超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
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三星2nm GAA芯片量產(chǎn)背后，隱藏“測不準(zhǔn)”危機。原子級尺度下，量子隧穿、工藝波動等使芯片從“確定性”轉(zhuǎn)向“概率性”，傳統(tǒng)測試假設(shè)崩塌。測試面臨測量精度不足、動態(tài)功耗管理復(fù)雜、信號完整性脆弱三重
2025-12-30 17:02:17446 RAA2P3200評估套件快速上手：硬件與軟件設(shè)置全解析 在電子工程領(lǐng)域，對新設(shè)備進(jìn)行快速評估和驗證是產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Renesas的RAA2P3200評估套件
2025-12-26 15:45:03110 RAA2P4200評估套件快速上手：硬件與軟件設(shè)置指南 在電子設(shè)計的世界里，能夠快速評估和驗證新設(shè)備的性能是加速產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)鍵。瑞薩電子（Renesas Electronics）的RAA2P
2025-12-26 14:55:02130 整合：與上游原材料供應(yīng)商（如GaN外延片廠商）、下游客戶（如新能源車廠商）建立戰(zhàn)略聯(lián)盟，共享成本與風(fēng)險。例如，Neway與比亞迪聯(lián)合開發(fā)車載GaN模塊，分?jǐn)傃邪l(fā)與認(rèn)證成本。行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定：參與GaN技術(shù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定，推動行業(yè)生態(tài)完善，降低測試與認(rèn)證成本。
2025-12-25 09:12:32
在顯示面板、觸摸屏、光伏組件等光電子領(lǐng)域，氧化銦錫（ITO）透明導(dǎo)電膜因兼具高可見光透過率與優(yōu)異導(dǎo)電性能，成為核心基礎(chǔ)材料。其性能參數(shù)直接決定終端器件的可靠性與能效，而精準(zhǔn)測試則依賴穩(wěn)定的模擬光照
2025-12-15 18:05:08988 
啟明云端基于樂鑫科技ESP32-P4芯片設(shè)計了多款開發(fā)板，這些開發(fā)板有什么區(qū)別？基于應(yīng)用場景如何選擇？本期，我們聚焦兩款代表性產(chǎn)品：WT99P4C5-S1開發(fā)板與WT9932P4-TINY開發(fā)板，從
2025-12-09 18:02:30427 
NVIDIA 最近發(fā)布了 NVIDIA Cosmos 開放世界基礎(chǔ)模型（WFM）的更新，旨在加速物理 AI 模型的測試與驗證數(shù)據(jù)生成。借助 NVIDIA Omniverse 庫和 Cosmos，開發(fā)者可以大規(guī)模生成基于物理學(xué)的合成數(shù)據(jù)。
2025-12-01 09:25:05751 在嵌入式邊緣AI中，如何把“訓(xùn)練好的模型”穩(wěn)定地“跑在板子上”，決定了項目能否落地。我們帶你基于RA8P1平臺，跑通從數(shù)據(jù)準(zhǔn)備、模型訓(xùn)練、量化轉(zhuǎn)換，到工程部署的整個流程，幫助你快速實現(xiàn)在RA8P
2025-11-20 18:06:181814 
PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結(jié)的形成主要通過兩種方式：一是將獨立
2025-11-11 13:59:001274 
芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動器，便捷GaN電源設(shè)計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V，驅(qū)動窗口相較于傳統(tǒng)
2025-11-11 11:46:33687 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 和X-NUCLEO-OUT04A1擴展板。P-NUCLEO-IOD04A1可用于評估目的和用作開發(fā)環(huán)境。STM32 Nucleo pack為開發(fā)IO-Link和SIO應(yīng)用提供一套既經(jīng)濟(jì)實惠又易于使用的解決方案，用于評估IPS2050H-32高側(cè)功能以及STM32L073RZ計算性能。
2025-10-23 09:32:11432 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
NVIDIA 現(xiàn)已開源 Audio2Face 模型與 SDK，讓所有游戲和 3D 應(yīng)用開發(fā)者都可以構(gòu)建并部署帶有先進(jìn)動畫的高精度角色。NVIDIA 開源 Audio2Face 的訓(xùn)練框架，任何人都可以針對特定用例對現(xiàn)有模型進(jìn)行微調(diào)與定制。
2025-10-21 11:11:08673 
本征氫化非晶氧化硅（i-a-SiO?:H）是a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)太陽電池的重要鈍化材料，兼具PECVD低溫沉積、帶隙寬等優(yōu)勢，但i-a-SiO?:H鈍化性能與制備工藝、儀器密切相關(guān)；目前室溫
2025-10-20 18:04:05621 
和X-NUCLEO-DO40A1擴展板組成。該Nucleo套件可用于評估目的和用作開發(fā)環(huán)境。P-NUCLEO-IOD5A1套件用于開發(fā)IO-Link和SIO應(yīng)用，用于評估具有STM32G071RB計算性能的IPS4140HQ高側(cè)功能。該Nucleo套件用于IO-Link連接和工廠自動化等應(yīng)用。
2025-10-16 10:01:11545 
運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進(jìn)
2025-10-15 11:27:0221898 
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
的Kintex UltraScale+開發(fā)板采用核心板+底板結(jié)構(gòu)，核心板提供KU3P/KU5P兩種型號，配備2GB DDR4、256Mb QSPI Flash等資源，通過240P高速連接器與底板連接。底板集成了千兆以太網(wǎng)、QSFP28、MIPI、FMC、PCIe等豐富接口，并內(nèi)置USB-JTAG調(diào)試器
2025-09-26 10:46:19782 
配備豐富接口：42 個可編程 GPIO，支持常見外設(shè)接口如 USB(含OTG)、SD/MMC、UART、I2C、SPI、PWM、ADC、IR、touch等
軟硬件一體，專為 AI 玩具量身定制
不止于開發(fā)板，更是大模型 DIY 創(chuàng)意配件
2025-09-25 11:47:11
在萬物互聯(lián)的智能時代，您是否還在為尋找一款性能強大、接口豐富、應(yīng)用靈活的嵌入式開發(fā)板而煩惱？啟明云端全新推出的WT9932P4-TINY開發(fā)板，基于樂鑫科技高性能ESP32-P4芯片匠心打造，專為安
2025-09-11 18:06:291153 提供一個歐美標(biāo)充電模型，交付物為白盒Simulink模型
2025-09-04 16:23:17
案例：支持圖像和文本交互
步驟 1：環(huán)境準(zhǔn)備
步驟 2：模型的獲取、驗證與格式轉(zhuǎn)換
步驟 3：修改代碼并交叉編譯可執(zhí)行文件并上傳到板子上
步驟 4：上傳文件到開發(fā)板
性能測試 Tips
多模態(tài)效果
2025-08-29 18:08:27
在 2025 年的 Google 谷歌開發(fā)者大會上，AI 不是一門“技術(shù)”，更是一股徹底改變開發(fā)范式的“力量”，助力開發(fā)者們在海外市場更上一層樓。AI 已經(jīng)不僅僅是生成幾行代碼，它正在全面提升整個開發(fā)過程。從模型突破到工具優(yōu)化，從本地開發(fā)到全球落地，每一項更新，都在回應(yīng)開發(fā)者最迫切的需求。
2025-08-29 09:29:24985 NVIDIA 正式推出準(zhǔn)確、高效的混合 Mamba-Transformer 推理模型系列 NVIDIA Nemotron Nano 2。
2025-08-27 12:45:441570 
OpenAI 已向公眾發(fā)布了兩款 AI 模型，允許開發(fā)者和企業(yè)可自由下載、運行并進(jìn)行定制。其中一款模型現(xiàn)已部署在 IBM watsonx.ai 開發(fā)平臺上。
2025-08-26 15:36:24891 Texas Instruments LM5185EVM-SIO評估模塊有助于對LM5185-Q1控制器的功能和性能進(jìn)行廣泛評估。LM5185-Q1初級側(cè)調(diào)節(jié) (PSR) 反激控制器具有可調(diào)節(jié)環(huán)路補償
2025-08-05 15:02:51801 
在紡織行業(yè)的織造前道工序中，穿經(jīng)機如同一位精密的 “紡織裁縫”，將數(shù)百至數(shù)千根纖細(xì)經(jīng)紗精準(zhǔn)穿入停經(jīng)片、綜絲和鋼筘，為后續(xù)織造環(huán)節(jié)奠定基礎(chǔ)。然而，傳統(tǒng)穿經(jīng)機的控制方式常因信號傳輸距離遠(yuǎn)、設(shè)備協(xié)同性差等
2025-08-01 16:27:16711 
的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
【HarmonyOS 5】鴻蒙中Stage模型與FA模型詳解 ##鴻蒙開發(fā)能力 ##HarmonyOS SDK應(yīng)用服務(wù)##鴻蒙金融類應(yīng)用 （金融理財# 一、前言 在HarmonyOS 5的應(yīng)用開發(fā)
2025-07-07 11:50:23765 此前，6月27-28日，由極客邦科技旗下InfoQ中國主辦的“AICon全球人工智能開發(fā)與應(yīng)用大會”在北京舉辦。作為行業(yè)領(lǐng)先的視覺AI公司，格靈深瞳受邀參會。
2025-07-05 16:15:231349 【正點原子STM32MP257開發(fā)板試用】圖像分割
本文介紹了正點原子 STM32MP257 開發(fā)板基于 DeepLab 模型實現(xiàn)圖像分割的項目設(shè)計。
DeepLab 模型
DeepLab-v3
2025-06-21 21:11:56
迅為RK3576開發(fā)板NPU環(huán)境搭建和使用rknn-toolkit2功能演示模型轉(zhuǎn)換
2025-06-19 10:53:111055 
折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標(biāo)準(zhǔn)異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進(jìn)行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-06-17 08:58:17
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P
2025-06-16 16:18:36
一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱，他們已經(jīng)打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可占總功耗的40%。
2025-06-12 14:11:582388 
卡片切換
卡片切換主要包含如下三部分：
卡片頁面布局：FA模型卡片和Stage模型卡片的布局都采用類web范式開發(fā)可以直接復(fù)用。
卡片配置文件：FA模型的卡片配置在config.json中
2025-06-06 08:10:24
團(tuán)隊開發(fā)了 GaN基VCSEL的動態(tài)物理模型 ，揭示了器件內(nèi)部載流子輸運行為對激光器動態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導(dǎo)致GaN基VCSEL有源區(qū)中產(chǎn)生了量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE），這一效應(yīng)不僅會降低器件的受激復(fù)合效率，還會引發(fā)嚴(yán)重
2025-06-05 15:58:20440 
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數(shù)，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
2025-06-05 08:46:36
module的切換
從FA模型切換到Stage模型時，開發(fā)者需要將config.json文件module標(biāo)簽下的配置遷移到module.json5配置文件module標(biāo)簽下，具體差異
2025-06-05 08:16:38
FA模型訪問Stage模型DataShareExtensionAbility
概述
無論FA模型還是Stage模型，數(shù)據(jù)讀寫功能都包含客戶端和服務(wù)端兩部分。
FA模型中，客戶端是由
2025-06-04 07:53:37
模型切換概述
本文介紹如何將一個FA模型開發(fā)的聲明式范式應(yīng)用切換到Stage模型，您需要完成如下動作：
工程切換：新建一個Stage模型的應(yīng)用工程。
配置文件切換：config.json切換
2025-06-04 06:22:17
目錄
1，整機線路架構(gòu)
2，初次極安規(guī)Y電容接法
3，PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項
4，LLC環(huán)路設(shè)計注意事項
5，GaN驅(qū)動電路設(shè)計走線參考
6，變壓器輸出整流注意事項
一，整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
2025-05-16 18:00:09807 
RKLLM工具鏈?zhǔn)且粋€專為在Rockchip NPU平臺上部署大語言模型（LLM）而設(shè)計的開發(fā)套件。它主要包括RKLLM-Toolkit和RKLLM Runtime兩個核心組件
2025-05-16 17:48:582035 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
ELF 2開發(fā)板本地部署DeepSeek大模型的完整指南
2025-05-16 11:13:222376 
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結(jié)”單元，通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
FA模型與Stage模型介紹
KaihongOS操作系統(tǒng)中，F(xiàn)A模型（Feature Ability）和Stage模型是兩種不同的應(yīng)用模型，它們提供了不同的應(yīng)用開發(fā)方式和特性。
FA模型
2025-04-24 07:27:21
電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 的難度加大;③控制系統(tǒng)成本相應(yīng)提高。純分享帖，需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件：電機控制系統(tǒng)星三角啟動轉(zhuǎn)換器的開發(fā)與應(yīng)用.pdf
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2025-04-17 22:33:54
大模型實戰(zhàn)（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時長
視頻課程鏈接
課件鏈接
工程源碼
1
火山引擎豆包大模型調(diào)試指南
3分31秒
https://t.elecfans.com/v
2025-04-16 18:52:09
ITO薄膜的表面粗糙度與厚度影響著其產(chǎn)品性能與成本控制。優(yōu)可測亞納米級檢測ITO薄膜黃金參數(shù)，幫助廠家優(yōu)化產(chǎn)品性能，實現(xiàn)降本增效。
2025-04-16 12:03:19824 
AI的演進(jìn)正在逼近“終端智能涌現(xiàn)”的拐點，從通用模型向場景落地遷移成為關(guān)鍵議題。聯(lián)發(fā)科以“AI隨芯，應(yīng)用無界”為主題召開天璣開發(fā)者大會2025（MDDC 2025），不僅聚合了全球生態(tài)資源，還
2025-04-13 19:52:44
個SiO2薄層。
接下來進(jìn)行光刻。第一步是在SiO2薄層上均勻涂布正性光刻膠層；第二步是隔著光掩膜版向下面的正性光刻膠層曝光；第三步是對光刻膠層進(jìn)行定影和后烘固化；第四步是顯影，即腐蝕溶解掉感光區(qū)域
2025-04-02 15:59:44
繼香橙派昇騰系列產(chǎn)品、OrangePi5系列產(chǎn)品完成與DeepSeek模型的深度適配之后，香橙派日前官方發(fā)布OrangePiRV2運行Deepseek-R1蒸餾模型實操指南。OrangePiRV2
2025-03-28 11:55:031546 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)LC-DC01P2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LC-DC01P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LC-DC01P2真值表，LC-DC01P2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-25 18:40:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-220S48P2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA20-220S48P2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)A20-220S48P2D4真值表，F(xiàn)A20-220S48P2D4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:55:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)LC-AC01P2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LC-AC01P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LC-AC01P2真值表，LC-AC01P2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:50:42
解析PN結(jié)的整流特性及其在整流二極管中的物理機制。2.PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)是由兩個摻雜類型不同的半導(dǎo)體材料（P型和N型）組成：P型半導(dǎo)體含有大量空穴（正電荷載流子
2025-03-21 09:36:461412 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-300S24H2D4P2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA20-300S24H2D4P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-18 18:29:59
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems驗證。 選擇了考爾（Cauer）模型，使客戶
2025-03-11 18:32:031433 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
遵照 將 YOLOv4 模型轉(zhuǎn)換為 IR 的 說明，但無法將模型轉(zhuǎn)換為 TensorFlow2* 格式。
將 YOLOv4 darknet 轉(zhuǎn)換為 Keras 模型時，收到 TypeError: buffer is too small for requested array 錯誤。
2025-03-07 07:14:29
， ● 鏈路1: 可通過注入節(jié)點調(diào)用DeepSeek節(jié)點，并將結(jié)果輸出到debug1。 ● 鏈路2: 可通過web對話頁調(diào)用DeepSeek節(jié)點，最終將大模型結(jié)果輸出到對話頁面上。 ● 鏈路3: 可通過開發(fā)
2025-03-06 17:02:59
選擇底層開發(fā)還是應(yīng)用開發(fā)，需要綜合考慮個人興趣、職業(yè)規(guī)劃、技術(shù)能力、市場需求和發(fā)展前景等多個因素。
以下是關(guān)于底層開發(fā)與應(yīng)用開發(fā)的詳細(xì)對比，希望可以幫助你做出更合適的選擇：
一、底層開發(fā)
1.
2025-03-06 10:10:40
折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標(biāo)準(zhǔn)異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進(jìn)行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-03-05 08:57:32
近日，字節(jié)跳動旗下扣子AI工坊硬件專場活動深圳現(xiàn)場，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)解決方案商機智云發(fā)布重要平臺升級，正式推出行業(yè)首個標(biāo)配DeepSeek和豆包大模型的AIoT開發(fā)平臺，深度融合火山引擎云原生架構(gòu)
2025-03-04 10:29:391413 不同的具有亞波長結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)的例子的鏈接：由不同直徑的納米柱排列構(gòu)建的超透鏡的設(shè)計工作流程的示意圖，和基于受抑全內(nèi)反射（FTIR）工作原理的棱鏡分束器，其中分束器的兩臂之間的能量再分配是通過倏逝波隧穿一層很薄
2025-03-04 09:59:44
開發(fā)了 發(fā)光-探測雙功能物理模型 ，同時提出并設(shè)計了具有非對稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN基發(fā)光-探測雙功能集成光電子器件：在發(fā)射區(qū)中采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu)，在探測區(qū)中采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)
2025-03-03 11:45:22713 
與OK3588-C開發(fā)板的深度融合，標(biāo)志著國產(chǎn)AI大模型從云端向邊緣端的延伸。這種“先進(jìn)算法+定制化芯片”的協(xié)同模式，不僅解決了邊緣側(cè)實時性、隱私保護(hù)等關(guān)鍵需求，更構(gòu)建起從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)賦能的完整價值鏈條，為
2025-02-27 16:45:58
隨著智慧城市和交通強國兩大戰(zhàn)略的不斷推進(jìn)，人工智能在智能交通領(lǐng)域的應(yīng)用愈發(fā)廣泛。近日，博實結(jié)自主研發(fā)的博云車聯(lián)（乘用車管理）、博云視控（商用車智能物聯(lián)）兩大云管理平臺通過深度融合DeepSeek大模型技術(shù)，持續(xù)推動"車-路-云"一體化智慧交通生態(tài)建設(shè)。
2025-02-25 17:38:431090 大模型熱潮的持續(xù)高漲，讓各類Agent應(yīng)用開發(fā)需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998 
厚度成為影響晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而，柵氧厚度的減小極限受到隧穿漏電效應(yīng)的限制，當(dāng)氧化硅層薄至2nm以下時，隧穿漏電現(xiàn)象變得顯著，且隨厚度減小呈指數(shù)級增長，使得1nm以下的柵氧厚度變得不切實際。 為了克服這一挑戰(zhàn)，英特爾
2025-02-20 10:16:361303 
Ta2O5/SiO2氧化物DBR?所實現(xiàn)如圖?7-12，其特點為在共振腔中插入了AlGaN?電流阻擋層且將?ITO?厚度減薄至30奈米。2011年，為了達(dá)到更好的電流局限效果以及降低ITO的吸收，本研究團(tuán)隊
2025-02-19 14:20:431085 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NX-HB-GAN3R2-BSC半橋評估板.pdf》資料免費下載
2025-02-18 17:29:54
2 7-8所示。下DBR?為29?對?AlN/GaN DBR，之后成長790nm的n?型氮化鎵與?10對的In0.2Ga0.8N/GaN?多量子井結(jié)構(gòu)，最后成長120nm?的p型氮化鎵，整體共振腔厚度約5
2025-02-18 11:25:361389 
λ光學(xué)厚度的共振腔成長于35?對Al0.34Ga0.66N/GaN DBR上，而上DBR?則為6對的TiO2/SiO2所組成，此即為混合式?DBR VCSEL?結(jié)構(gòu)，其中上下?DBR?的反射率分別為
2025-02-18 09:56:041102 
在 AI 技術(shù)日新月異的當(dāng)下，新的模型與突破不斷涌現(xiàn)。近期，DeepSeek（深度求索）模型以其卓越性能和親民成本，迅速在全球開發(fā)者圈子里引發(fā)熱議。作為一款強大的語言模型，DeepSeek 不僅
2025-02-14 17:42:04
了新的動能。 從容大模型訓(xùn)推一體機是云從科技基于昇騰AI基礎(chǔ)軟硬件平臺推出的創(chuàng)新產(chǎn)品。該產(chǎn)品集成了大模型一體化生產(chǎn)平臺，具備模型訓(xùn)練、推理、管理全流程功能，能夠為用戶提供一站式的大模型開發(fā)與應(yīng)用體驗。 該一體機支持語言、
2025-02-14 15:44:001429 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:192 動車組設(shè)備艙安裝工序緊固件數(shù)量龐大，1列8編組的動車就多達(dá)6000余套。近期，中國中車集團(tuán)旗下中車廣東公司研發(fā)推出螺栓自動穿墊涂膠一體化裝置。與傳統(tǒng)的手工穿墊相比，智能設(shè)備穿墊速度快、工時短，有效減少了作業(yè)前的物料準(zhǔn)備時間。
2025-02-12 10:30:16741 AI開發(fā)平臺極大地簡化了AI應(yīng)用的開發(fā)流程，從環(huán)境搭建、模型訓(xùn)練到部署集成，每一步都提供了豐富的工具和資源。那么，AI開發(fā)平臺模型怎么用呢？下面，AI部落小編帶您了解。
2025-02-11 09:53:05671 簡介
ELF 2學(xué)習(xí)板基于瑞芯微RK3588旗艦處理器開發(fā)設(shè)計，處理器采用先進(jìn)的8nm制程工藝，集成4×Cortex-A76+4×Cortex-A55內(nèi)核架構(gòu)，A76核主頻高達(dá)2.4GHz，A55核
2025-02-09 17:57:09
《基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化》試讀報告
——第一章：了解大模型與RAG
近年來，隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，大模型與生成式AI技術(shù)逐漸成為成功引起了我的關(guān)注，尤其是最近給美股沉重打擊
2025-02-07 10:42:25
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數(shù)，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
2025-02-05 09:35:38
在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx以RIE?蝕刻去除，然后再將樣品放入?PECVD?重新成長??SiO2或?SiNx表面披覆
2025-01-24 10:59:291322 
近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
，金剛石近結(jié)散熱技術(shù)應(yīng)運而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細(xì)介紹該技術(shù)的三種主要途徑及其優(yōu)勢與挑戰(zhàn)。 ? 金剛石襯底鍵合集成散熱技術(shù) 源于美國 DARPA 于 2012 年牽引的 NJTT 項目，眾多國際研發(fā)機構(gòu)投身其中。其
2025-01-16 11:41:411729 
Tuning）和Prompt-Tuning：通過在輸入序列中添加特定提示來引導(dǎo)模型生成期望的輸出，簡單有效，適用于多種任務(wù)。P-Tuning v1和P-Tuning v2：基于多任務(wù)學(xué)習(xí)的微調(diào)方法，通過
2025-01-14 16:51:12
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:281901 
經(jīng)數(shù)百萬小時的駕駛和機器人視頻數(shù)據(jù)訓(xùn)練的先進(jìn)模型，可用于普及物理 AI 開發(fā)，并以開放模型許可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435 CERNEX寬帶高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術(shù)應(yīng)用，如實驗測試設(shè)備、儀表設(shè)備和其他需要高功率輸出的應(yīng)用。使用穩(wěn)固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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