采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
（on）電阻值會隨著電流增大輕微上升，因此選擇時需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優(yōu)化驅(qū)動電路，改進散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。
2025-12-23 06:15:35
在手機快充、新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器等電力電子設(shè)備中，藏著一個關(guān)鍵“電子開關(guān)”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制電流的通斷，而“開關(guān)頻率”直接決定了設(shè)備的體積、效率和性能。頻率越高，能量
2025-12-19 09:26:48
1445 
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，在各類電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2025-12-16 09:45:03266 AMD Vivado 設(shè)計套件以文件和庫的形式提供仿真模型。仿真庫包含器件和 IP 的行為和時序模型。編譯后的庫可供多個設(shè)計項目使用。用戶必須在設(shè)計仿真之前通過名為 compile_simlib 的實用程序編譯這些文件，以便為目標(biāo)仿真器編譯仿真模型。
2025-12-12 15:08:354555 
。
再進一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個仿真試驗，實驗在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進行仿真實驗：
當(dāng)R3為1歐姆時，輸出電壓Vds上
2025-12-02 06:00:31
在模擬集成電路設(shè)計中，精確的MOSFET模型是確保電路性能預(yù)測準(zhǔn)確性的基石。而溝道電荷分配原則，正是連接晶體管直流特性與交流特性的關(guān)鍵橋梁。如果簡單地認為所有電荷都均勻分配或不隨偏置變化，就會嚴(yán)重錯誤地估計電路的速度（fT）、延時和AC特性。今天，我們將從物理本質(zhì)出發(fā)，深入解析這一重要概念。
2025-11-19 15:34:006083 
：耐壓100V功率MOSFET管，VGS耐壓約為30V。在器件處于關(guān)斷時，VGD也會到100V，是因為柵極與源極之間的柵氧化層厚度比較厚，還是說壓降主要在襯底與外延層上面？
回復(fù)：柵極與源極最大電壓
2025-11-19 06:35:56
據(jù)中心）中的氣流、溫度和熱傳遞。產(chǎn)品功能介紹：智能網(wǎng)格劃分技術(shù)：采用笛卡爾網(wǎng)格與自適應(yīng)網(wǎng)格劃分算法，可高效處理復(fù)雜電子模型，支持從亞微米級到米級的多尺度仿真，顯著提
2025-11-06 14:08:26
在工程設(shè)計領(lǐng)域，三維CAD軟件已成為不可或缺的工具，它不僅幫助設(shè)計師快速創(chuàng)建準(zhǔn)確的三維模型，還通過仿真分析功能在設(shè)計初期發(fā)現(xiàn)并解決潛在問題，從而大幅降低產(chǎn)品開發(fā)成本和風(fēng)險。作為達索系統(tǒng)的旗艦產(chǎn)品
2025-11-05 10:18:04367 
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T，以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場景的小型化與高效化訴求，其技術(shù)設(shè)計與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。
2025-11-04 16:20:18297 
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設(shè)計用于中/高壓MOSFET，具有非常低的單位面積R ~DS(on)~ 。該器件采用創(chuàng)新的超級結(jié)MDmesh M9技術(shù)，具有多漏極制造工藝，可實現(xiàn)增強型器件結(jié)構(gòu)。
2025-10-30 10:47:09365 
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的R~DS(on)~ 和快速恢復(fù)二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，提供多漏極制造工藝，從而實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的增強。
2025-10-30 10:12:05347 
for Science熱點模型及數(shù)據(jù)集，支持地球科學(xué)、生物信息、流體仿真、材料化學(xué)等領(lǐng)域用戶進一步開發(fā)新模型，并實現(xiàn)百倍提升模型研發(fā)與優(yōu)化效率，讓用戶3小時開發(fā)一個模型成為可能。
2025-10-28 17:29:27813 與熱特性。目前，該平臺已集成一款基于SPICE（電路仿真程序）的模型生成工具，可將外部電路和柵極驅(qū)動器選型納入系統(tǒng)級仿真。該工具通過充分考慮器件的非線性半導(dǎo)體物理特
2025-10-27 17:03:45421 
在過去的幾十年里，半導(dǎo)體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個參數(shù)發(fā)展到 MOSFET BSIM 模型中的數(shù)百個參數(shù)。
2025-10-16 16:21:541017 運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進
2025-10-15 11:27:0221895 
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點及實現(xiàn)路徑的詳細闡述：污染物分類與對應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
可能是在做電路仿真，遇到了器件缺失的問題。用戶身份可能是電子工程學(xué)生或者工程師，正在設(shè)計或測試電路，尤其是用到差分放大器的場景，比如傳感器信號調(diào)理或者高速數(shù)據(jù)采集。 嗯，深層需求可能不只是解決當(dāng)前模型缺失，而是想確保仿真準(zhǔn)確性和效率，避免項目延遲。他可能擔(dān)心自己找的替代方案是
2025-10-09 09:18:37669 ? 由 NVIDIA、Google DeepMind 以及 Disney Research 聯(lián)合開發(fā)的開源物理引擎 Newton，現(xiàn)可在 NVIDIA Isaac Lab 中使用。這一物理引擎將助力
2025-09-30 09:52:542853 
針對不同的連鑄需求，如方坯連鑄、板坯連鑄、圓坯連鑄，以及不同鋼種（碳鋼、不銹鋼、高合金鋼等）或有色金屬的連鑄工藝，ProCAST 提供了高度靈活的建模與仿真方法。用戶可以根據(jù)具體應(yīng)用選擇穩(wěn)態(tài)仿真或瞬態(tài)仿真，并靈活設(shè)定邊界條件、冷卻方式、拉速變化等工藝參數(shù)，以實現(xiàn)對實際生產(chǎn)工況的精準(zhǔn)模擬。
2025-09-23 14:12:22820 
和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可
2025-09-23 08:28:001056 
，持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術(shù)平臺，通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、優(yōu)化的制造工藝和先進的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
2025-09-16 14:56:051646 
近日，摩爾線程正式發(fā)布并開源大模型分布式訓(xùn)練仿真工具SimuMax 1.0版本。該版本在顯存和性能仿真精度上實現(xiàn)突破性提升，同時引入多項關(guān)鍵功能，進一步增強了模型兼容性、靈活性與用戶體驗。
2025-09-11 18:19:133471 
傳感器仿真模型。該模型支持從虛擬環(huán)境構(gòu)建到物理觸覺渲染的端到端流程，滿足云端大規(guī)模仿真訓(xùn)練需求的同時，補充邊緣設(shè)備的實時交互場景，提升了觸覺仿真的精度與效率邊界。
2025-09-06 15:30:501659 SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時間是供應(yīng)商在評估器件初期，使用單管封裝測試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561104 
攀升，成為芯片開發(fā)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一?；旌?b class="flag-6" style="color: red">仿真：融合物理原型與虛擬原型的前沿技術(shù)混合仿真是一種先進的芯片驗證技術(shù)，它通過將硬件仿真與虛擬原型相結(jié)合，構(gòu)建出一個兼具高精度
2025-08-29 10:49:35937 
在 2025 年的 Google 谷歌開發(fā)者大會上，AI 不是一門“技術(shù)”，更是一股徹底改變開發(fā)范式的“力量”，助力開發(fā)者們在海外市場更上一層樓。AI 已經(jīng)不僅僅是生成幾行代碼，它正在全面提升整個開發(fā)過程。從模型突破到工具優(yōu)化，從本地開發(fā)到全球落地，每一項更新，都在回應(yīng)開發(fā)者最迫切的需求。
2025-08-29 09:29:24984 今天我們來聊聊工程師在仿真時比較關(guān)注的問題。眾多的器件模型，我在仿真的時候到底應(yīng)該怎么選擇一個器件的模型？我使用的這個器件模型的精確度夠嗎？我自己能否做一個器件模型來支持我的電路仿真？要想探究這些問題，我想我們有必要先了解一下器件模型工程師他們是怎么做出一個模型的。
2025-08-28 13:42:261170 
共同賦能端側(cè)人工智能 (AI) 部署，助力本土開發(fā)者實現(xiàn) AI 應(yīng)用創(chuàng)新！ 這次的首日開源適配是雙方再次攜手提升端側(cè)應(yīng)用功能和用戶體驗的又一例證。去年，Arm 將 Arm KleidiAI 技術(shù)與騰訊混元自研的 Angel 機器學(xué)習(xí)框架進行集成，從而提高移動端 AI 服務(wù)的推理性能
2025-08-08 09:16:151239 
汽車制動助力器作為關(guān)鍵安全部件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的密封性、連接強度及尺寸精度直接關(guān)系到行車安全。激光焊接技術(shù)憑借其獨特的加工優(yōu)勢，正在革新助力器核心部件的制造工藝，為提升產(chǎn)品性能和可靠性提供強大支撐。下面
2025-08-07 15:03:46562 
-Cognizant推出AI Training Data Services，助力企業(yè)級AI模型加速開發(fā) Cognizant是數(shù)據(jù)與AI模型訓(xùn)練合作伙伴，長期深受大型數(shù)字原生先鋒企業(yè)信賴，助力其訓(xùn)練
2025-07-31 17:25:46630 ?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵，而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國家級高新技術(shù)企業(yè)，合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同，致力于在氧化層厚度、溝道長度和摻雜濃度等核心參數(shù)上突破。如今，合科泰的MOS管被廣泛地應(yīng)用在汽車電子、消費電子當(dāng)中。
2025-07-10 17:34:34543 
隨著基于模型設(shè)計（MBD）開發(fā)量的增長，其對應(yīng)的測試需求也顯著提升。此前，在《您的模型診斷專家MI：助力把好模型質(zhì)量關(guān)》一文中詳述了模型靜態(tài)測試的重點與實施方式。與靜態(tài)檢查的“掃描式”審查不同，模型
2025-07-09 16:37:37885 
[摘要]基于無刷直流電機(BLDCM)模型和汽車電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)動力學(xué)模型,構(gòu)建了BLDCM 控制仿真模型和 EPS性能仿真模型;設(shè)計了以ARM7LPC2131為控制器內(nèi)核和以
2025-07-08 19:28:54
【HarmonyOS 5】鴻蒙中Stage模型與FA模型詳解 ##鴻蒙開發(fā)能力 ##HarmonyOS SDK應(yīng)用服務(wù)##鴻蒙金融類應(yīng)用 （金融理財# 一、前言 在HarmonyOS 5的應(yīng)用開發(fā)
2025-07-07 11:50:23765 近日，中軟國際簽約某大型石油企業(yè)大模型開發(fā)項目。作為中國能源化工行業(yè)首個備案的大模型，此次簽約標(biāo)志著中軟國際在能源化工行業(yè)人工智能領(lǐng)域取得了重大突破。根據(jù)項目規(guī)劃，中軟國際將針對輸送管質(zhì)量檢測、常減壓工藝運行優(yōu)化、設(shè)備預(yù)測性維護等業(yè)務(wù)場景，助力客戶解決生產(chǎn)各環(huán)節(jié)問題，助力行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。
2025-07-05 17:03:191281 設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。 新模型“ROHM Level 3（L3）”通
2025-07-04 15:10:38519 
”）打造企業(yè)級全流程AI模型工藝平臺——AIRUNS 3.0，深度適配國產(chǎn)軟硬件，實現(xiàn)從數(shù)據(jù)接入到模型落地的高效閉環(huán)，助力企業(yè)加速AI工程化落地和規(guī)?；瘧?yīng)用。
2025-06-28 17:03:471348 三款新品驅(qū)動工業(yè)新效能！采用溝槽工藝MOSFET和肖特基二極管 產(chǎn)品介紹 合科泰新推出三款新品，均為TO-252封裝。兩款MOSFET型號分別為HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二極管
2025-06-27 18:24:35448 
的可行性和有效性。
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*附件：無模型自適應(yīng)控制在永磁同步電機轉(zhuǎn)速中的仿真研究.pdf
【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請第一時間告知，刪除內(nèi)容，謝謝！
2025-06-25 13:01:45
在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 14:25:061170 
在車載電子電氣系統(tǒng)深度影響行車安全的當(dāng)下，電控系統(tǒng)電子化控制程度持續(xù)提升，汽車軟件開發(fā)生命周期縮短?；?b class="flag-6" style="color: red">模型設(shè)計（MBD）開發(fā)控制器應(yīng)用層軟件成為主流，尤其在新能源與智能駕駛領(lǐng)域優(yōu)勢顯著。但該模式下
2025-06-11 16:57:54
有大佬知道pspice仿真為什么總是顯示找不到仿真模型嗎，就連自帶庫的元器件左上角也有個綠圈顯示沒有仿真模型仿真不了，我把相應(yīng)元器件的仿真模型.lib文件也都移到仿真設(shè)置的library里還是不行
2025-06-09 18:57:47
電解槽模型通過離線驗證和實時仿真驗證兩種方式，對該模型在交流接入模式的可行性進行全面驗證，可為 PEM 電解槽的實際應(yīng)用提供理論和實踐依據(jù)。
一、 PEM
質(zhì)子交換膜（Proton Exchange
2025-06-05 18:55:52
模型切換概述
本文介紹如何將一個FA模型開發(fā)的聲明式范式應(yīng)用切換到Stage模型，您需要完成如下動作：
工程切換：新建一個Stage模型的應(yīng)用工程。
配置文件切換：config.json切換
2025-06-04 06:22:17
的“熱點”特性！這種自冷卻機制的同等重要的結(jié)果是便于并聯(lián) MOSFET 以提升某種器件的電流性能。雙極型三極管對于并聯(lián)非常敏感，要采取預(yù)防措施以平分電流(發(fā)射極穩(wěn)定電阻、快速響應(yīng)電流感應(yīng)反饋環(huán)路
2025-06-03 15:39:43
前言：研究器件特性和器件建模都離不開精確的電容電壓(CV)測量。精確的CV模型在仿真器件的開關(guān)特性，延遲特性等方面尤為重要。目前，在寬禁帶器件（GaN/SiC）、納米器件、有機器件、MEMS等下
2025-06-01 10:02:091355 
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L，光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案，助力光伏逆變器廠商實現(xiàn)更高性能、更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。
2025-05-30 10:30:40864 隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機驅(qū)動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
，支持微秒級實時仿真。不同型號的EGBox Mini 設(shè)備可完成硬件在環(huán)測試系統(tǒng)（HIL）或者快速控制原型系統(tǒng)（RCP）。利用不同型號的設(shè)備進行對接，也可完成基于 RCP+HIL 系統(tǒng)的模型在回路仿真
2025-04-29 10:40:08
一、產(chǎn)品概述 VTD（Virtual Test Drive）是由德國VIRES公司開發(fā)的自動駕駛及智能駕駛仿真測試平臺，現(xiàn)隸屬于?？怂箍担℉exagon）工業(yè)軟件體系。該軟件專注于復(fù)雜
2025-04-28 12:09:40
FA模型與Stage模型介紹
KaihongOS操作系統(tǒng)中，F(xiàn)A模型（Feature Ability）和Stage模型是兩種不同的應(yīng)用模型，它們提供了不同的應(yīng)用開發(fā)方式和特性。
FA模型
2025-04-24 07:27:21
一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現(xiàn)如下：1. 外部應(yīng)力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間
2025-04-23 14:49:27
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓撲及其等效電路
雙脈沖電路主電路拓撲結(jié)構(gòu)（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
來求解。從而放棄大部分繁雜的計算工作量，極大地加快設(shè)計進程，并獲得比手工計算更加合理的設(shè)計參數(shù)。4、由于變壓器是置于真實電路的仿真環(huán)境中求解的，所有與變壓器有關(guān)的電路和器件均能夠被聯(lián)合仿真，對變壓器
2025-04-09 14:47:36
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無鉛工藝對電子元器件有什么要求？SMT無鉛工藝對電子元器件的要求。隨著環(huán)保意識的提高和電子制造行業(yè)的發(fā)展，SMT無鉛工藝逐漸成為行業(yè)趨勢。無鉛工藝不僅
2025-03-24 09:44:09738 AD8313沒有模型，在multisim上仿真不了，請?zhí)峁┲г?或者提供一個更新的版本也可以。
2025-03-24 06:38:01
當(dāng)使用 AD8000 設(shè)計帶寬為 1000M 的放大器電路時，必須使用 AD8000 的 IBIS 模型進行 SI/PI 仿真。AD8000是否有可用的IBIS型號？如果是這樣，請發(fā)送給我。如果沒有，是否有其他具有類似參數(shù)的芯片提供用于仿真的 IBIS 模型？
2025-03-24 06:08:40
月 18 日 —— ?NVIDIA 今日發(fā)布具有推理功能的開源 Llama Nemotron 模型系列，旨在為開發(fā)者和企業(yè)提供業(yè)務(wù)就緒型基礎(chǔ)，助力構(gòu)建能夠獨立工作或以團隊形式完成復(fù)雜任務(wù)的高級 AI 智能體。
2025-03-19 09:31:53352 
18 日 ——NVIDIA 今日宣布推出一系列全新技術(shù)，助力人形機器人開發(fā)。其中包括全球首個開源且完全可定制的基礎(chǔ)模型 NVIDIA Isaac GR00T N1，該模型可賦能通用人形機
2025-03-19 09:30:30633 
憑借專業(yè)、優(yōu)質(zhì)、安全的訓(xùn)練數(shù)據(jù)服務(wù)，數(shù)據(jù)堂已助力全球百余大模型開發(fā)項目突破數(shù)據(jù)瓶頸。數(shù)據(jù)堂愿與各行業(yè)企業(yè)攜手共進，助力企業(yè)快速搭建垂域大模型，釋放AI在各行業(yè)的巨大潛能。
2025-03-17 17:24:01699 3DWeld是一款智能化的焊接工藝設(shè)計與仿真軟件。在三維交互式環(huán)境下，自動識別焊接特征，基于焊接工藝知識庫，快速定義焊接工序內(nèi)容，形成結(jié)構(gòu)化的焊接工藝信息，輔助焊接工藝仿真模擬，并可通過可視化的方式
2025-03-13 17:10:441047 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
DOH：DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:372315 
隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，字節(jié)跳動旗下扣子AI工坊硬件專場活動深圳現(xiàn)場，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)解決方案商機智云發(fā)布重要平臺升級，正式推出行業(yè)首個標(biāo)配DeepSeek和豆包大模型的AIoT開發(fā)平臺，深度融合火山引擎云原生架構(gòu)
2025-03-04 10:29:391413 開發(fā)了 發(fā)光-探測雙功能物理模型 ，同時提出并設(shè)計了具有非對稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN基發(fā)光-探測雙功能集成光電子器件：在發(fā)射區(qū)中采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu)，在探測區(qū)中采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)
2025-03-03 11:45:22713 
大模型熱潮的持續(xù)高漲，讓各類Agent應(yīng)用開發(fā)需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998 
啟明智顯借助豆包、Deepseek、OpenAI等全球先進AI大模型，助力傳統(tǒng)產(chǎn)品實現(xiàn)AI智能升級
2025-02-24 16:12:201452 
DeepSeek 模型的部署與測試，開啟這場充滿挑戰(zhàn)與驚喜的技術(shù)探索之旅。
RK3588 開發(fā)板：AI 性能擔(dān)當(dāng)
RK3588 開發(fā)板基于先進的 8nm LP 制程工藝精心打造，其硬件配置堪稱豪華，在 AI
2025-02-14 17:42:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
2025-02-13 17:21:18
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型.pdf》資料免費下載
2025-02-12 15:15:332 近日，阿里巴巴的開源Qwen2.5模型在AI領(lǐng)域再次展現(xiàn)其強大實力，為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了低成本的AI訓(xùn)練解決方案。借助這一技術(shù)，兩所知名學(xué)府的研究團隊成功開發(fā)出價格低于50美元
2025-02-12 13:42:071318 阿里巴巴的開源Qwen2.5模型近期在AI領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。這一大模型的推出，為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了強大的技術(shù)支持，使他們能夠成功開發(fā)出低成本的AI推理模型。 據(jù)悉，斯坦福大學(xué)
2025-02-12 09:19:431028 楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢
2025-02-11 22:27:58829 
AI開發(fā)平臺極大地簡化了AI應(yīng)用的開發(fā)流程，從環(huán)境搭建、模型訓(xùn)練到部署集成，每一步都提供了豐富的工具和資源。那么，AI開發(fā)平臺模型怎么用呢？下面，AI部落小編帶您了解。
2025-02-11 09:53:05671 碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745 
Ludovic是一款同向嚙合雙螺桿擠出全工藝仿真軟件，分析材料在擠出工藝中的演變以及優(yōu)化工藝。通過仿真，Ludovic可在短時間內(nèi)計算出材料在雙螺桿擠出機中演變，縮短實驗時間。軟件提供多種計算結(jié)果
2025-02-08 16:31:251206 
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001995 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 解釋完帶寬這一概念，我們來考慮如何才能通過仿真準(zhǔn)確的預(yù)測信號完整性。 信號帶寬的確定、器件模型的獲取 當(dāng)我們確定了要分析的信號的信息（包含速率、接口電平、上升時間等等）、以及驅(qū)動器和接收器型號之后
2025-01-22 11:51:072573 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572635 
突破520人。5天的課程精心設(shè)計，干貨滿滿，帶領(lǐng)老師從大模型基礎(chǔ)到大模型的部署、訓(xùn)練、微調(diào)，實戰(zhàn)體驗虛擬仿真平臺在AI大模型實驗教學(xué)中的應(yīng)用，為老師們帶來了全新的大
2025-01-20 11:34:101637 
EasyGo針對加速電機控制器開發(fā)的需求，提供了硬件在環(huán)測試平臺一站式解決方案。該方案運用前沿仿真架構(gòu)，目前具備種類最為齊全、覆蓋最為全面的電機模型、編碼器的實時仿真，以及非線性變參處理能力，既能
2025-01-16 18:10:001087 
BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 今天學(xué)習(xí)<基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化>這本書。大模型微調(diào)是深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域中的一項關(guān)鍵技術(shù)，它指的是在已經(jīng)預(yù)訓(xùn)練好的大型深度學(xué)習(xí)模型基礎(chǔ)上，使用新的、特定任務(wù)相關(guān)的數(shù)據(jù)
2025-01-14 16:51:12
MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38957 
問下，ADS5474器件頁面工具和軟件怎么是ADS5463的IBIS模型，意思是不是它和ADS5463的IBIS模型一樣？
2025-01-13 06:51:59
AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件上 DDR4 硬核控制器 DDRMC 跑仿真時，按照 IP 的默認設(shè)置，在 IP wizard 中使能了“Internal Responder”，就可以
2025-01-10 13:33:341481 
經(jīng)數(shù)百萬小時的駕駛和機器人視頻數(shù)據(jù)訓(xùn)練的先進模型，可用于普及物理 AI 開發(fā)，并以開放模型許可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435 NVIDIA 今日發(fā)布能在 NVIDIA RTX AI PC 本地運行的基礎(chǔ)模型，為數(shù)字人、內(nèi)容創(chuàng)作、生產(chǎn)力和開發(fā)提供強大助力。
2025-01-08 11:01:52971 當(dāng)前，大模型技術(shù)正在重新定義軟件工程。一方面，大模型降低了軟件開發(fā)門檻。在過去，軟件開發(fā)者被劃分為全民開發(fā)者、應(yīng)用開發(fā)者和專業(yè)開發(fā)者，隨著大模型技術(shù)的介入，軟件開發(fā)變得觸手可及，一些簡單的應(yīng)用甚至能
2025-01-06 14:52:271374 、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，現(xiàn)有的模型已經(jīng)不能夠完全精確地表征新器件的特性。從底層物理調(diào)整或者開發(fā)一個新的器件模型需要反復(fù)實驗摸索，需要很長時間，況且對一些新材料、新器件的特性效應(yīng)也沒有完善準(zhǔn)確的特性方程描述，出現(xiàn)了理
2025-01-06 13:41:211793 
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