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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>可控硅投切開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)介紹

可控硅投切開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)介紹

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2025-06-03 10:18:30815

南芯科技高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品介紹

隨著汽車電氣化水平及安全要求的提升,高邊開(kāi)關(guān)已成為車身控制等關(guān)鍵系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。高邊開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)車內(nèi)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)與開(kāi)關(guān)、保護(hù)與診斷,憑借其高可靠、低功耗、小型化、靈活易用等特點(diǎn),逐漸替代傳統(tǒng)
2025-05-28 17:59:231172

半導(dǎo)體分立器件分類有哪些?有哪些特性?

型晶體管(BJT)、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管):適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?(絕緣柵雙極型晶體管):結(jié)合MOSFET和BJT特性,用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管(可控硅)?:包括單向/雙向可控硅(SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061310

開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹

以進(jìn)一步分成兩類——直流變換器和交流變換。常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浯蠹s有10種,每種拓?fù)涠加凶约旱?b class="flag-6" style="color: red">特點(diǎn)和適用場(chǎng)合。 在選用時(shí)需要注意哪些問(wèn)題呢?首先是輸入電壓范圍:一般情況下,輸入電壓為220V,240v或
2025-05-12 16:04:14

觸發(fā)二極管的基本架構(gòu)、顯著特征及原理剖析有哪些

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。
2025-05-09 17:23:151571

EL3041 DIP-6 EVERLIGHT/億光雙向可控硅-EL3041光耦參數(shù)

供應(yīng)EL3041 DIP-6 EVERLIGHT/億光雙向可控硅,提供EL3041光耦詳細(xì)參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向億光供應(yīng)商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2025-05-05 13:53:50

捷捷微電-江蘇捷捷微電子科技股份有限公司

江蘇捷捷微電子股份有限公司成立于1995年,是集芯片研發(fā)、芯片制造、封測(cè)和銷售為一體的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)。主導(dǎo)產(chǎn)品為單、雙向可控硅、光電耦合器(光繼電器、高速、門極驅(qū)動(dòng)、可控硅、晶體管
2025-04-24 17:41:19

EL3041 DIP-6 EVERLIGHT/億光雙向可控硅-EL3041光耦詳細(xì)參數(shù)

EL3041 DIP-6 EVERLIGHT/億光雙向可控硅-EL3041光耦詳細(xì)參數(shù)
2025-04-24 11:14:15

MOC3021控制雙向可控硅關(guān)斷

在我的這個(gè)電路圖里,可控硅一直處于開(kāi)啟狀態(tài),沒(méi)有給單片機(jī)信號(hào),試著換一下可控硅的方向,也沒(méi)有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問(wèn)題了。
2025-04-21 15:46:54

請(qǐng)教關(guān)于恒溫干燥箱溫控器的問(wèn)題

干燥箱為鼓風(fēng)式恒溫干燥箱,使用的溫控器為FCE-3000系列溫控器,外置可控硅為BAT16-600B可控硅。 故障描述:升溫階段正常,當(dāng)溫度達(dá)到或超過(guò)所設(shè)定的溫度以后,溫度繼續(xù)上升,控制不了溫度
2025-04-21 10:56:33

芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
2025-04-15 15:21:342738

導(dǎo)熱脂科普指南:原理、應(yīng)用與常見(jiàn)問(wèn)題解答

一、導(dǎo)熱脂是什么? 導(dǎo)熱脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏或?qū)岣啵且环N用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20

LPCVD方法在多晶制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531996

芯片制造中的多晶介紹

多晶(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無(wú)數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453615

可控硅的控制奧秘:依賴直流還是交流?

可控硅的控制奧秘:依賴直流還是交流?可控硅,也稱為控整流器(SiliconControlledRectifier,簡(jiǎn)稱SCR),是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子、電機(jī)控制、照明調(diào)節(jié)等領(lǐng)域
2025-04-03 11:59:521681

開(kāi)關(guān)電源手冊(cè)(第二版)

資料介紹 內(nèi)容包括:開(kāi)關(guān)電源的功能及特點(diǎn)、開(kāi)關(guān)電源的基本電路與設(shè)計(jì)實(shí)例、電源電路的模擬、電源規(guī)格說(shuō)明書的查閱與編寫、節(jié)省能源與高效率化技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的防護(hù)、開(kāi)關(guān)電源的零件、開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用實(shí)例
2025-03-28 16:37:02

ADRF5345高線性度SP4T開(kāi)關(guān)英文手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADRF5345高線性度SP4T開(kāi)關(guān)英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-14 18:23:440

導(dǎo)熱系數(shù)的基本特性和影響因素

本文介紹的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253555

開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理

幾種基本類型的開(kāi)關(guān)電源 顧名思義,開(kāi)關(guān)電源就是利用電子開(kāi)關(guān)器件(如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅閘流管等),通過(guò)控制電路,使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”,讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制,從而
2025-03-10 17:01:32

BTA16-600BRG TO-220 15mA 600V 16A三端雙向可控硅

特性中等電流雙向可控硅采用夾片鍵合技術(shù),熱阻低絕緣型 BTA(螺栓安裝式晶閘管)使用低熱阻絕緣陶瓷具備高換向(四象限)或極高換向(三象限)能力BTA 系列通過(guò) UL1557 認(rèn)證(文件參考號(hào)
2025-03-07 15:22:49

6脈沖與12脈沖整流器UPS的原理與區(qū)別

6個(gè)開(kāi)關(guān)脈沖對(duì)6個(gè)可控硅分別進(jìn)行控制,因此得名6脈沖整流。在理想狀態(tài)下,忽略換相過(guò)程、電流脈動(dòng)、觸發(fā)延遲角和交流側(cè)電抗等因素,6脈沖整流器的交流側(cè)電流傅里葉級(jí)數(shù)展開(kāi)后,會(huì)含有6K±1(K為正整數(shù))次諧波,即5、7、11、13…等各次諧波。這些諧波的
2025-03-05 17:14:384484

ADRF5021 9kHz至30GHz、SPDT開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5021是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān),采用工藝制造。它采用3 mm × 3 mm、20引腳基板柵格陣列(LGA)封裝,在9 kHz至30 GHz頻率范圍內(nèi)提供高隔離度和低插入損耗。 該寬帶開(kāi)關(guān)采用+3.3 V和?2.5 V雙電源電壓供電,提供CMOS/LVTTL邏輯兼容控制。
2025-03-05 16:14:50884

ADRF5044 100MHz至30GHzSP4T開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5044 是一款利用工藝制造的通用單極四 (SP4T) 開(kāi)關(guān)。 它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝,在 100 MHz 至 30 GHz 頻率范圍內(nèi)具有隔離程度高、插入損耗低等特點(diǎn)。
2025-03-05 14:47:25922

ADRF5045 9kHz至30GHzSP4T開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5045 是一款利用工藝制造的通用單刀四擲 (SP4T) 開(kāi)關(guān)。它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝,在 9 kHz 至 30 GHz 頻率范圍內(nèi)具有隔離程度高、插入損耗低等特點(diǎn)。
2025-03-05 14:42:38950

ADRF5024 100MHz至44GHzSPDT反射式開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5024 是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān),采用工藝制造。 該開(kāi)關(guān)的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz,提供優(yōu)于 1.7 dB 的插入損耗和 35 dB 隔離性能。ADRF5024 的通過(guò)路徑和熱切換均具有 27 dBm 的射頻(RF)輸入功率處理能力。
2025-03-05 14:18:21959

ADRF5027 9kHz至44GHzSPDT非反射式開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5027是一款單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān),工作頻率范圍為9 kHz至44 GHz。 該開(kāi)關(guān)在40 GHz時(shí)具有2.2 dB的低插入損耗和TBD dB的高隔離度。該開(kāi)關(guān)還具有全部關(guān)斷功能,其中RF端口處于隔離狀態(tài)。ADRF5027采用非反射式設(shè)計(jì);兩個(gè)RF端口均內(nèi)部匹配至50 Ω.
2025-03-05 13:59:48925

ADRF5301 SPDT 37 GHz至49 GHz開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5301 是一款利用工藝制造的反射式單刀四擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān)。 ADRF5301 專為 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 應(yīng)用而開(kāi)發(fā)。該器件具有 1.4 dB 的低
2025-03-05 09:51:19822

矽力杰LED照明應(yīng)用方案AC-DC 可控硅調(diào)光 PWM調(diào)光

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電源轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。不同功率大小的LED燈具內(nèi)部必須配備“驅(qū)動(dòng)器”,沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器LED燈是不能發(fā)光的。家用常見(jiàn)使最多的驅(qū)動(dòng)器是12V,但較大功率的燈直流電壓等級(jí)就高,如5V.24V.68V.48V.100V.120V等。損壞替換時(shí)一定要配好電壓等級(jí),不然接上就燒LED燈珠。 ? 一、LED驅(qū)動(dòng)電源的類
2025-03-03 13:51:321147

光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

本文介紹光芯片的發(fā)展歷史,詳細(xì)介紹光通信技術(shù)的原理和幾個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982

DLP9500像出現(xiàn)很多沒(méi)有規(guī)律的豎線怎么解決?

DLP9500像發(fā)現(xiàn),在圖形變化的地方,總會(huì)有幾根豎線,但這個(gè)豎線并不是一直在同一個(gè)地方。。疑惑的是這個(gè)是豎線并不是橫線,并不是一行的數(shù)據(jù)有問(wèn)題。請(qǐng)教下可能存在的問(wèn)題。
2025-02-25 06:25:19

DLPR350能否使用ROI功能,一部分光?

請(qǐng)問(wèn)各位大哥,DLPR350能否使用ROI功能,一部分光。
2025-02-24 07:49:02

DLPR350圖順序錯(cuò)亂是什么原因?

如圖所示,我設(shè)置圖18張8BIT圖片,從S0-S1-S2(每個(gè)image index有6張圖片)的順序。當(dāng)圖片投到S2時(shí),圖片不是我設(shè)置的圖片。搞不明白為什么。圖片肯定放置沒(méi)問(wèn)題。 如圖12
2025-02-24 07:35:37

DLP4500調(diào)用投影儀sdk圖時(shí),相同的參數(shù)設(shè)置,循環(huán)圖幾千次后,代碼報(bào)錯(cuò)怎么解決?

調(diào)用投影儀sdk圖時(shí),相同的參數(shù)設(shè)置,循環(huán)圖幾千次后,代碼報(bào)錯(cuò),檢查了一下在下圖的位置,感覺(jué)像是usb的讀寫問(wèn)題,請(qǐng)問(wèn)有什么解決辦法嘛?
2025-02-21 17:13:13

DLPC3479燒錄時(shí)序后,左右圖不一致是什么原因?

設(shè)備燒錄時(shí)序后,出現(xiàn)左右圖不一致(左橫右豎)的情況。燒錄后是有重新啟動(dòng)的,而且在同一臺(tái)電腦上重復(fù)了多次還是這樣(進(jìn)度條有提示燒錄完成)。換一臺(tái)電腦重新燒錄時(shí)序后,圖正常。 請(qǐng)問(wèn)這大概是什么原因?
2025-02-21 08:11:59

DLPC3479左右圖不一致是哪里出了問(wèn)題?

DLPC3479+DLPA3005+DLP4710方案,內(nèi)部test pattern圖正常,pattern圖,右側(cè)沒(méi)有圖片投出來(lái),請(qǐng)幫忙分析一下
2025-02-21 07:47:15

DLPC3479 internal pattern無(wú)法圖是怎么回事?

test pattern可以正常圖,internal pattern無(wú)法圖,LED不亮。 實(shí)測(cè)波形:internal pattern無(wú)法圖時(shí),LED_SEL_0和LED_SEL_1無(wú)波形
2025-02-21 07:22:23

高性能雙向可控硅BTA04A,助力智能家居與工業(yè)自動(dòng)化發(fā)展

隨著電力電子行業(yè)的蓬勃發(fā)展,雙向可控硅作為高效的電力控制元件,正廣泛應(yīng)用于電源管理、調(diào)光控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。為滿足智能家居和工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)對(duì)高性能、低損耗和高熱效應(yīng)雙向可控硅的迫切需求,廣東佳訊
2025-02-20 14:21:50910

DLPC3479 + DLPA3005 + DLP4710正常圖一段時(shí)間后不能圖是怎么回事?

現(xiàn)象如題,固件版本8.1.1,GUI軟件版本3.1.0.5; 多次嘗試復(fù)現(xiàn)的時(shí)間不固定,一般2小時(shí)以上; 復(fù)現(xiàn)問(wèn)題時(shí),i2c接口可以正常讀寫,比如讀取dmd type,發(fā)送圖start指令也
2025-02-20 07:35:08

DLP4710EVM-LC為什么不能正常圖?

我的圖片如圖所示 當(dāng)我按照以下序列燒錄閃存,并用API控制圖時(shí) 只能投射出前面三組圖片,而燒錄以下序列圖片后 只能投射出第一組圖片,我發(fā)現(xiàn)只能投射圖片數(shù)量為8的set,當(dāng)遇到圖片數(shù)量不為
2025-02-19 08:11:08

自制DLP4710LC板子在display模式下圖能觀察到LED閃爍的原因?

獲取到信息,一開(kāi)始在Display模式下,任意Test pattern或splash圖片,DMD和LED都正常顯示,肉眼觀察不到閃爍;但是轉(zhuǎn)到Light Control界面的Internal
2025-02-18 06:37:24

DLP3010LC連續(xù)圖只一次圖片,為什么?

點(diǎn)擊連續(xù)圖按鈕也只能一次圖片
2025-02-17 08:39:27

永源微電子 可控硅整流元件 晶閘管 MOS管代理 APMBT136B-Y1、APMBT136A-Y1

永源微電子 可控硅型號(hào)如下 APMBT135A-D1、APMBT136C-D1、APMBT136B-D1、APMBT136B-Y1、APMBT136A-Y1、APMBT136A-D1
2025-02-14 14:02:42

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

開(kāi)關(guān)模式電源中使用 GaN 開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551177

可控硅調(diào)壓器與變壓器區(qū)別

可控硅調(diào)壓器與變壓器是兩種在電力系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的電氣設(shè)備,它們各自具有獨(dú)特的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景。 一、產(chǎn)品含義與工作原理 可控硅調(diào)壓器 含義 :可控硅調(diào)壓器,簡(jiǎn)稱晶閘管調(diào)功器,是一種以可控硅(電力
2025-02-01 17:20:002027

三相可控硅整流模塊怎么控制電壓大小

三相可控硅整流模塊是一種電力電子設(shè)備,它利用可控硅(也稱為晶閘管)作為核心元件,通過(guò)控制其導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,并實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的調(diào)節(jié)。 一、三相可控硅整流模塊的基本工作原理 三相可控硅
2025-02-01 11:24:002827

軟啟動(dòng)可控硅測(cè)量好壞的方法

一、引言 軟啟動(dòng)器是一種用于控制電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)過(guò)程的電力電子設(shè)備,它通過(guò)逐步增加電動(dòng)機(jī)的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)平滑啟動(dòng),從而減少對(duì)電網(wǎng)和電動(dòng)機(jī)的沖擊。可控硅作為軟啟動(dòng)器的核心元件之一,其性能的好壞直接影響到軟啟動(dòng)
2025-02-01 10:22:003217

開(kāi)關(guān)電源芯片U8623產(chǎn)品介紹

超結(jié)功率MOS在開(kāi)關(guān)電源芯片U8623中對(duì)降低EMI(電磁干擾)干擾、增強(qiáng)EMS(電磁抗擾度)抗干擾能力起到了重要作用。
2025-01-17 15:53:491325

簡(jiǎn)析光耦在帶過(guò)零檢測(cè)的輔助電源的廣泛應(yīng)用

了交流電壓過(guò)零檢測(cè)與信號(hào)輸出功能,該功能產(chǎn)生的過(guò)零信號(hào)可用于精確控制繼電器、可控硅等器件的過(guò)零開(kāi)關(guān)動(dòng)作,從而有效減小開(kāi)關(guān)應(yīng)力,顯著提升器件的使用壽命。通過(guò)高度的集成化和
2025-01-16 09:25:081035

SY59112A2_B4兼容高壓可控硅調(diào)光器

SY59112A2/B4是一款用于高壓可控硅的線性LED驅(qū)動(dòng)器集成了500V功率MOSFET和700V出血MOSFET。它使用特殊的技術(shù)實(shí)現(xiàn)高PF和高效率的性能。特殊的增加了邏輯功能,實(shí)現(xiàn)了良好
2025-01-15 09:23:131

SY59112A2 / B4 可調(diào)光,高效率線性驅(qū)動(dòng)器集成電流紋波去除器

SY59112A2/B4是一款用于高壓可控硅的線性LED驅(qū)動(dòng)器集成了500V功率MOSFET和700V出血MOSFET。它使用特殊的技術(shù)實(shí)現(xiàn)高PF和高效率的性能。特殊的增加了邏輯功能,實(shí)現(xiàn)了良好
2025-01-15 09:21:19

新原理與新結(jié)構(gòu):基于分離波導(dǎo)交叉的MEMS開(kāi)關(guān)及陣列

switch based on split waveguide crossings(基于分離波導(dǎo)交叉的MEMS開(kāi)關(guān))”的研究論文。 傳統(tǒng)光開(kāi)關(guān)工作機(jī)制是:基于折射率的微小變化進(jìn)行模式耦合或模式干涉狀態(tài)
2025-01-14 09:24:441915

SM2018E 支持可控硅調(diào)光線性恒流控制芯片

SM2018E 是一款雙通道 LED 線性恒流控制芯片,芯片使用本司專利的恒流設(shè)定和控制技術(shù),支持可控硅調(diào)光和紅外感應(yīng)應(yīng)用,輸出電流由外接 Rext 電阻設(shè)置,且輸出電流不隨芯片 OUT 端口電壓而
2025-01-11 09:41:530

可控硅的控制奧秘:依賴直流還是交流?

可控硅是一種重要的半導(dǎo)體器件,通過(guò)控制極的觸發(fā)信號(hào)實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。它可以在直流和交流電路中應(yīng)用,分別用于開(kāi)關(guān)、調(diào)節(jié)、調(diào)光等功能。直流控制和交流控制的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景有所不同,但都依賴于精確的觸發(fā)電路設(shè)計(jì)。通過(guò)合理設(shè)計(jì)控制電路和保護(hù)電路,可以充分發(fā)揮可控硅的性能,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的精確控制。
2025-01-10 15:44:583285

安科瑞AFK切開(kāi)關(guān)復(fù)合開(kāi)關(guān)共補(bǔ)型主要用于切電容

安科瑞 程瑜 ?187 0211 2087 低壓復(fù)合開(kāi)關(guān)是低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置中,用于切電容器的產(chǎn)品。其基本工作原理是將可控硅和磁保持繼電器并聯(lián),由內(nèi)部單片機(jī)控制,在投入和切除的瞬間由可控硅承擔(dān)過(guò)零
2025-01-09 09:36:37681

OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的納米錐仿真

介紹 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53

安科瑞晶閘管動(dòng)態(tài)切開(kāi)關(guān)AFK

安科瑞 程瑜 187 0211 2087 1產(chǎn)品概述 低壓復(fù)合開(kāi)關(guān)是新一代低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置中的電容器切元件,其基本工作原理是將可控硅和磁保持繼電器并聯(lián),由內(nèi)部單片機(jī)控制,在投入和切除的瞬間由可控硅
2025-01-07 13:36:17839

電容系列一:電容概述

電容是一種采用了作為材料,通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482198

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