制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:平面電阻器 - 底架安裝
RoHS:
電阻:100 Ohms
功率額定值:800 W
端接類型:Solder Pad
長度:48.26 mm
寬度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
功率損失增大，進(jìn)而影響整個電路的效率和性能。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討MOSFET開關(guān)速度不足導(dǎo)致功率損失的原因，并提供解決方案，以提高系統(tǒng)的性能和效率。一、MO
2026-01-04 10:54:34
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（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06517 MXB12R600DPHFC Si MOSFET：高性能電源管理的理想選擇 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天，我們來深入了解一款高性能的 Si MOSFET
2025-12-16 10:15:06146 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動等眾多領(lǐng)域。今天就來詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達(dá) 300℃以上(傳統(tǒng) Si 器件為150
2025-12-05 10:05:177281 
作為一名電子工程師，在為電動汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計 DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，功率 MOSFET 是一種常見且關(guān)鍵的元件。今天，我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-02 15:53:58337 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路中。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
? 在電子設(shè)計領(lǐng)域，數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）是連接數(shù)字世界和模擬世界的重要橋梁。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的DAC8802，這是一款雙路、14位、電流輸出的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，具有出色的性能和廣泛
2025-11-29 16:04:141233 
在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面的內(nèi)容，為電子工程師們在設(shè)計相關(guān)系統(tǒng)時提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
模塊，同樣的程序可以驅(qū)動這兩個模塊，而且。實現(xiàn)的功能也一樣，也就是說，這兩個芯片的寄存器地址、內(nèi)容、操作命令等基本一樣。
3、發(fā)射功率對比：Si24r1號稱最高能達(dá)到7dB的發(fā)射功率，描述中稱寄存器
2025-11-28 11:10:28
的 AC-DC 架構(gòu)，提供一種更加經(jīng)濟(jì)、緊湊的供電解決方案。
SI1330X 集成 650V 功率 MOSFET，可提供5V/3.3V 輸出電壓，120mA 帶載能力。SI1330X 無需π型濾波可過
2025-11-19 18:07:14
壓降自動降低，那是不是說明米勒平臺后期的充電沒有什么用？
回復(fù)：VGS大于VGS(th)時，功率MOSFET管開始導(dǎo)通，也就是剛剛形成導(dǎo)通溝道，在米勒平臺結(jié)束前，功率MOSFET管都工作在放大區(qū)，而且
2025-11-19 06:35:56
Vishay MCB HRHA充電電阻器（用于EV混合繞線技術(shù)）具有高能量/體積比，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。Vishay MCB HRHA充電電阻器設(shè)計用于工業(yè)和汽車電器中的預(yù)充電、放電和有源放電
2025-11-17 10:35:21348 Vishay/Sfernice PEP功率增強(qiáng)型薄膜片式電阻器具有39Ω至900kΩ寬電阻范圍，耐受溫度高達(dá)+250°C。這些電阻器設(shè)計用于大功率應(yīng)用，具有低噪聲、出色的穩(wěn)定性、低電阻溫度系數(shù)
2025-11-17 10:26:52402 
Vishay / Siliconix SIP32434單通道電子保險絲集成了多種控制和保護(hù)特性。SIP32434具有更高可控性和可靠性，簡化了設(shè)計，并最大限度地減少了外部元件數(shù)量。SIP32434A和SIP32434B保護(hù)電源和連接開關(guān)的下游電路。保護(hù)功能包括過載、短路、電壓浪涌和過大浪涌電流。
2025-11-14 14:35:03466 
Vishay / Siliconix 電子保險絲評估板用于評估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B單通道電子保險絲負(fù)載開關(guān)。該板可用于AEC-Q100版本
2025-11-14 14:05:58363 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay/Sfernice RCH功率電阻器設(shè)計用于安裝到散熱器上，并承受較高的短時過載。這些電阻器采用金屬陶瓷厚膜技術(shù)制造，具有出色的特性。RCH功率電阻器為無電感電阻器，特別適合用于高頻
2025-11-13 15:57:49377 
SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達(dá)40A的每相持續(xù)電流。內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay的先進(jìn)第四代TrenchFET^?^ 技術(shù)，可最大限度地降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay VSMA1094750X02大功率紅外發(fā)光二極管是星形產(chǎn)品組合的一部分，設(shè)有波長為940nm的紅外發(fā)光二極管。Vishay VSMA1094750X02設(shè)計采用雙堆疊發(fā)射器芯片。該器件
2025-11-13 14:52:00385 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時的電感為0.9
2025-11-13 09:49:18381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些半屏蔽電感器在0A時的電感為1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標(biāo)準(zhǔn)SMD MiniLED采用預(yù)成型 封裝，引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設(shè)計用于苛刻環(huán)境的小型大功率產(chǎn)品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 Vishay/BC Components 156 PUM-SI鋁電解電容器是一款超小型卡接電容器，在85°C條件下使用壽命長達(dá)5000小時。該電容器具有±20%的C~R~ 容差、高紋波電流能力、低
2025-11-12 16:03:46388 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，+25°C時的額定功率為35W。此系列無感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝，寬
2025-11-12 10:38:47429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專有生產(chǎn)工藝，產(chǎn)生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態(tài)金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成，帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧
2025-11-11 15:54:40538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設(shè)計，尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高，采用半屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用薄型設(shè)計，采用繞線鐵氧體磁芯，采用鐵嵌入環(huán)氧樹脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器的電感范圍為0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗
2025-11-11 15:25:04328 
Vishay/Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器采用屏蔽、組裝的鐵氧體結(jié)構(gòu)，封裝尺寸為7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的電感范圍為3.μH至1000μH，電感容差為
2025-11-11 15:05:09391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率電感器采用表面貼裝器件（SMD）端接類型和5mmx5mmx4mm尺寸封裝。該電感器的電感范圍為0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19307 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay IHV功率電感器是大電流和徑向引線濾波電感器。這些電感器的額定電感高達(dá)200μH，最大直流電流范圍為20A至60A。IHV濾波電感器在空載條件下的工作溫度范圍為-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15469 
Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達(dá)55A的穩(wěn)壓器設(shè)計。其內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進(jìn)的TrenchFET^?^ 技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩(wěn)壓器每相提供高達(dá)50A的持續(xù)電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規(guī)電阻器，工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒有外部輻射的冷系統(tǒng)。這些無感電
2025-11-11 09:36:33388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質(zhì)陶瓷PTC組成，封裝在UL 94V-0認(rèn)證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標(biāo)準(zhǔn)240J和高能340J選項，可提供大量的浪涌功率循環(huán)。
2025-11-10 10:38:57361 
選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52206 
傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價值主張 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國
2025-11-02 12:20:381346 
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品
2025-10-23 11:25:48335 
該DRV8802為以下產(chǎn)品提供集成電機(jī)驅(qū)動器解決方案 打印機(jī)、掃描儀和其他自動化設(shè)備應(yīng)用。該器件有兩個 H 橋 驅(qū)動器，旨在驅(qū)動直流電機(jī)。每個的輸出驅(qū)動器模塊由N通道組成 功率MOSFET配置為H橋
2025-10-20 14:14:09407 
DRV8802-Q1 器件為汽車提供集成電機(jī)驅(qū)動器解決方案 應(yīng)用。該器件具有兩個 H 橋驅(qū)動器，旨在驅(qū)動直流電機(jī)。輸出 每個驅(qū)動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成，以驅(qū)動
2025-10-17 13:49:15507 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 ? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材料之間嚴(yán)重的晶格失配導(dǎo)致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設(shè)計用于最小化功率轉(zhuǎn)換損失，優(yōu)化用于5V柵極驅(qū)動應(yīng)用。
2025-09-22 15:43:41635 
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破
2025-09-16 14:56:051645 
### 產(chǎn)品簡介（SI4884DY-T1-E3）SI4884DY-T1-E3 是一款由Vishay公司生產(chǎn)的單N通道MOSFET，采用SOP8封裝，專為高效功率開關(guān)和低電壓控制應(yīng)用設(shè)計。它具有較低
2025-09-06 16:32:14
### SI4646DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介SI4646DY-T1-GE3-VB 是一款由 **Vishay** 生產(chǎn)的 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8
2025-09-06 14:33:17
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開關(guān)設(shè)計。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過超低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性設(shè)計，為電子設(shè)備提供高效能功率控制解決方案。
2025-09-03 10:06:551048 ,250Kbps 三種數(shù)據(jù)速率。高的數(shù)據(jù)速率可以在更短的時間完成同樣的數(shù)據(jù)收發(fā)，因此可以具有更低的功耗。芯片輸出功率可調(diào)節(jié)，根據(jù)實際應(yīng)用場合配置相應(yīng)適合的輸出功率，節(jié)省系統(tǒng)的功耗。Si24R1 針對
2025-07-31 10:29:17
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球 銷 售 協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其創(chuàng)新、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率元件。 ? SuperQ與傳統(tǒng) Super
2025-07-28 16:18:19880 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
開關(guān)電流限制
SI1321X 通過檢測電路實時監(jiān)測電感上的電流，防止過流損壞。當(dāng)電流達(dá)到預(yù)設(shè)的限流閾值時，
觸發(fā)限流保護(hù)。當(dāng)檢測到過流時，芯片會迅速關(guān)閉開關(guān)上管，直到下一個開關(guān)周期開始重新嘗
試開
2025-06-05 10:11:10
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
和計算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導(dǎo)
2025-03-27 11:49:46945 
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
直流電壓調(diào)節(jié)應(yīng)用。 AD8802 可通過串行接口微控制器端口輕松編程，具有中量程預(yù)設(shè)，非常適合從標(biāo)稱值開始調(diào)整的電位計替代品。視頻放大器的增益控制、視頻
2025-03-25 10:07:52
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
貿(mào)澤電子即日起供應(yīng)Vishay的RAIK060旋轉(zhuǎn)式絕對磁性套件編碼器。RAIK060專為電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)機(jī)器人和工業(yè)運(yùn)動控制的精確定位而設(shè)計，是一款獲得專利的離軸旋轉(zhuǎn)絕對電感磁性編碼器，具有高重復(fù)性、高精度和高分辨率，有單圈和多圈兩種型號可供選擇。
2025-03-20 11:22:171101 CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:221529 
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582463 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1740SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:51:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1754SI N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:42:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1754SI-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:31:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1913SI N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:01:280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1913SI-Y N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 16:59:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1913SI-Z N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 16:56:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:43:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1713SI N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:33:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1702SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:01:251 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 15:47:580 拿到一個ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標(biāo)題的問題沒找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152088 
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設(shè)計，有效應(yīng)對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高
2025-02-20 10:08:051343 
特點(diǎn)根據(jù)IEC 61249-2-21，無鹵素定義?TrenchFET?功率MOSFET?PWM優(yōu)化?100%Rg測試?符合RoHS指令2002/95/EC
2025-02-17 11:32:12
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
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