文章總結(jié)：光隔離探頭在新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器和工業(yè)變頻器測(cè)試中，用于抗干擾、精準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)，提升系統(tǒng)性能與故障診斷能力。
2026-01-05 09:27:39
19 效應(yīng)：結(jié)溫波動(dòng)速率達(dá)200°C/ms，傳統(tǒng)熱模型失效 ? ? ? 案例數(shù)據(jù)：12V/5A高速無(wú)人機(jī)電機(jī)測(cè)試顯示，100KHZ PWM下IRF3205開(kāi)關(guān)損耗達(dá)導(dǎo)通損耗
2025-12-31 10:54:02198 在之前的文章中，我們?yōu)榇蠹医榻B了很多開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試方法/項(xiàng)目、解決方案等，那么本文筆者為大家收集了一些開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以幫助沒(méi)有接觸過(guò)開(kāi)關(guān)電源測(cè)試的伙伴進(jìn)行測(cè)試。 電源模塊 一、通用核心標(biāo)準(zhǔn)
2025-12-26 19:33:2281 
本文導(dǎo)讀SiC/GaN將開(kāi)關(guān)速度推向納秒級(jí)，800V高壓下的損耗怎么測(cè)？ZUS示波器自帶雙脈沖測(cè)試功能，通過(guò)“兩次脈沖”精準(zhǔn)量化開(kāi)關(guān)損耗與反向恢復(fù)數(shù)據(jù)。告別模糊的波形觀察，用精確數(shù)據(jù)支撐電路優(yōu)化
2025-12-24 11:41:34158 
的具體應(yīng)用，展示其精準(zhǔn)捕捉與分析微弱信號(hào)的能力。 ? 案例一：電源模塊紋波噪聲測(cè)試 測(cè)試目標(biāo)：評(píng)估開(kāi)關(guān)電源輸出端的紋波電壓，確保其滿足設(shè)計(jì)要求（ 操作步驟： 1.硬件連接：使用DHO814標(biāo)配的10:1無(wú)源探頭連接電源輸出端，避免探頭負(fù)載影響測(cè)試結(jié)果。
2025-12-17 16:13:00112 
模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動(dòng)元件尺寸，從而直接提升功率密度。應(yīng)用成果：Neway GaN系列模塊功率密度提升至120W/in3，較傳統(tǒng)硅基
2025-12-17 09:35:07
PRBTEK PKC7030H高頻電流探頭用于精準(zhǔn)測(cè)量GaN快充電源的高頻開(kāi)關(guān)電流，配合泰克MSO58B示波器及輔助探頭，實(shí)現(xiàn)高精度開(kāi)關(guān)損耗分析與磁元件性能評(píng)估。
2025-12-15 17:55:29160 文章詳細(xì)闡述了低VF貼片二極管與MOSFET在服務(wù)器電源中的協(xié)同優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過(guò)參數(shù)對(duì)比分析說(shuō)明了其在降低開(kāi)關(guān)損耗、提升系統(tǒng)能效方面的具體表現(xiàn)。
2025-11-25 17:33:451026 
。這款探頭在高壓測(cè)量領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了帶寬與精度的卓越平衡，特別適用于對(duì)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率電子等場(chǎng)景中的高頻振蕩、快速開(kāi)關(guān)瞬態(tài)進(jìn)行精確觀測(cè)和診斷，是功率電子工程師進(jìn)行高效調(diào)試和深度分析的理想工具。 二、 核心性能優(yōu)勢(shì)分析 高壓與高速的完美結(jié)合 ： ?
2025-11-14 18:43:43146 寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料不僅在耐高溫和耐高壓方面表現(xiàn)出色，還具備低損耗、快速開(kāi)關(guān)頻率等特性。然而，要充分發(fā)揮這些先進(jìn)材料的潛力，精確的測(cè)試和測(cè)量技術(shù)
2025-11-14 16:46:063489 
發(fā)電系統(tǒng)的直流側(cè)精確測(cè)量方案 ?? 技術(shù)挑戰(zhàn)與測(cè)量需求?? 在1500V組串式光伏系統(tǒng)中，直流母線電壓測(cè)量面臨多重挑戰(zhàn)： 高共模電壓：組件對(duì)地電壓可達(dá)1000V DC 復(fù)雜紋波特性：MPPT算法導(dǎo)致20-100kHz開(kāi)關(guān)紋波 嚴(yán)苛環(huán)境：溫度范圍-40℃
2025-11-11 13:35:50138 云鎵半導(dǎo)體樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開(kāi)關(guān)器件，GaN功率器件擁有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝平臺(tái)下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)
2025-11-11 11:47:16610 
專為嚴(yán)苛測(cè)試環(huán)境打造的高精度開(kāi)關(guān)解決方案
2025-11-07 15:18:50
0 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）憑借高速開(kāi)關(guān)特性，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而，其器件特性所伴隨的高 dV/dt（電壓變化率），易引發(fā)寄生開(kāi)通風(fēng)險(xiǎn)，已成為各行業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)中需重點(diǎn)規(guī)避的核心挑戰(zhàn)。
2025-11-05 09:29:415300 
TE Connectivity（TE）射頻開(kāi)關(guān)連接器用測(cè)試探頭電纜組件用于測(cè)量射頻傳輸線路中微波電路的電氣特性和測(cè)試信號(hào)。這些電纜組件具有三種射頻開(kāi)關(guān)連接器選項(xiàng)：SWG型、SWD/SWF型和SWJ型
2025-11-03 11:24:07383 開(kāi)關(guān)電源作為電子行業(yè)中最為常見(jiàn)的電源類型，其應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，作為電源模塊測(cè)試系統(tǒng)的專業(yè)供應(yīng)商，納米軟件接觸的用戶中，有很大一部的客戶需要我們?yōu)槠涮峁?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試流程和方法，作為其自動(dòng)化測(cè)試中
2025-10-31 09:36:31943 
村田電容在高頻電路中通過(guò)材料創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)優(yōu)化與系列化設(shè)計(jì)，成為低損耗解決方案的核心選擇，其優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在高頻性能、低損耗特性、溫度穩(wěn)定性及定制化方案四個(gè)維度。 一、高頻性能：突破GHz級(jí)信號(hào)傳輸瓶頸 村田
2025-10-30 16:52:30563 當(dāng)然，隨著器件的進(jìn)步，開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)速度會(huì)變得越來(lái)越快，特別是在低電壓和低功率應(yīng)用中。僅考慮設(shè)備本身的開(kāi)關(guān)速度，開(kāi)關(guān)頻率可能會(huì)很高，但實(shí)際并沒(méi)有，有開(kāi)關(guān)損耗的限制。
2025-10-30 14:27:532226 
4開(kāi)關(guān)降壓升壓雙向DC-DC電源轉(zhuǎn)換器在很多應(yīng)用中都有使用。作為一個(gè)同步降壓或同步升壓轉(zhuǎn)換器，其中只有兩個(gè)開(kāi)關(guān)切換，開(kāi)關(guān)損耗減少到一半。只有當(dāng)直流母線和電池電壓彼此接近，然后轉(zhuǎn)換器作為一個(gè)同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，其中所有四個(gè)開(kāi)關(guān)切換。
2025-10-17 09:29:031616 
在前面的內(nèi)容中，我們了解了負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的基本定義、獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)、實(shí)用功能及其操作，今天作為【負(fù)載開(kāi)關(guān)IC】系列的最后一篇內(nèi)容，芝子將帶著大家了解一下負(fù)載開(kāi)關(guān)IC數(shù)據(jù)表中相關(guān)術(shù)語(yǔ)和功率損耗計(jì)算方法。
2025-10-15 16:54:501406 
詳細(xì)介紹了高頻電流探頭在EMI/EMC測(cè)試中的應(yīng)用方案。 一、測(cè)量原理 電磁干擾主要通過(guò)傳導(dǎo)和輻射兩種途徑傳播，其中傳導(dǎo)發(fā)射（CE）是EMC測(cè)試的關(guān)鍵項(xiàng)目。PKC7000系列高頻電流探頭采用先進(jìn)的磁芯材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，基于互感器原理工作。當(dāng)探頭鉗
2025-10-11 15:44:34305 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337 一、應(yīng)用背景 新能源汽車車載充電機(jī)（OBC）是將外部電網(wǎng)電能轉(zhuǎn)換為車載動(dòng)力電池電能的關(guān)鍵部件。在工作過(guò)程中，它需要處理0-300A的電流，而其內(nèi)部的高頻開(kāi)關(guān)電路容易產(chǎn)生干擾信號(hào)。因此，對(duì)電流測(cè)量
2025-10-09 16:15:48311 
是重要的測(cè)試指標(biāo)。Vds在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生高壓脈沖，通常在數(shù)百伏至1500V之間，而Vgs則是低壓驅(qū)動(dòng)信號(hào)，約為10-20V。這兩種信號(hào)均為差分信號(hào)，且需要在浮地環(huán)境中進(jìn)行測(cè)量。傳統(tǒng)的單端探頭由于接地限制，無(wú)法滿足浮地測(cè)試需求，而低壓探頭又難
2025-09-28 14:36:55456 
介電溫譜測(cè)試技術(shù)要深入探究材料在高頻條件下的極化機(jī)理與弛豫行為，就必須將高頻電信號(hào)精準(zhǔn)無(wú)誤地傳輸至待測(cè)樣品，并接收其微弱的響應(yīng)信號(hào)。然而，隨著頻率的提升，信號(hào)在傳輸路徑中的各種損耗會(huì)急劇增大，如同遠(yuǎn)
2025-09-24 09:28:07278 
RE測(cè)試中出現(xiàn)超標(biāo)情況時(shí)，使用近場(chǎng)探頭查找干擾源成為解決問(wèn)題的有效手段。 一、 RE測(cè)試簡(jiǎn)介 RE測(cè)試主要用于評(píng)估電子設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中向周圍空間輻射的電磁能量強(qiáng)度，其目的在于確保設(shè)備產(chǎn)生的電磁輻射不會(huì)對(duì)周邊其他電子設(shè)備或無(wú)線通信
2025-09-22 09:26:55545 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在智能化時(shí)代，電機(jī)應(yīng)用需求走向高效率、高功率密度、快動(dòng)態(tài)響應(yīng)。而GaN功率芯片具備低開(kāi)關(guān)損耗、高頻等特性，在電機(jī)應(yīng)用中，低開(kāi)關(guān)損耗的功率芯片能夠提高系統(tǒng)效率；高頻特性
2025-09-21 02:28:007546 在電子測(cè)量領(lǐng)域，電流探頭的精準(zhǔn)度是確保測(cè)試數(shù)據(jù)可靠性的關(guān)鍵因素，而消磁操作則是維持其測(cè)量精度的重要環(huán)節(jié)。消磁的主要目的是消除探頭內(nèi)部磁芯的剩磁，防止其對(duì)后續(xù)測(cè)量造成干擾。然而，在實(shí)際操作過(guò)程中，電流
2025-09-18 13:46:20508 
泰克P6015A高壓探頭適用于開(kāi)關(guān)電源高壓測(cè)量，具備高帶寬、高輸入阻抗和高壓衰減能力，支持開(kāi)關(guān)器件電壓應(yīng)力測(cè)試與安全連接。
2025-09-12 09:14:01588 在電子測(cè)試與測(cè)量領(lǐng)域，示波器是一種極為常見(jiàn)的工具，主要用于測(cè)量電壓信號(hào)。然而，在實(shí)際工作中，工程師們有時(shí)也需要測(cè)量電流信號(hào)。那么，普通數(shù)字示波器是否可以通過(guò)配備電流探頭來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能呢？答案是肯定
2025-09-02 13:43:58804 
在電磁兼容（EMC）測(cè)試領(lǐng)域，傳導(dǎo)騷擾電流法是評(píng)估電子設(shè)備電磁兼容性的關(guān)鍵手段之一。而電流探頭作為獲取準(zhǔn)確測(cè)試數(shù)據(jù)的核心工具，其正確選擇至關(guān)重要。合理的探頭選擇能夠確保測(cè)試結(jié)果精準(zhǔn)反映設(shè)備的傳導(dǎo)騷擾
2025-08-22 10:43:31725 
泰克探頭是泰克科技（Tektronix）推出的一系列測(cè)試測(cè)量附件，主要用于電子測(cè)試領(lǐng)域，如示波器、信號(hào)源等設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電信號(hào)的高精度測(cè)量和分析。
2025-08-19 16:54:10524 
IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載流子濃度，但這會(huì)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)的載流子抽取時(shí)間
2025-08-19 14:41:232335 一、應(yīng)用背景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，高頻開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。性能測(cè)試和動(dòng)態(tài)行為分析是研發(fā)與質(zhì)量控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而，傳統(tǒng)的鉗式電流探頭（如帶寬為DC~3MHz的產(chǎn)品）雖然適用于工頻或低頻場(chǎng)景（例如
2025-08-18 13:33:09542 
。PKDV508E高壓差分探頭憑借其出色性能指標(biāo)，是開(kāi)關(guān)電源測(cè)試的得力工具，以下為詳細(xì)的測(cè)試方案。 一、測(cè)量原理 開(kāi)關(guān)電源的原理是利用功率半導(dǎo)體器件的高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作，將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖電壓，再經(jīng)過(guò)變壓器進(jìn)行信號(hào)
2025-08-15 14:04:24624 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開(kāi)關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開(kāi)關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)
2025-08-14 18:31:00
示波器探頭連接到測(cè)試線路時(shí)，之所以能減少甚至避免信號(hào)反射，關(guān)鍵在于其設(shè)計(jì)中對(duì)阻抗匹配和信號(hào)傳輸特性進(jìn)行了優(yōu)化，從根本上降低了信號(hào)在傳輸過(guò)程中因阻抗突然變化而產(chǎn)生反射的可能性。具體原理可以從以下幾個(gè)
2025-08-04 15:53:50455 受拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)損耗的影響，半橋硬開(kāi)關(guān)電路的重量、體積、噪聲及功率等級(jí)等技術(shù)指標(biāo)在一定程度上受到限制，因此中大功率開(kāi)關(guān)電源的主電路基本都采用全橋電路結(jié)構(gòu)。
2025-07-11 09:22:1224899 
? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開(kāi)關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開(kāi)關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:58:521 ? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開(kāi)關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開(kāi)關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:56:470 ? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開(kāi)關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開(kāi)關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:54:530 時(shí)間的延長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加，不僅會(huì)降低電源系統(tǒng)的效率，還會(huì)使開(kāi)關(guān)器件發(fā)熱嚴(yán)重。
3、 引發(fā)電磁干擾（EMI）
高頻開(kāi)關(guān)器件在工作過(guò)程中，由于寄生電感的存在，會(huì)產(chǎn)生高頻振蕩電流。這些高頻振蕩電流會(huì)通過(guò)導(dǎo)線
2025-07-02 11:22:49
切換的響應(yīng)時(shí)間越短，意味著更小的開(kāi)關(guān)損耗和更高的工作效率。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度主要受以下幾個(gè)因素的影響：門(mén)極電荷（Qg）：門(mén)極電荷是MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的一個(gè)
2025-07-01 14:12:12660 
PKC6053B電流探頭是一款非侵入式、寬頻帶覆蓋、高精度與高分辨率的電流測(cè)量工具，能夠準(zhǔn)確捕捉電路中的微小電流變化，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器等高頻設(shè)備的調(diào)測(cè)與測(cè)試，同時(shí)具有自動(dòng)消磁、智能調(diào)零和報(bào)警功能
2025-06-30 15:26:04539 
驗(yàn)證其他電壓探頭測(cè)量結(jié)果真實(shí)性的可靠標(biāo)準(zhǔn)。?
2.超寬頻帶覆蓋，全場(chǎng)景精準(zhǔn)測(cè)量?
MOIP系列探頭覆蓋100MHz-1GHz超寬頻帶，能夠滿足不同行業(yè)、多樣化場(chǎng)景的測(cè)試需求。在常規(guī)電路信號(hào)檢測(cè)中，可提供
2025-06-27 18:39:18
紋波噪聲探頭是電子測(cè)試領(lǐng)域中一種重要的測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中紋波和噪聲信號(hào)的精確測(cè)量與分析。在實(shí)際應(yīng)用中，選擇合適的紋波噪聲探頭對(duì)于確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。本文將從多個(gè)角度
2025-06-19 09:02:43493 ，無(wú)懼高共模挑戰(zhàn) PT-6140差分探頭，專為高共模電壓電路設(shè)計(jì)，其100MHz的帶寬與14000Vp-p的峰值輸入電壓，確保了在電子功率變換器、逆變器、電機(jī)速度控制及開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。無(wú)論是5000Vrms CAT III的輸入端與地測(cè)試，還是兩輸入
2025-06-18 15:22:45390 
，探頭還具備5MHz帶寬限制功能，這一功能不僅能夠滿足開(kāi)關(guān)電源中FETs開(kāi)關(guān)頻率的測(cè)量需求，還能有效濾除更高頻率的噪聲和干擾。探頭配備標(biāo)準(zhǔn)的BNC輸出接口，能夠與任何廠家的示波器兼容使用。 用戶可以進(jìn)入測(cè)試模式，調(diào)整偏置電壓。這一功能特別
2025-06-18 11:59:56530 
高壓隔離探頭作為具備浮動(dòng)測(cè)量功能的專業(yè)測(cè)試工具，以其優(yōu)異的共模噪聲抑制能力、高輸入阻抗特性及低輸入電容設(shè)計(jì)，成為高速精準(zhǔn)測(cè)量差分電壓信號(hào)的核心組件。該類探頭廣泛適用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電子鎮(zhèn)流器
2025-06-17 16:45:21440 
本文介紹EMI預(yù)兼容測(cè)試方案。近場(chǎng)測(cè)試適用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段輻射發(fā)射測(cè)試，可定位輻射源、節(jié)省成本。輻射發(fā)射測(cè)試常用頻段30MHz - 1GHz，要求頻譜儀和探頭覆蓋該范圍、接收機(jī)靈敏度低、探頭大小多樣
2025-06-17 15:54:47586 
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中易產(chǎn)生電壓尖峰，可能引發(fā)器件損壞或電磁干擾問(wèn)題。為有效抑制電壓尖峰，需從電路設(shè)計(jì)、器件選型、布局布線及保護(hù)措施等多維度進(jìn)行優(yōu)化，以下為具體解決方案
2025-06-13 15:27:101372 本文將介紹如何根據(jù)開(kāi)關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開(kāi)關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052161 
本文主要介紹了電流探頭的工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及其在實(shí)際測(cè)試中的優(yōu)勢(shì)。電流探頭是一種非接觸式測(cè)量工具，可用于檢測(cè)導(dǎo)體中的電流信號(hào)，適用于傳導(dǎo)發(fā)射、輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)試。
2025-06-06 15:40:51559 
電壓開(kāi)關(guān)（ZVS），大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，效率輕松做到90%以上，特別適合大功率適配器、服務(wù)器電源、LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。這份PDF有38頁(yè)，從基本原理、設(shè)計(jì)流程到實(shí)際案例，都有講解！下面我挑重點(diǎn)給大家捋一捋
2025-06-05 13:50:05
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
新能源汽車電機(jī)控制器測(cè)試面臨傳統(tǒng)探頭帶寬不足、操作繁瑣、空間適應(yīng)性差等痛點(diǎn)。普科科技PKC6100A電流探頭提供創(chuàng)新解決方案：具備180ns快速響應(yīng)、710kHz高頻捕捉能力；支持三檔智能切換，效率
2025-05-30 09:55:26452 
引言 隨著第三代半導(dǎo)體SiC器件在工業(yè)激光電源中的廣泛應(yīng)用，500kHz以上高頻LLC諧振拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試面臨新的挑戰(zhàn)。本文針對(duì)某80A輸出工業(yè)激光電源系統(tǒng)，詳細(xì)闡述采用高頻電流探頭測(cè)試開(kāi)關(guān)波形、諧振腔
2025-05-20 16:44:35489 
本軟件可用于配置HS16P1880單片機(jī)，搭配數(shù)字型人體感應(yīng)探頭(可兼容19bit與22bit兩種數(shù)據(jù)型數(shù)字探頭)，可配置多種人體感應(yīng)方案，例如小夜燈、櫥柜燈、太陽(yáng)能三角壁燈,降低方案的開(kāi)發(fā)難度，方便用戶進(jìn)行方案的快速驗(yàn)證。
2025-05-20 16:24:42965 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離 Sky5? 開(kāi)關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離 Sky5
2025-05-19 18:34:47
一、測(cè)試原理與設(shè)備選型 安全隔離機(jī)制 采用光纖隔離技術(shù)的差分探頭（如某品牌PKDV5351）可承受±1750V共模電壓，其3500V CAT III隔離等級(jí)滿足GB/T 18487.1-2025標(biāo)準(zhǔn)
2025-05-19 17:53:12532 
功率器件（MOSFET/IGBT） 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，功率器件的測(cè)試至關(guān)重要，主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試，Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試
2025-05-14 09:03:011263 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開(kāi)關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開(kāi)關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)
2025-05-13 18:29:42
，85kV共模電壓承受能力，適用于新能源車電驅(qū)系統(tǒng)浪涌測(cè)試、光伏逆變器絕緣檢測(cè)等高危場(chǎng)景。
· DP系列高壓差分探頭：500MHz帶寬配合±7000V電壓量程，在開(kāi)關(guān)電源環(huán)路分析、IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試中
2025-05-09 16:10:01
近期深圳某企業(yè)送修一臺(tái)泰克7713電壓差分探頭，報(bào)修故障為接入示波器后，測(cè)試值偏小很多只有正常信號(hào)的1/3。并且測(cè)試狀態(tài)不穩(wěn)定。對(duì)儀器進(jìn)行初步檢測(cè)，故障與客戶描述一致。
2025-05-08 17:46:12612 
在功率器件的世界里，開(kāi)關(guān)損耗是一個(gè)繞不開(kāi)的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:181050 的結(jié)構(gòu)如主回路雜散電感會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)特性，進(jìn)而影響開(kāi)關(guān)損耗，任何對(duì)其開(kāi)關(guān)性能的研究都必然建立在實(shí)驗(yàn)測(cè)試基礎(chǔ)之上，并在實(shí)際設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)化以降低變流回路雜散電感。
2025-04-22 10:30:151796 
在無(wú)線通信系統(tǒng)測(cè)試環(huán)節(jié)中，傳輸路徑的異常損耗直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的有效性。本文從工程實(shí)踐角度，系統(tǒng)梳理導(dǎo)致同軸傳輸鏈路損耗異常的五大核心要素，并提出針對(duì)性優(yōu)化策略。 一、線材品質(zhì)缺陷 技術(shù)解析 導(dǎo)體材料
2025-04-18 15:11:07933 
作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師，我的日?？偫@不開(kāi)碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形，讓我誤以為
2025-04-15 14:14:16
的區(qū)別，為工程師們?cè)趯?shí)際工作中精準(zhǔn)選擇探頭提供有力參考。 為何區(qū)分 1x 和 10x 探頭如此重要？ 在電路測(cè)試中，不同的信號(hào)特性需要適配不同的探頭設(shè)置。1x 和 10x 探頭在多個(gè)關(guān)鍵方面存在差異，這些差異直接決定了它們的適用場(chǎng)景。了解這些區(qū)
2025-04-09 14:57:172247 
異的高溫和高頻性能。
案例簡(jiǎn)介：SiC MOSFET 的動(dòng)態(tài)測(cè)試可用于獲取器件的開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開(kāi)關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
在高頻開(kāi)關(guān)電源中，整流元件的性能直接影響能量轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)整流二極管由于較長(zhǎng)的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），在高頻環(huán)境下會(huì)產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗，降低整體效率。MDD超快恢復(fù)二極管以其短反向恢復(fù)時(shí)間、低反向
2025-04-08 09:56:12795 
我一直想搞清楚MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算，在只知道驅(qū)動(dòng)MOS管芯片的輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，MOS管的規(guī)格書(shū)手冊(cè)，驅(qū)動(dòng)頻率的條件下，能夠計(jì)算出MOS管的功耗大小。這樣我們?cè)谠韴D設(shè)計(jì)階段的時(shí)候，就能夠判斷散熱
2025-03-31 10:34:07
三部分。 驅(qū)動(dòng)損耗（Pdr） ： 這是指驅(qū)動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程中所產(chǎn)生的損耗。驅(qū)動(dòng)損耗的大小與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)、MOS管的柵極電容以及開(kāi)關(guān)頻率等因素有關(guān)。 開(kāi)關(guān)損耗（Psw） ： 開(kāi)關(guān)損耗是MOS管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中由于電壓和電流的變化所產(chǎn)生的損耗。它
2025-03-27 14:57:231517 
在研究逆變電路的損耗時(shí)，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析，以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765 
二極管（FRD）因其短反向恢復(fù)時(shí)間（trr）和低開(kāi)關(guān)損耗，成為提升開(kāi)關(guān)電源效率的關(guān)鍵元件。本文MDD將探討快恢復(fù)二極管在開(kāi)關(guān)電源中的作用及如何優(yōu)化其應(yīng)用來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率
2025-03-25 09:39:56848 
。
為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時(shí)俱進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)范要求，對(duì)于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者會(huì)是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-24 15:03:44
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場(chǎng)景 寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)前景 光隔離探頭的典型測(cè)試案例——上管測(cè)試（high-side
2025-03-19 09:09:161614 
損耗、開(kāi)關(guān)損耗
針對(duì)目前能源越來(lái)越緊張，各國(guó)政府針對(duì)空載損耗(即輸出為空載時(shí)的輸入功率消耗，又稱待機(jī)損耗)都相繼出臺(tái)了相關(guān)的法律法規(guī)，如美國(guó)的”能源之星”(Energy Star)，聯(lián)邦政府采購(gòu)指令
2025-03-17 15:25:45
本文檔基于作者多年從事開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，從分析開(kāi)關(guān)變換器最基本器件：電感的原理入手，由淺入深系統(tǒng)地論述了寬輸入電壓DC-DC變換器（含離線式正、反激電源）及其磁件設(shè)計(jì)、MOSFET導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗
2025-03-17 14:15:11
，但在本文中我們將主要討論 AC 和 DC 損耗。
開(kāi)關(guān)電壓和電流均為非零時(shí)，AC 開(kāi)關(guān)損耗出現(xiàn)在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷之間的過(guò)渡期間。圖 2 中高亮部分顯示了這種情況。根據(jù)方程式 4），降低這種損耗的一種
2025-03-17 13:38:38
基于LTSpice的GaN開(kāi)關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318 
輔助設(shè)備： 準(zhǔn)備好萬(wàn)用表或電位測(cè)試儀等測(cè)量?jī)x器，并確保儀器能正常工作，電量充足或連接好電源，量程選擇合適。 現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量操作 插入探頭 ：將探頭插入被測(cè)體附近的土壤中，若土壤干燥，應(yīng)在探頭周圍的土壤中澆入純凈水濕潤(rùn)，以保證良
2025-03-11 19:55:27453 是德科技（NYSE: KEYS ）開(kāi)發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門(mén)用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開(kāi)關(guān)器件的效率和性能測(cè)試。新的電壓探頭將在 2025 年應(yīng)用電力電子會(huì)議（APEC）上展示，是德科技的展位號(hào)為 829，同時(shí)展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 本書(shū)介紹了開(kāi)關(guān)電源的基本原理，DC-DC變換器設(shè)計(jì)與磁學(xué)基礎(chǔ)，離線式變換設(shè)計(jì)與磁學(xué)技術(shù)，拓步FAQ，開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，反饋環(huán)路分析及穩(wěn)定性，EMI基礎(chǔ)從麥克斯韋方程到CISPR標(biāo)準(zhǔn)，傳導(dǎo)EMI限值及測(cè)量，實(shí)際的電源輸入EMI濾波器，開(kāi)關(guān)電源的DM和CM噪聲，電磁難題的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)。
2025-03-08 16:21:41
和 DC 損耗。開(kāi)關(guān)電壓和電流均為非零時(shí)，AC 開(kāi)關(guān)損耗出現(xiàn)在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷之間的過(guò)渡期間。圖 2 中高亮部分顯示了這種情況。根據(jù)方程式 4），降低這種損耗的一種方法是縮短開(kāi)關(guān)的升時(shí)間和降時(shí)間。通過(guò)選擇一個(gè)
2025-03-08 10:27:46
在電動(dòng)汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，逆變器中的高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗影響逆變器效率的主要因素，特別是為適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)高速化的趨勢(shì)，不得不采用較高的開(kāi)關(guān)頻率，從而在低速時(shí)產(chǎn)生不必要的開(kāi)關(guān)損耗，使逆變器效率偏低
2025-03-07 14:57:35
LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢(shì)在于 軟開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的高效率、寬輸入適應(yīng)性及高功率密度 ，其典型應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領(lǐng)域。與SiC MOSFET結(jié)合后，LLC在高頻、高溫、高可靠性
2025-03-07 07:30:51843 
擴(kuò)大。為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時(shí)俱進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)范要求，對(duì)于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者會(huì)是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-06 15:59:14
老款2000V器件兩電平MPPT升壓方案。結(jié)合飛跨電容三電平拓?fù)?，可降?0%以上的開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率至98%以上。 零反向恢復(fù)電流 ：B3D80120H2 SiC二極管無(wú)反向恢復(fù)電
2025-03-03 17:01:16935 
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗
1 開(kāi)通過(guò)程中
2025-02-26 14:41:53
在硬件電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，每一個(gè)細(xì)微的環(huán)節(jié)都對(duì)產(chǎn)品的性能起著至關(guān)重要的作用，尤其是在高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀這樣的高精度設(shè)備中。為了確保測(cè)試儀能夠穩(wěn)定、精準(zhǔn)地運(yùn)行，在硬件電路設(shè)計(jì)上采用了一系列先進(jìn)且
2025-02-25 09:08:36636 
BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)SiC模塊BMF240R12E2G3并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲(chǔ)能變流器PCS中的損耗分析及方案優(yōu)勢(shì) 1. 損耗分析 1.1 導(dǎo)通損耗
2025-02-25 06:58:421063 
KDYD-JZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀是武漢凱迪正大設(shè)計(jì)用于測(cè)定無(wú)機(jī)金屬氧化物、板材、瓷器、云母、玻璃和塑料等材料介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的多用途測(cè)試儀器。
2025-02-21 17:09:32690 
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOSFET的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用
2025-02-11 10:39:334786 
在電力電子領(lǐng)域，同步整流DC-DC變換器因其高效能和低損耗而得到廣泛應(yīng)用。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，死區(qū)損耗成為影響變換器性能的重要因素。本文將深入探討死區(qū)損耗的概念、分類及其影響。
2025-01-29 16:31:001493 (Si) 二極管而言，這些開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自二極管關(guān)斷時(shí)二極管結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的電荷產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流。要將這些損耗降到最低，通常需要一個(gè)具有更高平均正向電流的 Si 二極管，但這會(huì)導(dǎo)致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 電路中，碳化硅 (SiC) 二極管是更好的選擇，因其反向恢復(fù)電流本質(zhì)上只是
2025-01-26 22:27:001634 
HVAC系統(tǒng)是現(xiàn)代建筑中不可或缺的一部分，它負(fù)責(zé)維持室內(nèi)環(huán)境的舒適度，確?？諝赓|(zhì)量，并節(jié)約能源。溫度探頭作為HVAC系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵組件，通過(guò)精確測(cè)量和控制溫度，幫助系統(tǒng)高效運(yùn)行。 溫度探頭的作用
2025-01-20 10:04:06957 、開(kāi)關(guān)損耗、電壓和電流波形等關(guān)鍵參數(shù)，進(jìn)而優(yōu)化電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)。但在雙脈沖測(cè)試中，上管Vgs的測(cè)量是一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)，它要求我們的測(cè)量系統(tǒng)不僅需要具有高帶寬特性，還需要更高的共模抑制能力。
測(cè)試實(shí)例 ● 被
2025-01-09 16:58:30
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