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SiC扎根汽車領(lǐng)域

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2025-07-21 09:57:571245

三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)

三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM,本章節(jié)主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品。
2025-07-19 09:18:005456

三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(1)

三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM,本章節(jié)主要介紹超小型全SiC DIPIPM。
2025-07-19 09:15:003482

博世又一家SiC工廠落地!

近日,博世汽車電子中國區(qū)在蘇州五廠建成了SiC功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。 SiC功率模塊本地化生產(chǎn)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì) 圖/博世汽車電子 博世表示,盡管本地缺乏SiC模塊生產(chǎn)的相關(guān)
2025-07-17 13:59:19564

混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優(yōu)解?

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱,但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會降低系統(tǒng)效率,尤其在高頻和低負(fù)載
2025-07-09 09:58:192947

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28492

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-19 16:57:201228

簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241467

SiC戰(zhàn)場轉(zhuǎn)向國內(nèi)?三款SiC MOSFET新品齊發(fā),導(dǎo)通損耗再降50%

。其在新能源汽車、AI服務(wù)器等前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力,不僅有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度,還為實(shí)現(xiàn)更緊湊、更節(jié)能的電力電子系統(tǒng)提供了有力支持,未來有望在這些高速發(fā)展的行業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 SiC行業(yè)競爭“白熱化”:部分國際大廠調(diào)整布局
2025-06-10 09:07:465173

國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度
2025-06-09 17:21:23507

理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間,行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件,由于SiC襯底材料本身存在的缺陷導(dǎo)致器件一致性可能存在差異
2025-06-09 08:03:0012917

SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用的秘密

-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識星球發(fā)布-1200+最新電動汽車前瞻技術(shù)報(bào)告與解析已
2025-06-01 15:04:40457

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺跥aN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-05-10 13:38:19860

英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn),加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升

,CoolSiC產(chǎn)品系列覆蓋了400V至3.3kV的電壓范圍,應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等?,F(xiàn)在,英飛凌又憑借豐富的Si
2025-05-08 17:05:25820

國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)

Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57538

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商
2025-05-03 15:29:13628

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片
2025-05-03 10:45:12561

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問題

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,先進(jìn)封裝的SiC功率模組在失效
2025-04-25 13:41:41747

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683

對比三款主驅(qū)逆變器,SiC和Si IGBT差距巨大!

汽車市場的滲透率快速飆升。 ? 盡管我們經(jīng)常能夠看到SiC的優(yōu)勢,但實(shí)際新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用中,跟IGBT到底差別多大?為什么這么多車企在短短幾年的時(shí)間內(nèi)紛紛切換到SiC?下面我們通過Yole Group對三款車型的主驅(qū)逆變器拆解,直觀地了解到SiC的優(yōu)勢所在。 ? SiC
2025-04-21 09:08:102203

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)109Pa且溫度超過3200℃的極端條件下,才有
2025-04-18 11:28:061062

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能和電氣特性,越來越多地被應(yīng)用于高效能、高頻率
2025-04-17 16:20:38998

SiC價(jià)格,何時(shí)止跌?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅市場持續(xù)增長,在新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域滲透率正在不斷提高。 ? 根據(jù)國信證券數(shù)據(jù),我國2025年1月新能源上險(xiǎn)乘用車主驅(qū)模塊中SiC MOSFET占比為
2025-04-15 00:10:006812

除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024年財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單
2025-04-14 05:58:12946

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

Keithley高壓靜電計(jì)的SiC器件兆伏級瞬態(tài)擊穿特性研究

一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等
2025-03-31 13:36:51605

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。 主要特性 極致功率密度:得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21

焊接技術(shù)在汽車電子制造領(lǐng)域的應(yīng)用

汽車電子麥克風(fēng)模組激光焊接是一種在汽車電子制造領(lǐng)域用于連接麥克風(fēng)模組部件的先進(jìn)焊接技術(shù),松盛光電將帶來它的詳細(xì)介紹。
2025-03-13 11:30:001367

突破電動汽車動力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸:先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)

隨著汽車市場向主流采用加速,電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石,推動了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿,碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展,重新定義了電動動力系統(tǒng)的能力。電動汽車的日益普及
2025-03-12 11:40:561119

SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582468

SiC與GaN技術(shù)專利競爭:新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢,如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作,使其特別適用于電動汽車(EV
2025-03-07 11:10:29953

SiC MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)作為SiC基半導(dǎo)體器件的重要組成部分,具備高效率、高溫工作和高頻特性等優(yōu)點(diǎn),已在多個(gè)領(lǐng)域得到了實(shí)際應(yīng)用。本文將詳細(xì)探討SiCMOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及其在不同領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2025-03-03 16:03:451428

SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-02-26 15:07:381115

安森美新型SiC模塊評估板概述

碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力,安森美(onsemi)推出了一系列評估板,速來一起探索。
2025-02-25 15:24:03857

SiC器件封裝技術(shù)大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,以其耐高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)異特性,在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢性能,封裝技術(shù)起著
2025-02-21 13:18:361795

英飛凌200mm SiC技術(shù)取得突破,2025年首供客戶

英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展,計(jì)劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在奧地利的菲拉赫生產(chǎn)基地制造,標(biāo)志著英飛凌在高壓應(yīng)用領(lǐng)域邁出
2025-02-19 15:35:361302

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造,將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù),包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動汽車等。
2025-02-18 17:45:344650

SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法

引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制造過程中,表面污染物的存在會嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。其中,溝槽型SiC
2025-02-02 13:49:001995

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性,并通過對比硅基MOSFET和IGBT,闡述其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
2025-02-02 13:48:002733

使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

電動汽車SiC演變和GaN革命

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動汽車SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 14:03:073

牽引、充電和可持續(xù)性——用SiC應(yīng)對高壓電動汽車的挑戰(zhàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《牽引、充電和可持續(xù)性——用SiC應(yīng)對高壓電動汽車的挑戰(zhàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 14:01:551

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

高溫、高壓和高頻環(huán)境下穩(wěn)定工作,同時(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和較高的開關(guān)速度。這些特性使得SiC在電力電子領(lǐng)域,特別是在電動汽車(EV)和可再生能源系統(tǒng)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器和電源管理中發(fā)揮著重要作用。 2. 照明技術(shù) 在照明領(lǐng)域,碳化硅被用
2025-01-23 17:06:132593

SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

型D-MOSFET系列,不僅展現(xiàn)了SemiQ在SiC技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更為光伏、風(fēng)能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域提供了全新的解決方案。
2025-01-23 15:46:58999

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221224

驅(qū)動Microchip SiC MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

國產(chǎn)SiC MOSFET,正在崛起

來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)??梢?,SiC這一市場在汽車領(lǐng)域頗有潛力。 不過,近幾年國內(nèi)SiC
2025-01-09 09:14:05976

碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更高的禁帶寬度和擊穿電壓,可實(shí)現(xiàn)更高的電流密度、更高的開關(guān)頻率以及更低的總損耗。
2025-01-08 11:38:131149

SiC MOSFET的性能優(yōu)勢

,廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源以及工業(yè)電源等領(lǐng)域。本文將深入探討SiCMOSFET的主要性能優(yōu)勢和技術(shù)難點(diǎn),以幫助工程師在實(shí)際應(yīng)用中更好地理解和運(yùn)用這一新興器件。
2025-01-06 17:01:101691

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