產(chǎn)品描述
AP3471 是一款支持寬電壓輸入的同步降壓電源管理芯片, 輸入電壓 8-30V 范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)3.1A 的連續(xù)電流輸出。通過調(diào)節(jié) FB 端口的分壓電阻, 設(shè)定輸出 1.8V 到 28V 的穩(wěn) 定電壓 。AP3471 具有優(yōu)秀的負(fù)載調(diào)整率和線電壓調(diào)整率,在全范圍內(nèi)不超過±5%。AP3471 采用電流模式的環(huán)路控制原理,實(shí)現(xiàn)了快速 的 動(dòng) 態(tài) 響應(yīng) 。 AP3471 工 作 開 關(guān) 頻 率 為130kHz,具有良好的 EMI 特性。AP3471 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償,可通過調(diào)節(jié) FB 端口的分壓電阻阻值來實(shí)現(xiàn)。AP3471 不僅可實(shí)現(xiàn)芯片降壓電源管理方案,還可以與 QC2.0/ QC3.0識(shí)別芯片構(gòu)成快速充電電源管理方案。另外AP3471包含多重保護(hù)功能:過溫保護(hù),輸出短路保護(hù)和輸入欠壓/過壓保護(hù)等。
特點(diǎn)
◆ 輸出電流:3.1A
◆ 開關(guān)頻率:130kHz
◆ 寬輸入電壓范圍:8V-30V
◆ 寬輸出電壓范圍:1.8V-28V
◆ 無需外部補(bǔ)償
◆ 效率可高達(dá) 92%以上
◆ 輸入欠壓/過壓、輸出短路和過熱保護(hù)
◆ SOP8 封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
◆ 車載充電器、適配器
◆ 追蹤器、恒壓源
◆ 分布式供電系統(tǒng)
應(yīng)用信息
◆功能簡介
AP3471 采用固定頻率的電流模式架構(gòu)。輸出電壓由FB 管腳的分壓電路設(shè)定,比較器將電阻分壓值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,相應(yīng)地調(diào)整電感峰值電流。正常工作狀態(tài)下,當(dāng)振蕩器將 R-S 鎖存器置位時(shí),上管PMOS 功率管導(dǎo)通;當(dāng)電流比較器將 R-S 鎖存器復(fù)位時(shí),上管 PMOS 功率管截止,下管 NMOS 功率管導(dǎo)通,直到電流翻轉(zhuǎn)比較器觸發(fā)或下一個(gè)周期開始時(shí), 下管NMOS 功率管截止,上管 PMOS 功率管導(dǎo)通,再進(jìn)行下一周期循環(huán)。
◆電感選型
電感的通過電流大小應(yīng)大于等于最大負(fù)載電流與紋波電流一半之和以避免磁飽和。因此,一個(gè)額定值為 3.6A 的電感對于多數(shù)應(yīng)用條件是足夠的(3.1A+0.6A)。為了提高效率,應(yīng)選擇低直流阻抗的電感。不同的磁芯材料和形狀會(huì)改變一個(gè)電感的尺寸/電流和價(jià)格/電流關(guān)系。環(huán)形或帶屏蔽磁芯,使用鐵氧體或者坡莫合金材質(zhì)具有更小的體積和更低的輻射能量,但是通常比同等電氣特性的鐵粉芯花費(fèi)更高的價(jià)格。電感的選擇通常還要考慮價(jià)格、尺寸要求和 EMI 需求等因素,而不是優(yōu)先滿足芯片的工作要求。
◆效率注意事項(xiàng)
開關(guān)電源調(diào)節(jié)器的效率等效于輸出功率與輸入功率的百分比。通常分析一些個(gè)體的損失,對于查明限制效率的原因和發(fā)現(xiàn)提高效率的措施是十分有幫助的。效率可以表示為:效率=100%-(L1+L2+L3...),此時(shí),L1,L2……每一項(xiàng)是占一定百分比的輸入損失。盡管電路中存在很多損耗性的因素,VIN 靜態(tài)電流和 I2R 是兩項(xiàng)主要損耗。VIN 靜態(tài)電流損失決定了極低電流負(fù)載時(shí)的效率,而 I2R 損失決定了中等和較高負(fù)載電流時(shí)的效率。在一個(gè)典型的效率曲線內(nèi),由于實(shí)際功率損失不明顯,會(huì)導(dǎo)致曲線在極低負(fù)載電流時(shí)出現(xiàn)誤導(dǎo)性的錯(cuò)誤。
◆溫度保護(hù)
AP3471 具有過溫保護(hù)功能。當(dāng)芯片內(nèi)部溫度達(dá)到 150℃時(shí),保護(hù)電路啟動(dòng),關(guān)閉 PWM 輸出,使芯片 溫度下降。過溫保護(hù)電路可以防止芯片因故障導(dǎo)致的過熱損壞。AP3471 若長時(shí)間處于熱關(guān)斷模式會(huì)降低芯 片的可靠性。
◆電流限制
在上管 PMOS 功率管導(dǎo)通期間,電流限制模塊可以檢測流過上管 PMOS 功率管的電流。此電流限定值由內(nèi)部直接設(shè)定,如果流過上管 PMOS 功率管的電流超過設(shè)定的限流值,則上管 PMOS 功率管截止。
審核編輯?黃昊宇
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評(píng)論