近年來(lái)，在低溫強(qiáng)磁環(huán)境下研究納米尺度的物理學(xué)與材料學(xué)已成為學(xué)術(shù)研究的熱點(diǎn)。在低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)下，依據(jù)原子力、磁力等可從物質(zhì)結(jié)構(gòu)、物理特性、溫度、磁場(chǎng)、電學(xué)、光學(xué)、微波等多個(gè)物理維度實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品性能的表征。它的應(yīng)用非常廣泛，例如研究超導(dǎo)材料、二維材料、拓?fù)浣^緣體等。

　　芯明天P13A系列壓電納米定位臺(tái)是專為極低溫、強(qiáng)磁環(huán)境而研發(fā)設(shè)計(jì)，采用低溫壓電驅(qū)動(dòng)，外殼采用輕型耐低溫、無(wú)磁材料。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)

　　耐低溫可達(dá)4K耐強(qiáng)磁4K溫度下位移達(dá)25μm@150V4K溫度下分辨率可達(dá)4nm開(kāi)環(huán)驅(qū)動(dòng)，快速響應(yīng)耐真空度達(dá)10^-5mbar

　　小體積

　　P13A.XYZ80K低溫壓電定位臺(tái)是P13A系列中的一種，可進(jìn)行XYZ三維掃描運(yùn)動(dòng)，它的體積小巧，尺寸僅46mm×46mm×18.7mm，中心具有5mm×5mm通孔。

位移與電壓曲線

　　P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)的內(nèi)部采用低溫PZT壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，采用電容測(cè)微儀對(duì)低溫臺(tái)進(jìn)行XYZ三軸位移的測(cè)試。

　　P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)在常溫下的電壓與位移曲線圖如下圖所示。因PZT壓電陶瓷的耐低溫性，因此在低溫下，P13A.XYZ80K低溫臺(tái)基本可保持與常溫情況下相同的電壓與位移曲線趨勢(shì)與較大的位移輸出。

　　低溫導(dǎo)線

　　P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)所有組件均采用低溫兼容版本，以保證其在低溫下的性能，包括導(dǎo)線。普通導(dǎo)線的電阻在低溫下會(huì)發(fā)生大幅度改變，并且普通導(dǎo)線的外皮絕緣材質(zhì)也不耐低溫環(huán)境。因此，P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)采用低溫兼容導(dǎo)線，可完全勝任低溫下電信號(hào)的傳輸。

　　技術(shù)參數(shù)

　　型號(hào)：P13A.XYZ80K

　　運(yùn)動(dòng)方向：X Y Z

　　機(jī)構(gòu)原理：壓電驅(qū)動(dòng)杠桿放大機(jī)構(gòu)

　　精密調(diào)節(jié)范圍（XYZ）：

　　>66×66×66μm^3@60V、300K溫度

　　25×25×25μm^3@150V、4K溫度

　　驅(qū)動(dòng)電壓：

　　0~60V@300K溫度

　　0~150V@4K溫度

　　精密調(diào)節(jié)分辨率：

　　8nm@300K溫度

　　4nm@4K溫度

　　諧振頻率：

　　350Hz@空載

　　150HZ@100g

　　120Hz@150g

　　靜電容量（XY）：

　　5.4μF@300K溫度

　　0.75μF@4K溫度

　　靜電容量（Z）：

　　10.8μF@300K溫度

　　1.5μF@4K溫度

　　材料（無(wú)磁）：

　　殼體：鈦

　　致動(dòng)器：壓電陶瓷

　　連接線：絕緣雙絞線（銅）

　　承載能力：150g

　　重量（含導(dǎo)線、連接器）：168g

　　外形尺寸：46×46×18.7mm^3

　　安裝螺紋：

　　4個(gè)M2×3負(fù)載安裝孔

　　4個(gè)φ2.7安裝通孔

　　工作環(huán)境：

　　安裝方向：XY水平，Z向垂直

　　磁場(chǎng)范圍：0~31T

　　溫度范圍：10mK~373K

　　最小壓強(qiáng)（室溫，低溫）：10^-4mbar

　　最小壓強(qiáng)（高真空，低溫高真空）：10^-8mbar

　　最小壓強(qiáng)（超高真空，低溫超高真空）：5x10^-11mbar
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　　審核編輯：鄢孟繁