采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
解決這些問題來的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動(dòng)器，用更強(qiáng)的抗干擾、更高的效率以及更簡潔的高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，能讓高壓驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點(diǎn)？
扛得住干擾，穩(wěn)得住高壓：能承受600V
2026-01-04 08:59:29
在工業(yè)風(fēng)機(jī)、家電壓縮機(jī)或通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用中，一個(gè)簡潔可靠的半橋驅(qū)動(dòng)電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動(dòng)器，集成了關(guān)鍵的自舉二極管，支持高達(dá)600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
終止（TrenchFSII）技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49
681 
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下，變頻器作為核心控制設(shè)備，對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，長期依賴進(jìn)口型號(hào)，BYV26C便是該領(lǐng)域的傳統(tǒng)
2025-12-23 14:43:34948 
、4A輸出的半橋門極驅(qū)動(dòng)器，旨在通過增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動(dòng)效率并簡化設(shè)計(jì)，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15
高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中，你是否也在高壓驅(qū)動(dòng)的門檻前反復(fù)權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門極驅(qū)動(dòng)器才能在高頻開關(guān)
2025-12-03 08:25:35
傾佳電子研究報(bào)告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
2025-11-21 21:29:06861 
一、概述：高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱
2025-11-21 08:35:25
Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術(shù)，助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)的發(fā)展。作為已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開關(guān)的重點(diǎn)供應(yīng)商，PI正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向800VDC供電和兆瓦級(jí)機(jī)架的轉(zhuǎn)型。
2025-11-20 16:49:471155 一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
2025年，“2000V”成為光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后，行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺(tái)。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善，更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的關(guān)鍵方向。
2025-11-05 09:26:136221 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
STMicroelectronics STEVAL-CTM011V1主流壓縮機(jī)解決方案是一款基于STSPIN32F0601Q控制器的三相逆變器。該解決方案內(nèi)置一個(gè)三相600V柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)Arm
2025-10-31 11:45:59429 
大功率二極管、IGBT模塊，大功率IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的V-I特性測試，測試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣
2025-10-29 10:39:241726 
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT
2025-10-23 09:58:461592 
STMicroelectronics STSPIN32G060x 600V三相BLDC控制器 采用一體化封裝，用于驅(qū)動(dòng)三相應(yīng)用。STMicro STSPIN32G060x包括一個(gè)帶32位Arm
2025-10-22 11:29:194441 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近多家車企推出的新車型搭載了全新的平臺(tái)，平臺(tái)電壓從過去的800V再次提升到900V甚至1000V。包括煥新極氪001和極氪7X上搭載了全棧900V高壓架構(gòu)，零跑D19
2025-10-22 09:22:082820 和IGBT器件的可靠驅(qū)動(dòng)，助力高壓功率器件實(shí)現(xiàn)可靠且高效的運(yùn)行。
寬電壓耐受，驅(qū)動(dòng)更可靠
1. 600V母線電壓支持：適配工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用場景，穩(wěn)定應(yīng)對(duì)高電壓波動(dòng)。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
進(jìn)行了固件上傳和工程測試。
介紹
Milk-V Duo 是一款基于 CV1800B 芯片的超緊湊型嵌入式開發(fā)平臺(tái)。 它可以運(yùn)行 Linux 和 RTOS，為專業(yè)人士、工業(yè) ODM、AIoT 愛好者、DIY
2025-10-19 13:06:18
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98
2025-10-14 15:34:13804 
傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹⑵骷x型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論：高壓電力電子系統(tǒng)對(duì)輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-10-14 15:06:06453 
)的TGAF40N60F2DIGBT，深入探討它的技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用前景。當(dāng)我們拿到一顆IGBT，其數(shù)據(jù)手冊上的參數(shù)是冰冷的，但背后的技術(shù)內(nèi)涵卻是鮮活的。TGAF40
2025-09-30 09:41:221711 
，該平臺(tái)可以大幅度縮短軟硬件協(xié)同開發(fā)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)“等待時(shí)間”向“開發(fā)時(shí)間”的轉(zhuǎn)化，助力RiSC-V從“可用”走向“好用”。
2025-09-25 00:32:003857 
揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái)，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486 
推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù)，提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長需求。
2025-09-17 15:45:45911 各位關(guān)注先楫的小伙伴們，基于PX4v1.16.0版本的FMU-V6XHPMv0.1.0(基于HPM_SDKv1.10.0)正式發(fā)布了！為想使用先楫芯片開發(fā)PX4飛控的朋友們提供了基礎(chǔ)平臺(tái)，用戶可在此基礎(chǔ)上進(jìn)行快速開發(fā)
2025-09-16 08:32:202123 
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
了其對(duì)電壓波動(dòng)的適應(yīng)性。3. 簡化設(shè)計(jì)，集成度高
采用浮動(dòng)通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無需復(fù)雜的隔離電源，極大地簡化了半橋、全橋等拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)芯片。NSG2153D其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中，電解電容作為關(guān)鍵元器件，其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn)，成為高壓電路中的"扛把子"，為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42630 在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點(diǎn)——美國本土常見的600V級(jí)電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19799 
： SLM2184SCA-13GTR的核心價(jià)值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)電流（950mA） 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能（死區(qū)時(shí)間、UVLO、關(guān)斷引腳）。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了一個(gè)高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動(dòng) #半橋驅(qū)動(dòng) #門極驅(qū)動(dòng)
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性價(jià)比的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。核心優(yōu)勢：高壓驅(qū)動(dòng)與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價(jià)值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06
升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文15500字-文字原創(chuàng)，素材來源：infineon
2025-08-08 07:41:052382 
新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實(shí)現(xiàn)可再生能源轉(zhuǎn)換效率最大化，助力脫碳進(jìn)程產(chǎn)品型號(hào)
2025-08-04 18:10:291907 
變頻器重要的細(xì)分產(chǎn)品，690V變頻器主要應(yīng)用于冶金、石油、造紙、港口大型起重設(shè)備和船舶等領(lǐng)域。英飛凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模塊已經(jīng)在69
2025-07-30 17:30:341044 賽昉科技（StarFive）正式入駐RuyiSDK開發(fā)者社區(qū)，攜手推動(dòng)RISC-V技術(shù)創(chuàng)新。后續(xù)，賽昉科技的技術(shù)突破與生態(tài)進(jìn)展將同步在RVspace及RuyiSDK雙平臺(tái)發(fā)布，賽昉技術(shù)團(tuán)隊(duì)將定期解答
2025-07-30 10:35:23904 
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)半橋或類似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
此前，7月16日至18日，第五屆RISC-V中國峰會(huì)在上海盛大召開。普華基礎(chǔ)軟件副總經(jīng)理兼戰(zhàn)略研究院院長張曉先受邀參會(huì)，發(fā)表《開源小滿助力RISC-V軟硬協(xié)同生態(tài)發(fā)展》主題演講，分享了開源小滿
2025-07-28 16:51:481010 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061027 
) 1700V 適用1140V交流系統(tǒng)/1500VDC母線 封裝 PrimePACK? 3+ 三菱專利封裝，支持雙面散熱/低電感 VCE(sat) @ IC=600A
2025-07-18 11:54:591476 
RISC-V 的魅力在于以模塊化、開源、開放的指令集為底座，通過平臺(tái)化技術(shù)框架降低芯片與應(yīng)用開發(fā)門檻，并以協(xié)同共建的產(chǎn)業(yè)生態(tài)彌合碎片、加速落地。因此，高通高級(jí)副總裁 Leendert van
2025-07-17 14:04:484133 于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴(kuò)展至
2025-07-16 15:14:08
、接觸器、電機(jī)控制器等多種場景，為電路提供可靠的保護(hù)。該產(chǎn)品具備快速響應(yīng)特性，能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時(shí)迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
驅(qū)動(dòng)：±12A源/灌電流峰值，直驅(qū)1200V/1700V IGBT模塊
納秒級(jí)響應(yīng)：90ns傳輸延遲（典型值），保障PWM控制精度
150kV/μs CMTI：工業(yè)級(jí)共?？箶_度，徹底杜絕誤觸發(fā)
寬壓
2025-07-15 09:25:36
具備快速響應(yīng)特性，能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時(shí)迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓涵蓋 600V AC 和 600V DC，額定電流范圍為 0.1-30A，分
2025-07-14 11:34:41
，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通
2025-07-08 17:31:041890 艾為推出SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品AW39103，其憑借優(yōu)異的性能，成功通過高通平臺(tái)認(rèn)證，并獲得高通最高推薦等級(jí)(GOLD)。圖1高通平臺(tái)認(rèn)證隨著手機(jī)平臺(tái)處理器工藝向4nm/3nm演進(jìn)，其I/O電平已降至
2025-07-04 18:06:291030 
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí)，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時(shí)，需要對(duì)門極施加300V加15V，合計(jì)315V的母線電壓。因此，需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動(dòng)電路。
2025-07-03 10:46:044750 
2025年上海SNEC展會(huì)次日，上能電氣成功獲得TüV南德意志集團(tuán)頒發(fā)的CTF認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室證書，標(biāo)志著其檢測能力獲得國際權(quán)威認(rèn)可。TüV南德智慧能源副總裁許海亮為上能電氣無錫研發(fā)中心資源平臺(tái)總經(jīng)理吳亞平現(xiàn)場授證。
2025-06-17 18:23:32952 深度工藝審查規(guī)則 ，且更多工藝審查規(guī)則和企業(yè)版專屬高階功能持續(xù)新增中
3、企業(yè)級(jí)專屬服務(wù)
◆ 輕量 定制開發(fā) （最快3天交付企業(yè)專用規(guī)則庫）
◆ 代建元件庫服務(wù)：元件庫600萬+，支持代建服務(wù)
2025-06-11 16:02:36
IAR正式發(fā)布其旗艦產(chǎn)品的重大更新版本：Arm開發(fā)工具鏈v9.70和RISC-V開發(fā)工具鏈v3.40。
2025-06-11 14:28:28734 輸出高達(dá)600V的電壓；邏輯輸入兼容CMOS（3.3V）或LSTTL標(biāo)準(zhǔn)電平，內(nèi)部集成死區(qū)控制和關(guān)斷控制功能。 ? 二、?性能優(yōu)點(diǎn)： 1.?寬工作電壓8~20V； 2.?高輸出源電流/灌電流0.4A
2025-06-11 10:16:11908 
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚(yáng)杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢： 1.低導(dǎo)通壓降（VTM ：減少功率損耗，提高能效，降低溫升
2025-06-04 12:05:4446161 
在全球電動(dòng)汽車市場快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路，專門為800V電動(dòng)汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此款新產(chǎn)品
2025-05-28 11:42:09650 
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢 ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 。
這款國產(chǎn)工具通過持續(xù)的技術(shù)迭代，正在重新定義硬件開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)—— 讓專業(yè)設(shè)計(jì)更簡單，讓產(chǎn)品創(chuàng)新更高效 。對(duì)于追求設(shè)計(jì)質(zhì)量與效率平衡的工程師，V4.6版本已成為從概念到量產(chǎn)的必備助手。
華秋DFM不僅僅是
2025-05-22 16:07:31
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 （Power Integrations）推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)IC實(shí)現(xiàn)。 ? 從12V 到800V ：解讀電動(dòng)汽車高壓化背后的電源革命難題 與新能源汽車相比，傳統(tǒng)燃油汽車跟電源管理相關(guān)應(yīng)用的電壓等級(jí)相
2025-05-16 18:21:297513 
UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21710具有高達(dá) ±10A
2025-05-16 17:26:07842 
UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697 
功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334723 
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471042 云平臺(tái)連接（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時(shí)長
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工程源碼
1
SC171連接華為云案例Part1
7分55秒
https://t.elecfans.com
2025-04-27 14:23:27
平臺(tái)介紹及基本使用（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時(shí)長
視頻課程鏈接
課件鏈接
1
邊緣AIoT開發(fā)套件V3
*附件：邊緣AIoT開發(fā)套件V3.pdf
2
開箱指南
8分44
2025-04-17 10:49:20
軟件平臺(tái)的使用（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時(shí)長
視頻課程鏈接
課件鏈接
工程源碼
1
WIFI連接指南
5分16秒
https://t.elecfans.com/v
2025-04-16 17:25:13
2025年3月25日，華微軟件自主研發(fā)的“通過構(gòu)建表模式與SQL轉(zhuǎn)換降低自然語言生成復(fù)雜SQL的方法”正式獲得國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授權(quán)。據(jù)悉，該專利將運(yùn)用于華微大模型應(yīng)用開發(fā)平臺(tái)，這意味著平臺(tái)的智能數(shù)據(jù)
2025-04-15 17:45:07502 
盾華電子600余盞新型智慧路燈“儲(chǔ)能路燈”悄然落地湖北荊門
2025-04-10 08:37:52524 
只有600V、25A。很長一段時(shí)間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達(dá)到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓
2025-04-09 15:02:01
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào)，額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257 HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負(fù)向瞬態(tài)電壓，抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，具備欠壓鎖定功能，可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37828 
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957 由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
近日，京東方華燦華匯工廠在珠海市金灣區(qū)成功舉辦主題為“華匯芯啟航，共譜新華章”的喬遷儀式。
2025-03-10 17:26:491046 在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中，電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定，甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問題，卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器，為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06577 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
## 600V變380V變壓器：CSA認(rèn)證，開啟工業(yè)設(shè)備出口新時(shí)代！ 在全球化背景下，工業(yè)設(shè)備的出口已成為企業(yè)拓展國際市場的重要途徑。然而，不同國家的電壓標(biāo)準(zhǔn)差異一直是制約設(shè)備出口的關(guān)鍵因素之一
2025-03-03 15:30:41698 
在工業(yè)電力系統(tǒng)中，變壓器的安全性和可靠性一直是核心關(guān)注點(diǎn)。隨著工業(yè)設(shè)備的國際化需求增加，電壓轉(zhuǎn)換設(shè)備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出的600V變380V無零線變壓器，憑借其創(chuàng)新的無零線
2025-03-03 15:25:48674 在全球化背景下，工業(yè)設(shè)備的國際化適配成為企業(yè)拓展海外市場的重要挑戰(zhàn)之一。尤其是在電力系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)差異顯著的地區(qū)，如北美、歐洲和亞洲，電壓不匹配問題常常阻礙設(shè)備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03628 UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)以地為參考的通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-02-26 10:52:531307 
。
輸入電流流經(jīng)內(nèi)部 1.8 mΩ 導(dǎo)體，該導(dǎo)體產(chǎn)生由集成霍爾效應(yīng)傳感器測量的磁場。這種結(jié)構(gòu)消除了外部集中器并簡化了設(shè)計(jì)。低導(dǎo)體電阻可最大限度地減少功率損耗和散熱。固有電流絕緣提供 600V 的終生
2025-02-25 16:24:091326 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書 CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，更適合用于全橋拓?fù)潆娐?。EG2126 高端的工作電壓可達(dá) 600V，低端 VDD 的電源電壓范圍寬 3V～20V。該芯片具有閉鎖功能防止輸
2025-02-19 08:54:50
PCB 上
產(chǎn)品應(yīng)用
HRA 6~20W 系列模塊電源是一種DC-DC升壓正負(fù)雙輸出高壓電源模塊。該模塊電源的輸入電壓分為：4.5~9V、9~18V、及18~36VDC標(biāo)準(zhǔn)（2：1）寬輸入
2025-02-14 15:57:12949 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測試與評(píng)估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09898 RISC-V雙系統(tǒng)平臺(tái)結(jié)合了FPGA的靈活性和RISC-V指令集的開放性，為用戶提供了一個(gè)高效、靈活的開發(fā)環(huán)境。
2025-01-14 09:58:251113 
（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。
2025-01-14 09:42:281899 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場效應(yīng)管技術(shù)采用軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開關(guān)系列 特點(diǎn)TRENCHSTOPTM 技術(shù)提供-極低振動(dòng)
2025-01-11 15:07:17
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD006H060CX1R3 (600V/6A) 芯達(dá)茂IBGT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD006H060CX1R3 (600V
2025-01-06 15:25:07
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