以下文章來源于功率器件產品及使用分享，作者Vincent

GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用場景，核心差異體現(xiàn)在結構設計、性能特點和適用范圍上。

p-GaN gate 結構這是一種單芯片集成方案，通過在 AlGaN/GaN 異質結上方生長 p 型 GaN 層作為柵極，利用 p-GaN 與 AlGaN 之間的異質結形成天然的柵極勢壘，實現(xiàn)增強型(E-mode)器件特性(閾值電壓為正)。其優(yōu)勢是結構緊湊、芯片面積小、寄生參數(shù)低，開關速度快，且無需額外的硅基 MOSFET 驅動，簡化了驅動電路設計。但工藝復雜度較高，對 p 型 GaN 的摻雜均勻性和界面質量要求嚴格，成本相對較高，更適合中高壓、高頻的功率電子應用(如新能源汽車逆變器、高頻電源)。

Cascode 結構這是一種雙芯混合集成方案，由一個低壓硅基 MOSFET(通常為增強型)與一個高壓耗盡型(D-mode)GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)串聯(lián)組成。通過硅基 MOSFET 控制整個器件的導通與關斷，利用 GaN HEMT 承受高壓，間接實現(xiàn)增強型特性。其優(yōu)勢是工藝成熟度高，兼容傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的驅動電路，開發(fā)難度低，成本更易控制，且可靠性經過充分驗證，適合中低壓、對成本敏感的場景(如消費電子電源、快充設備)。但由于是兩個器件的集成，寄生參數(shù)相對較高，開關速度略遜于 p-GaN gate 結構。

總結：內部結構不同，一種像電動車是直驅，一種要用變速箱非直驅。