BANK選擇作為模式數(shù)據(jù)輸入線。其中AA，Ao為BURST長度，A為尋址模式，AAsA編碼為CL值，A為寫模式。模式寄存器的設(shè)置值必須與器件的延遲參數(shù)以及與讀寫操作的控制時(shí)序--致，否則將導(dǎo)致錯(cuò)誤或不可靠的讀寫。

1.2存儲(chǔ)單元訪問

SDRAM內(nèi)存條采用地址線復(fù)用而減少I/O引腳數(shù)量。BANK激活周期鎖定行地址，讀寫操作命令發(fā)出時(shí)，鎖定列地址。任意讀寫操作前都必須有BANK激活命令，BANK激活命令激活相應(yīng)BANK并鎖存行地址，BANK激活命令到后續(xù)讀寫的延遲必須不小于tRCD。同時(shí)一旦BANK被激活后只有執(zhí)行一次預(yù)充命令后才能再次激活同一BANK。兩次激活的間隔不小于tRC。每次激活后BANK保持激活狀態(tài)的最長時(shí)間由指標(biāo)tRAS（max）決定。

1.3刷新邏輯和預(yù)充

SDRAM內(nèi)存條的存儲(chǔ)單元相當(dāng)于一-個(gè)電容，必須有定時(shí)的刷新周期以避免數(shù)據(jù)丟失，刷新控制器決定刷新的時(shí)間間隔，刷新計(jì)數(shù)器保證每個(gè)單元都能被刷新。當(dāng)然這意味著SDRAM內(nèi)存條的部分周期必須分配給刷新操作而降低系統(tǒng)性能，SDRAM內(nèi)存條可以采用自動(dòng)刷新或自刷新，自動(dòng)刷新實(shí)現(xiàn)較為簡單而自刷新功耗更小。預(yù)充對BANK 預(yù)充電或者關(guān)閉已激活的BANK，當(dāng)CS、RAS和WE為低而CAS為高時(shí)為預(yù)充命令，SDRAM內(nèi)存條既可分別預(yù)充特定BANK也可同時(shí)作用于所有BANK，A10、BS0和BS1用于選擇BANK。

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