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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>利用APSYS半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)出SiC基IGBT計(jì)算模型

      利用APSYS半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)出SiC基IGBT計(jì)算模型

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      2025-10-08 10:04:18589

      傾佳電子SiC碳化硅賦能儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)大時(shí)代：市場(chǎng)分層與基本半導(dǎo)體的戰(zhàn)略?xún)r(jià)值

      和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
      2025-10-03 16:09:15317

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù)：機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級(jí)解決方案

      升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)
      2025-10-02 09:29:39704

      傾佳電力電子系統(tǒng)中共模電壓和共模電流的深度研究及SiC功率器件的抑制貢獻(xiàn)

      和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子
      2025-09-29 21:02:527080

      羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

      、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應(yīng)用案例，憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計(jì)和廣泛的應(yīng)用適配能力，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體，現(xiàn)場(chǎng)參觀走訪ROHM的展臺(tái)，與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。 碳化硅（SiC）模塊
      2025-09-29 14:35:1812442

      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      目前車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件
      2025-09-29 10:44:262629

      陽(yáng)臺(tái)光儲(chǔ)電源系統(tǒng)架構(gòu)及SiC器件替代超結(jié)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可
      2025-09-23 08:28:001056

      傾佳電子深度解析AI人工智能微電網(wǎng)解決方案：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體如何重塑能源未來(lái)

      電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-22 06:41:19774

      SiC碳化硅功率半導(dǎo)體：電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

      茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子
      2025-09-21 20:41:13419

      BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和
      2025-09-19 17:34:561104

      基本半導(dǎo)體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲(chǔ)微網(wǎng)中的應(yīng)用及固態(tài)直流斷路器技術(shù)深度分析

      電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電
      2025-09-19 09:46:521688

      傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn)

      電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-14 22:59:12920

      一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

      功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡(jiǎn)單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊，和其結(jié)構(gòu)組成，介紹其應(yīng)用場(chǎng)景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。
      2025-09-10 17:57:472556

      傾佳電子行業(yè)洞察：碳化硅（SiC）模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析

      專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
      2025-09-09 10:46:16798

      傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

      、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-07 14:57:042117

      傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述

      當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動(dòng)化與智能化升級(jí)，功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借其寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高頻低損耗等
      2025-09-06 13:14:26735

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

      、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
      2025-09-05 08:36:442199

      基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)板技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用價(jià)值深度分析

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢(shì)為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
      2025-08-30 10:03:114774

      詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

      電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí)，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動(dòng)著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
      2025-08-25 11:28:122525

      碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)突圍：大數(shù)據(jù)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu)，邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

      當(dāng)SiC從幕后走向舞臺(tái)中央數(shù)十年來(lái)，硅材料一直被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的唯一解決方案。當(dāng)全球頂尖晶圓廠專(zhuān)注于硅基芯片研發(fā)時(shí)，化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域早已在悄然突破——從InP,SiN,GaAs,Ge,InGaAs
      2025-08-19 13:47:58904

      功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

      在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
      2025-07-29 16:21:17

      深?lèi)?ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

      深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
      2025-07-23 14:36:03

      SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢(shì)呢?

      在功率電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實(shí)現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi
      2025-07-21 09:57:571245

      現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

      目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
      2025-07-12 16:18:42

      功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

      結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
      2025-07-11 14:49:36

      傾佳電子：SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng)，引領(lǐng)能效革命

      的核心“調(diào)度官”，負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲(chǔ)能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動(dòng)。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開(kāi)關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的崛起，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革命性突破。
      2025-06-25 06:45:05693

      大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

      有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
      2025-06-24 15:10:04

      羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

      在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問(wèn)題。但是，這次開(kāi)發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
      2025-06-23 14:25:061170

      選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

      傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開(kāi)關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì)，成為理想選擇?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊，憑借其高性能與高可靠性，為盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)革新突破。
      2025-06-19 16:59:06729

      SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

      為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對(duì)IGBT，MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟谕秸髂Ｊ?。本文?jiǎn)要介紹其損耗計(jì)算方法。
      2025-06-18 17:44:464438

      突破性能邊界：基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

      取代傳統(tǒng)硅基器件。基本半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹(shù)立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
      2025-06-16 15:20:29711

      熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

      傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)
      2025-06-09 07:07:17727

      國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

      SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
      2025-06-07 06:17:30911

      功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

      隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
      2025-06-03 15:43:331152

      半導(dǎo)體器件CV測(cè)量技術(shù)解析

      前言：研究器件特性和器件建模都離不開(kāi)精確的電容電壓(CV)測(cè)量。精確的CV模型在仿真器件的開(kāi)關(guān)特性，延遲特性等方面尤為重要。目前，在寬禁帶器件（GaN/SiC）、納米器件、有機(jī)器件、MEMS等下
      2025-06-01 10:02:091354

      硅基時(shí)代的黃昏：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

      ，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和平面高壓硅基MOS
      2025-05-30 16:24:03932

      什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應(yīng)用哪里？

      MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開(kāi)關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
      2025-05-26 14:37:052284

      IGBT模塊吸收回路分析模型

      盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同，但對(duì)于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源，開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
      2025-05-21 09:45:301051

      從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！

      從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
      2025-05-19 10:16:02

      國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

      國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC
      2025-05-18 14:52:081323

      IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

      IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
      2025-05-15 14:55:081426

      聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)IGBT驅(qū)動(dòng)能效升級(jí)

      隨著新能源汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化、可再生能源的快速發(fā)展，IGBT的市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局IGBT領(lǐng)域，迎接廣闊發(fā)展機(jī)遇，為未來(lái)增長(zhǎng)提供動(dòng)力。
      2025-05-14 09:51:23896

      功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

      IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
      2025-04-16 08:06:431298

      碳化硅VS硅基IGBT：誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王？

      在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
      2025-04-02 10:59:415532

      Keithley高壓靜電計(jì)的SiC器件兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

      一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等
      2025-03-31 13:36:51605

      MOSFET與IGBT的區(qū)別

      的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?SMPS的進(jìn)展一直以來(lái)，離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動(dòng)。作為主要的功率開(kāi)關(guān)器件IGBT、功率MOSFET和功率二極管正不斷
      2025-03-25 13:43:17

      碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

      碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅在
      2025-03-13 11:12:481580

      全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

      功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
      2025-03-13 00:27:37767

      SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

      在光伏逆變器、車(chē)載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
      2025-03-12 10:35:582463

      北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

      融資，技術(shù)覆蓋芯片制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)。 總結(jié) 以上企業(yè)覆蓋了車(chē)規(guī)芯片、AI計(jì)算、晶圓制造、存儲(chǔ)技術(shù)等核心領(lǐng)域，展現(xiàn)了北京在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面布局。若需更完整名單或細(xì)分領(lǐng)域分析，可參考相關(guān)來(lái)源
      2025-03-05 19:37:43

      國(guó)產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

      基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件兩電平MPPT升壓方案成為趨勢(shì) 一、方案
      2025-03-03 17:01:16935

      見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史：SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT！

      進(jìn)入2025年以來(lái)，全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象，比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn)：SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT！主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
      2025-03-03 16:28:221386

      SiC MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

      （Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）作為SiC基半導(dǎo)體器件的重要組成部分，具備高效率、高溫工作和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)，已在多個(gè)領(lǐng)域得到了實(shí)際應(yīng)用。本文將詳細(xì)探討SiCMOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及其在不同領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
      2025-03-03 16:03:451428

      華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

      近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
      2025-02-28 17:33:531172

      高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

      模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)！ 傾佳
      2025-02-10 09:41:151009

      高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

      模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)！ 傾
      2025-02-09 20:17:291126

      半導(dǎo)體常用器件

      半導(dǎo)體常用器件的介紹
      2025-02-07 15:27:210

      濕度大揭秘！如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻？

      近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
      2025-02-07 11:32:251527

      意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

      在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
      2025-02-07 10:38:501640

      光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對(duì)比

      在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）設(shè)計(jì)中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
      2025-02-05 14:41:381157

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

      功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
      2025-02-03 14:17:001354

      SiC MOSFET的參數(shù)特性

      碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過(guò)對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
      2025-02-02 13:48:002733

      使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

      。 下面我們以 [Microchip Technology] 的 SiC 器件為例，從 SiC 技術(shù)的基本優(yōu)勢(shì)入手，為您打消這些顧慮。隨后，我們將探討 SiC 功率半導(dǎo)體，并展示有助于管理開(kāi)發(fā)過(guò)程的仿真工具
      2025-01-26 22:10:001253

      Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

      大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
      2025-01-21 11:03:572634

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-20 17:33:501975

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-13 17:36:111819

      意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述

      意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
      2025-01-09 14:48:331278

      2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察

      趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
      2025-01-08 16:32:155035

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-06 17:05:481328

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