IGBT作為一種復(fù)合型的功率半導(dǎo)體，由于其功率低、開(kāi)關(guān)頻率高、電流容量大的特點(diǎn)，已被眾多行業(yè)特別是大功率變換器行業(yè)廣泛的應(yīng)用，與此同時(shí)對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路的要求也將會(huì)越來(lái)越高。

佳恩IGBT單管

高壓大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要體現(xiàn)在更高的集成度、更高的隔離電壓、更大的驅(qū)動(dòng)功率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更完備的功能這五大方面，小編帶領(lǐng)大家接著慢慢往下看吧。

1、更高的集成度

現(xiàn)如今大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊的體積還比較大，通常均會(huì)采用變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離進(jìn)而增加隔離電壓耐量。此外，變壓器的體積和重量相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大，而且較難實(shí)現(xiàn)集成化。因此，采用體積更小、更容易集成化的隔離器件必將是驅(qū)動(dòng)器的最佳選擇，例如應(yīng)用壓電式變壓器或者先進(jìn)的磁集成技術(shù)通過(guò)減少隔離元件的體積和重量來(lái)增加集成度。

2、更高的隔離電壓

當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器都是采用光耦和變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離，光耦雖然體積小但是存在隔離電壓較低、易老化、延遲較大等不足。變壓器隔離的隔離電壓較高、延遲較小，但體積較大。因此在需要高壓隔離的場(chǎng)合還多數(shù)采用變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離。因此，為了適應(yīng)更高電壓的應(yīng)用場(chǎng)合，必須采用隔離電壓更高的驅(qū)動(dòng)器。

3、更大的驅(qū)動(dòng)功率

IGBT模塊的容量仍持續(xù)增加，單個(gè)模塊的電流容量已經(jīng)可以做到3600A，有時(shí)為了增加容量，通常會(huì)采用并聯(lián)的工作方式，對(duì)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)功率也提出了更高的要求，驅(qū)動(dòng)器的最大輸出電流必須相應(yīng)地增加，特別是在多個(gè)模塊并聯(lián)應(yīng)用時(shí)，驅(qū)動(dòng)器平均輸出功率可達(dá)到5w~10w，瞬間最大輸出電流要求達(dá)到30A以上。

4、更高的開(kāi)關(guān)頻率

為了更好的適應(yīng)感應(yīng)加熱電源等方面的應(yīng)用，IGBT高頻開(kāi)關(guān)頻率正在不斷增加，已經(jīng)可以部分替代MOS管，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器來(lái)講，意味著必須提供更大的驅(qū)動(dòng)功率，而且還要驅(qū)動(dòng)器具有更短的驅(qū)動(dòng)脈沖延遲時(shí)間和上升、下降的時(shí)間，提供更大的瞬間最大驅(qū)動(dòng)電流等。

5、更完備的功能

現(xiàn)廣泛應(yīng)用的門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中引起的di/dt、dv/dt的控制，從而控制變換電路的emi。有源門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)可以有效地控制IGBT開(kāi)關(guān)造成的較高的di/dt、dv/dt，相應(yīng)的可以使IGBT工作在更加安全的工作區(qū)，減少其開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的emi，相應(yīng)地減少IGBT的緩沖吸收電路。此外，為滿足串聯(lián)、并聯(lián)IGBT應(yīng)用的需求，驅(qū)動(dòng)器還必須具備動(dòng)態(tài)均壓和均流功能。

以上就是小編今天講的所有內(nèi)容啦，咱們下期再見(jiàn)啦~~~

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