1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。MRAM具備高速讀寫(xiě)、低功耗、高密度、耐擦寫(xiě)、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢(shì)。
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。通過(guò)低電壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格時(shí)寫(xiě)入。是必須永久存儲(chǔ)和快速檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想內(nèi)存解決方案。
采用的封裝44-TSOP、48-BGA與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容?？稍诟鞣N溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM有三種類型——MRAM和STT MRAM、xSPI MRAM。Everspin代理英尚國(guó)際有限公司可提供MRAM樣品測(cè)試及應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
審核編輯黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54016瀏覽量
466292 -
存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
4793瀏覽量
90071 -
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
250瀏覽量
32926
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Everspin EMD4E001G-1Gb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM內(nèi)存芯片
作為自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)的先行者，Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度，為企業(yè)級(jí)SSD、計(jì)算存儲(chǔ)及
NETSOL代理Parallel STT-MRAM系列存儲(chǔ)芯片
在追求高效能與高可靠性的工業(yè)存儲(chǔ)解決方案中，MRAM存儲(chǔ)芯片以其獨(dú)特的非易失性與近乎無(wú)限的耐用性，正成為新一代存儲(chǔ)技術(shù)的焦點(diǎn)。作為NETSOL的代理，英尚推出的NETSOL Paral
8位I/O并行接口MRAM MR2A08A
在需要高速讀寫(xiě)與數(shù)據(jù)永久保存的工業(yè)、汽車及高可靠性系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇至關(guān)重要。MR2A08A-4Mb磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）憑借其SRAM兼容的性能、真正的非易失特性以及無(wú)限的
FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析
FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲(chǔ)器至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討 Cypress 公司推出
MSP430G2553IPW0RQ1 超低功耗 16 位微控制器
MSP430G2553IPW0RQ1超低功耗16位微控制器產(chǎn)品型號(hào)：MSP430G2553IPW0RQ1產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TSSOP20產(chǎn)品功能：超低功耗16位微控制器
Everspin的MRAM芯片存儲(chǔ)技術(shù)工作原理
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存
Everspin串口MRAM芯片常見(jiàn)問(wèn)題
在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)
Everspin256Kb串行SPI接口MRAM芯片分享
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫(xiě)入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻
串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM
MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢(shì)介紹
在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與
Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述
在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)
Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片有哪些型號(hào)
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。
聲音的溫度：WT588F02A-16S錄音芯片如何讓寵物喂食器更懂愛(ài)
的溫情保障WT588F02A-16S錄音芯片內(nèi)置2Mbit大容量存儲(chǔ)空間，在保留必要程序空間后，仍提供200KB的專用語(yǔ)音存儲(chǔ)區(qū)域。這一
NXP PN5120A0HN1 NFC前端芯片 特性參數(shù)、EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)下載
NXP PN5120A0HN1 NFC前端芯片 特性參數(shù)、EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)下載
芯源CW32A030-ARM? Cortex?-M0+ 32 位微控制器
12Mbit/s? 兩路 I2C 接口 1Mbit/s? IR 調(diào)制器
● 串行調(diào)試接口 (SWD)
● 80 位唯一 ID
● AEC-Q100 (Grade 2) 車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
●原廠授權(quán)一級(jí)代理--深圳市芯美力科技有限公司
●電話：19928739245（微同）
●歡
發(fā)表于 04-03 09:27
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論