雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:02
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30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042044 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:18
1 中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢(shì)如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢(shì)： 功率密度高：GaN 的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其內(nèi)部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內(nèi)的消費(fèi)群體對(duì)高性
2025-11-13 10:27:082782 
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國(guó)產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 PWM信號(hào)的占空比來(lái)改變MOS管的導(dǎo)通時(shí)間。占空比增加時(shí)，MOS管導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，輸出功率增大;反之，則輸出功率減小。這種簡(jiǎn)潔而高效的控制方式，使其在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。
2025-11-04 15:38:00551 STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C?供電板是用于高密度、大功率65W USB供電 (USB-PD) 電路的參考設(shè)計(jì)，支持可編程電源 (PPS
2025-10-29 13:56:04384 
STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設(shè)計(jì)（用于VIPERGAN65）是一款24V/65W參考設(shè)計(jì)，基于VIPERGAN65D高壓轉(zhuǎn)換器，采用隔離式QR反激拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)置
2025-10-16 15:36:38480 
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
隨著手機(jī)快充功率從18W躍升至200W甚至更高，充電器內(nèi)的MOS管已成為決定效率、溫升和可靠性的核心元件。合科泰通過(guò)一系列高性能MOS管，為快充電源提供關(guān)鍵支持，助力實(shí)現(xiàn)更高效、更安全、更小巧的充電體驗(yàn)。那么，合科泰的MOS管是如何助力實(shí)現(xiàn)高效快充的呢?
2025-09-22 10:57:082547 
近日，國(guó)內(nèi)頂尖游戲硬件品牌機(jī)械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強(qiáng)大的供電能力，迅速成為滿足高性能筆記本電腦輕度游戲與重度
2025-09-17 17:35:563640 
當(dāng)客戶問(wèn)為什么產(chǎn)品效率難以突破，答案往往藏在工藝細(xì)節(jié)里。新能源汽車?yán)m(xù)航提升5%、65W快充體積縮小40%，這些突破的核心在于MOS管工藝選型。
2025-09-08 15:54:52836 
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信號(hào)流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
從GaN快充到多協(xié)議功率管理，綠聯(lián)如何在小體積中實(shí)現(xiàn)65W輸出？從反激初級(jí)到同步整流，從協(xié)議主控到功率分配，其電路設(shè)計(jì)體現(xiàn)了怎樣的多口快充兼容性與動(dòng)態(tài)功率分配能力？ 在高功率快充已成標(biāo)配的今天
2025-08-19 11:56:143364 
近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請(qǐng)，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開(kāi)深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對(duì)氮化鎵材料發(fā)展的寄語(yǔ)。
2025-08-14 15:31:223004 插25W+20W/等不同配置。也可通過(guò)FC引腳與慧能泰其他協(xié)議芯片如HUSB382D級(jí)聯(lián)，實(shí)現(xiàn)三口固定分配功率，例如實(shí)現(xiàn)單插任意C口65W、雙口同插445W+20W/等各種不同組合的PDO功率。
1.
2025-08-13 13:22:57
充的期待。而合科泰 HKTG50N03 N 溝道 MOSFET，憑著超低阻、微型封裝的特性，替65W快充提供平衡方案。
2025-08-08 16:51:451783 設(shè)計(jì)大電流，高開(kāi)關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:343561 
氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
英集芯IP6551是一款為車載充電器、適配器、智能排插、行車記錄儀提供完整的充電方案支持雙路DCP協(xié)議的65W輸出DC-DC降壓芯片，集成同步開(kāi)關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置雙NMOS驅(qū)動(dòng)器，轉(zhuǎn)換效率高。
2025-07-24 11:13:43617 
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國(guó)內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102857 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
需求主要集中在內(nèi)置的LED燈耳勺、續(xù)航及APP連接上，一顆小功率的電源管理芯片即可滿足。關(guān)注這個(gè)品類的小伙伴，可以了解下深圳銀聯(lián)寶的氮化鎵電源管理芯片U8722SP！
2025-07-09 18:13:243450 炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛(ài)，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無(wú)需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問(wèn)題，通過(guò)了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦，均INBOX標(biāo)配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ，這是迄今為止聯(lián)想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13813 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
打造的GaNSense?氮化鎵功率芯片 系列，面向 功率至 600W的家電及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。 該全集成解決方案專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)， 將兩個(gè)氮化鎵FET與驅(qū)動(dòng)、控制、檢測(cè)及智能保護(hù)功能集成在半橋里。 相較于傳統(tǒng)硅IGBT方案，其 效率提升4%，PCB占用面積減少40%，系統(tǒng)
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在
2025-05-08 16:17:141033 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21720 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 ? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264298 
如何實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的完美結(jié)合？在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源適配器的性能和效率至關(guān)重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器，為設(shè)計(jì)高性能離線功率轉(zhuǎn)換器提供了創(chuàng)新解決方案。本文將詳細(xì)解析基于NCP1341B1的65W適配器電源方案，揭示其核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-04-16 17:24:291454 
氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費(fèi)電子的快充向工業(yè)級(jí)功率領(lǐng)域滲透，這給了國(guó)內(nèi)廠商非常大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長(zhǎng)助理趙陽(yáng)接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產(chǎn)品和市場(chǎng)近況以及行業(yè)趨勢(shì)等話題
2025-04-16 15:12:491443 氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 ZS82XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器于DMOSGaN.她針對(duì)40W以下的高性能。低待機(jī)以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的保護(hù)覆蓋。包括OCP.
2025-04-09 11:04:52
ZS72XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器于DMOSGaN.她針對(duì)40W以下的高性能。低待機(jī)以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的保護(hù)覆蓋。包括OCP.
2025-04-09 11:00:38
防止過(guò)熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
）快速充電器，最大輸出功率可達(dá)65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個(gè)700V GaN（氮化鎵）晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器及典型的安全保護(hù)功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門(mén)檻。GaN功率晶體管的最高開(kāi)關(guān)頻率為240kHz，開(kāi)關(guān)損耗極小，可以搭配使
2025-04-01 10:01:261084 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現(xiàn)貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 應(yīng)用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時(shí)覆蓋 5-6GHz 應(yīng)用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
此參考設(shè)計(jì)是一款低成本、高密度 USB 適配器，在 ZVS 反激式拓?fù)渲惺褂?UCC28782 有源鉗位反激式控制器UCC5304隔離式驅(qū)動(dòng)器。20V 輸出時(shí)的最大額定功率為 65W，但可針對(duì)
2025-02-25 09:30:47811 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計(jì)空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 此參考設(shè)計(jì)是一個(gè) 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應(yīng)用，包括 手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦。設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應(yīng)仿真。高效率 通過(guò)準(zhǔn)諧振反激式實(shí)現(xiàn)，該 在簡(jiǎn)單性和低級(jí)之間提供平衡 切換損耗
2025-02-24 09:28:18755 
UM2060-30 是一款 30W 應(yīng)用頻率 2～6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管芯片。這款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收發(fā)組件，無(wú)線電通信等，工作在 28V 供電模式。關(guān)鍵
2025-02-19 18:20:06
過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計(jì)，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)
2025-02-13 16:22:261075 U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級(jí)增加U8609料號(hào)，同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)！
2025-02-08 15:51:231015 
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無(wú)線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號(hào)傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時(shí)
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來(lái)自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開(kāi)拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問(wèn)題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠(chéng)邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來(lái)專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899 高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片-DK065G一、產(chǎn)品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK065G檢測(cè)功率管漏極和源
2025-01-10 17:02:44
東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07
集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱半橋120W-AC-DC電源管理芯片-DK8712AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD電源管理芯片是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 15:29:04
V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片，耐壓40V，導(dǎo)通電阻4.8mΩ，支持雙向?qū)?。具備無(wú)體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性，僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。同時(shí)采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝，為終端產(chǎn)品節(jié)省系統(tǒng)空間的同時(shí)，有效降低了系統(tǒng)能耗。
2025-01-08 15:05:03
集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱半橋AC-DC-180W電源管理芯片-DK8718AD一、產(chǎn)品概述：DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率電源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
高性能AC-DC 75W氮化鎵電源管理芯片-DK075G一、產(chǎn)品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率電源管理芯片。DK075G檢測(cè)
2025-01-08 10:48:52
東科半導(dǎo)體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 10:46:14
帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004
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