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32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應(yīng)時間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、測試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。

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sram(117308) sram(117308)
快速異步(5391) 快速異步(5391)

ST發(fā)布密集型數(shù)據(jù)寫2-Mbit串口EEPROM芯片

全球領(lǐng)先的EEPROM存儲器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體率先發(fā)布針對密集型數(shù)據(jù)寫應(yīng)用的2-Mbit串口EEPROM芯片.

2011-06-21 09:00:35

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新唐科技推出內(nèi)建8Mbit OTP弦音樂IC方案W567CP80

新唐科技股份有限公司首次推出內(nèi)建8Mbit OTP (One Time PROM)的高音質(zhì)16和弦音樂IC方案, 定名為 W567CP80.

2012-07-09 10:19:35

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富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開始提供新品樣片。

2013-03-25 16:09:37

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富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)

富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）合作開發(fā)。

2019-08-08 11:17:22

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英飛凌擴展數(shù)據(jù)記錄存儲器產(chǎn)品組合，推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車規(guī)級串行EXCELON? F-RAM存儲器及新型4Mbit F-RAM存儲器

1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級串行F-RAM存儲器。 ? ? 這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認(rèn)證，支持更寬泛的溫

2023-08-09 14:32:40

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81133A/81134A 12 Mbit擴展模式存儲器產(chǎn)品情況說明書

Information on the 12 Mbit Pattern Memory for the 81133A/34A

2019-09-19 09:04:38

8Mbit的esp-03的corect固件問題求解

嗨，我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問題當(dāng)我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時，一切都是 corect，當(dāng)我嘗試對 8Mb 做同樣的事情時，我也必須

2023-04-26 08:48:33

64Mbit 3V異步SRAM已經(jīng)建成90nm CMOS技術(shù)

＝43301數(shù)據(jù)表@ HTTP://wwwyCysP.COM/？RID＝49137 以上來自于百度翻譯以下為原文Cypress packs 64Mbit memory in SRAM chips

2019-07-23 11:58:19

SRAM和FRAM技術(shù)的共同屬性

。鑒于這兩部分都具有使用SPI接口的實現(xiàn)，很明顯，可以認(rèn)為這些部分可以在大多數(shù)設(shè)計中互換使用。以下各節(jié)描述了這些技術(shù)的共同屬性?！　∮洃浫萘俊　‘?dāng)今市場上可用的串行SRAM支持從64 Kbit到1

2020-12-17 16:18:54

異步sram測試verilog代碼

異步sram測試verilog代碼是個很好的參考程序。

2013-01-13 10:24:30

AM335x 與異步SRAM的接口

請問： ????????? AM335x能否接異步SRAM，如果SRAM的工作電壓為3.3v, 是否可行？謝謝！

2018-05-15 07:39:02

Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器) PSRAM EM7324SU16xP-70LFx

靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit

2013-08-22 09:30:32

Cyclone 配置芯片

, 16-, and 64-Mbit flash memory devices that serially configure Stratix? II FPGAs and the Cyclone

2012-08-11 09:23:58

DDR2上512Mbit (32Mbit * 16) 是什么意思？

一塊DDR2的說明寫的是512Mbit (32Mbit * 16) ，這個是什么意思？

2015-02-10 15:15:26

EMLSI半導(dǎo)體

我司是韓國EMLSI半導(dǎo)體中國區(qū)指定代理.公司主要產(chǎn)品有：1,Low power sram(低功耗靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~16Mbit.2,PSRAM[Pseudo SRAM] (虛擬

2011-07-26 10:31:04

EMLSI半導(dǎo)體

我司是韓國EMLSI半導(dǎo)體中國區(qū)指定代理.公司主要產(chǎn)品有：1,Low power sram(低功耗靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~16Mbit.2,PSRAM[Pseudo SRAM] (虛擬

2011-07-26 10:32:18

Gowin UHS PSRAM Memory Interface IP快速用戶指南

Gowin UHS PSRAM Memory Interface & 2CH IP 用戶指南主要內(nèi)容包括 IP 的特征與功能描述、端口說明、時序說明、配置調(diào)用、參考設(shè)計等，旨在幫助用戶快速

2022-10-10 09:18:38

Mobile SDRAM

靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit

2013-08-02 09:43:10

Mobile SDRAM/DDR 低功耗

靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit

2013-08-16 09:22:13

W25Q40換成W25Q64模塊是否能正常工作？

如果將閃存芯片W25Q40（4Mbit）換成W25Q64（64Mbit），模塊是否能正常工作？而且，最有趣的是，是否支持在 NodeMcu 中處理文件？ PS 如何確定可用于錄制文件的閃存容量？

2023-04-28 07:33:59

stm32f103zet6外擴SRAM如何選擇

SPI接口外擴SRAM ,可以采用VTI科技公司的一款VTI7064的產(chǎn)品，VTI7064是一款容量為64Mbit，讀電流：最大25mA，待機電流：正常值為50uA，封裝為SOP-8，20 MHz時鐘

2019-02-27 17:00:34

樂鑫ESPRESSIF串行外設(shè)接口64 Mbit 偽靜態(tài)隨機存儲? ESP-PSRAM64

其中一款近期非常熱銷的ESP-PSRAM64芯片。ESP-PSRAM64 和 ESP-PSRAM64H 是 64 Mbit 偽靜態(tài)隨機存儲? (Pseudo SRAM)，采用高性能高可靠性的 CMOS

2020-05-11 09:56:38

介紹W25Q64和驅(qū)動函數(shù)

可說的。關(guān)于FATFS的移植下一篇文章介紹。本篇文章主要介紹W25Q64和驅(qū)動函數(shù)。W25Q64容量是64Mbit的flash，64Mbit = 8MByte。其內(nèi)部組織關(guān)系如下：W25Q64內(nèi)部

2022-01-26 07:53:10

以32Mbit-C1模式刷新SPI_MODE_MAP=6的固件，它永遠(yuǎn)不會進(jìn)入用戶代碼，為什么？

我編譯了一個 SPI_MODE_MAP=6 的固件，在 32Mbit 刷寫模式下在0x01000地址刷寫后工作正常，但加載器（1.4b1）顯示它是 32Mbit（512K 512K）模式（我也

2024-07-22 07:04:27

原廠供應(yīng)記憶存儲芯片 Cellular RAM偽靜態(tài)隨機存儲器 PSRAM

)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速SRAM）4Mbit-16Mbit.4.Serial SRAM(串行

2013-08-29 10:11:56

哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器？

你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個外部存儲器，如果我能比我用ADSP

2019-08-15 07:02:35

基于CY15B104Q 4-Mbit（512K x 8）的串行FRAM

MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM

2020-07-22 10:30:31

帶備用電池的SPI SRAM PICtail開發(fā)板

AC164151，PICtail和PICtail Plus開發(fā)板，演示了標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)平臺上帶備用電池的23LCV1024 1 Mbit串行SRAM的功能

2020-08-21 09:48:09

德國IPSiLog Serial SRAM 串行靜態(tài)隨機存儲器 SPI-SRAM 可替代Samsung

：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速

2013-08-23 11:00:03

用于高性能MCU上的代碼下載與執(zhí)行的TM4C129參考設(shè)計

描述此參考設(shè)計展示了如何實現(xiàn)異步并列式閃存和 SRAM 存儲器并將其連接到性能微控制器 TM4C129。通過在主機總線 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于連接 1Gbit-8Mbit 范圍

2022-09-16 08:09:27

請問STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s？

STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s啊，PHY使用的是microchip的LAN8742

2023-08-07 09:08:00

請問stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義嗎？

stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義么，看原子戰(zhàn)艦也才8M，是不是有點浪費，F(xiàn)1性能能消耗這么大內(nèi)存么？

2019-05-07 02:35:35

請問為什么SPI時鐘波特率限制在18Mbit/s？

我正在使用 STM32F072RB MCU，我正在嘗試提高 SPI 波特率。HSI48 時鐘為 48MHz，最小 SPI 時鐘預(yù)分頻比為 2，即 24Mbit/s。但是，它給我一個錯誤，指出波特率超過 18MBit/s。為什么會這樣，還有什么可以改變的嗎？

2023-01-11 08:46:47

請問有超過1Mbit的EEPROM推薦嗎

查看了Microchip 的EEPROM資料，好像都是只有到1Mbit，這樣折算下來，也才有128KByte的數(shù)據(jù)量可以存儲。請問各位見多識廣的大神，有沒有1MByte的數(shù)據(jù)量存儲的EEPROM推薦，有的話型號是什么？

2019-01-21 08:12:36

韓國EMLSI Mobile SDRAM DDR低功耗 Cypress SRAM SDRAM

(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速SRAM）4Mbit-16Mbit.4.Serial SRAM(串行靜態(tài)隨機存儲器

2013-08-30 10:31:33

韓國EMLSI和美國Everspin半導(dǎo)體

靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)4Mbit

2013-07-17 09:52:33

M25P20 pdf datasheet (2 Mbit,

The M25P20 is a 2 Mbit (256K x 8) Serial Flash Memory, with advanced write protectionmechanisms

2009-04-12 00:20:40

論述2,4-Mbit BX,BL與2,4,8-Mbit BV

論述2,4-Mbit

2009-05-23 15:17:40

國內(nèi)衛(wèi)星通信TDM/QPSK/FDMA(2 Mbit/s)系統(tǒng)進(jìn)網(wǎng)技術(shù)要求

國內(nèi)衛(wèi)星通信TDM/QPSK/FDMA(2 Mbit/s)系統(tǒng)進(jìn)網(wǎng)技術(shù)要求：

2009-08-20 14:12:11

FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F

FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads

2010-03-03 15:05:31

FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit

FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile

2010-03-03 15:07:39

交換機采用155Mbit/s中繼對通信網(wǎng)絡(luò)帶來的影響

交換機采用155Mbit/s中繼對通信網(wǎng)絡(luò)帶來的影響在當(dāng)今通信領(lǐng)域激烈競爭的時代，各通信運營商面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為了在競爭中立于不敗之地，必

2009-08-20 00:42:55

1914

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRI

2009-11-02 09:18:48

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旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器

旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E

2009-11-02 15:30:01

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賽普拉斯36-Mbit和18-Mbit容量的四倍速和雙倍速S

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM

2011-01-10 09:48:43

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華邦電子推出W989D6C系列512Mbit行動內(nèi)存

華邦電子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 制程，推出四款512Mbit的行動內(nèi)存，使行動內(nèi)存除了移動電話產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域之外

2011-04-07 10:56:10

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賽普拉斯推出72 Mbit先進(jìn)先出(FIFO)存儲器

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一款容量高達(dá) 72 Mbit 的先進(jìn)先出 (FIFO) 存儲器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求

2011-06-17 09:42:02

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賽普拉斯推出32位總線寬度低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步SRAM

2011-08-02 09:01:30

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基于PSoC3 UDB的異步SRAM讀寫控制

基于 PSoC3 UDB 的異步 SRAM 讀寫控制

2017-01-23 20:48:16

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。

2017-03-24 18:03:20

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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM，是穿戴式裝置與助聽器的絕佳選擇

富士通電子元器件（上海）有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。

2017-03-24 18:48:43

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cy7c1360c 9-mbit流水線SRAM

　The CY7C1360C/CY7C1362C SRAM integrates 256K × 36 and 512K × 18 SRAM cells with advanced

2017-09-14 16:37:36

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘

2017-10-10 08:56:32

SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)

SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)

2017-10-10 08:58:42

SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲

SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲

2017-10-10 09:00:51

SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

2017-10-10 09:03:59

SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，帶實時時鐘

SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，帶實時時鐘

2017-10-10 09:07:05

異步SRAM高性能低功耗存儲器的實現(xiàn)

異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個極為不同的產(chǎn)品類型，每個系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價格。快速異步SRAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。從技術(shù)角度

2017-10-16 11:11:38

PSoC3 UDB的異步SRAM讀寫控制

PSoC3 UDB的異步SRAM讀寫控制

2017-10-30 15:21:23

2017年四季度中國寬帶速率狀況報告固定及移動寬帶下載速率逼近20Mbit/s大關(guān)

據(jù)報道2017年第四季度中國寬帶速率狀況報告已經(jīng)出來，報告表明我國固定寬帶平均下載速率超19Mbit/s，網(wǎng)絡(luò)提速工作成效明顯，固定及移動寬帶下載速率逼近20Mbit/s大關(guān)，僅歷時不到1年半。

2018-02-01 11:00:26

2843

2018年第一季度我國固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到20.15Mbit/s，取得標(biāo)志性成果

5月2日寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國寬帶速率狀況報告》（2018年第一季度）。報告顯示，2018年第一季度我國固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到20.15Mbit/s，已超越20Mbit/s大關(guān)，取得了標(biāo)志性成果，相比2017年第一季度同比提升達(dá)到54.9%。

2018-06-14 09:45:00

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中國寬帶速率狀況報告：我國平均網(wǎng)絡(luò)下載速率已經(jīng)超過20Mbit/s

前不久，寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國寬帶速率狀況報告》，其中顯示，我國2018年第一季度網(wǎng)絡(luò)寬帶平均下載速率達(dá)到了20.15Mbit/s，正式超過20Mbit/s大關(guān)取得了顯著成績，相比

2018-09-18 11:45:11

2212

Mbit非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器nvSRAM系列

包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列

2018-09-30 00:22:02

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基于使用STM32F103單片機，實現(xiàn)64Mbit單對單通信

簡單的一種應(yīng)用，ARM芯片作為master，flash為slaver，實現(xiàn)單對單通信。ARM主控芯片STM32F103，flash芯片為MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E，64Mbit。

2018-10-18 15:19:35

2120

我國4G網(wǎng)絡(luò)的平均下載速率已達(dá)到每秒23.58Mbit/s同比提高了16.6%

在4G網(wǎng)絡(luò)下載速率方面，三大運營商中，中國聯(lián)通的4G網(wǎng)絡(luò)用戶下載速率最高為每秒24.86Mbit/s，移動居其次是每秒23.46Mbit/s，電信則是每秒23.23Mbit/s。值得注意的是，移動和電信的用戶下載速率確實均低于每秒23.58Mbit/s的全國平均值。

2019-08-26 09:39:30

5266

2019年第三季度我國固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率已達(dá)到了37.69Mbit/s

報告顯示，2019年第三季度我國固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到37.69Mbit/s，環(huán)比上季度提升了6.3%，同比去年同期提升了12.7Mbit/s，年度提升幅度達(dá)到50.8%；我國移動寬帶用戶使用4G網(wǎng)絡(luò)訪問互聯(lián)網(wǎng)時的平均下載速率達(dá)到24.02Mbit/s，同比去年同期提升幅度也達(dá)到了11.9%。

2019-11-28 10:13:47

1870

RY1100 2Mbit s誤碼測試儀的詳細(xì)資料介紹

RY1100 2Mbit/s誤碼測試儀適用于測量通信線路數(shù)據(jù)通信的誤碼率和分析線路故障及原因。可方便地完成對2M系統(tǒng)，N×64k信道傳輸參數(shù)測量及日常維護(hù)測試。

2020-05-28 08:00:00

異步SRAM存儲器的功能以及應(yīng)用領(lǐng)域的概述

CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合，密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項。此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機功率消耗

2020-08-24 17:29:47

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XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。星憶存儲代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。特征

2020-09-09 11:44:11

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Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種

2020-11-17 16:35:16

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帶有ECC的異步SRAM存儲器可適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域

賽普拉斯憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費和軍事應(yīng)用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。帶有ECC的異步SRAM

2021-01-16 11:26:15

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關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說明

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口

2021-03-18 16:25:17

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國產(chǎn)串行SRAM芯片EMI7064的特征介紹

現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對SRAM要求越來越高，單片機或ARM內(nèi)部的RAM越來越不夠用。國產(chǎn)EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。這樣的IC用途一般是：數(shù)據(jù)采集或信號處理

2021-03-31 09:53:41

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ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗

2021-04-08 15:44:02

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2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。

2021-05-13 14:35:02

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4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡介

：同步和異步。同步SRAM是與稱為時鐘的外部信號同步的設(shè)備。設(shè)備只會在時鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存。另一方面，異步SRAM不依賴于時鐘的狀態(tài)。它會在收到指令后立即開始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航

2021-06-08 16:58:10

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為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s

數(shù)據(jù)段波特率最大5Mbit/s可以穩(wěn)定通信，為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s？我們帶著這個疑問對PEAK的所有CAN FD接口進(jìn)行了測試，發(fā)現(xiàn)帶NXP

2021-08-23 09:54:23

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國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡單介紹

（異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。

2021-09-22 15:48:25

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國產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹

靜態(tài)存儲SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車和軍事應(yīng)用。快速SRAM是諸如交換機和路由器，IP電話，測試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

2021-10-11 16:33:11

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富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證

2021-12-11 14:46:17

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偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲器。 ? 偉凌創(chuàng)芯4Mbit異步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出

2021-12-21 15:49:53

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國產(chǎn)存儲16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速異步型SRAM，存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。國產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機靜態(tài)存儲器，位寬8

2022-01-07 16:43:33

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高性能異步SRAM技術(shù)角度

當(dāng)前有兩個不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...

2022-02-07 12:37:56

SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開源設(shè)計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開源設(shè)計.zip》資料免費下載

2022-08-11 11:30:30

具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。

2022-08-26 15:35:44

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英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲器已開始批量供貨

【 2022 年 11 月 22 日，德國慕尼黑訊】近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON

2022-11-23 13:57:42

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1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

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4Mbit的磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)

2024-04-22 09:57:36

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BY25Q64ESSIG低功耗設(shè)計優(yōu)化車載電源管理

博雅BOYA 64Mbit NOR Flash BY25Q64ESSIG憑借133MHz高速讀取與車規(guī)級溫度適應(yīng)性，為車載DVD系統(tǒng)提供快速啟動及可靠固件存儲。其低功耗設(shè)計與10萬次擦寫壽命保障系統(tǒng)在-40℃~85℃環(huán)境下穩(wěn)定運行，助力提升車載影音設(shè)備性能。

2025-12-19 09:53:00

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