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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

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2016-12-28 11:07:140

關(guān)于一些行業(yè)大佬們關(guān)于未來(lái)熱門(mén)技術(shù)發(fā)展的預(yù)判總結(jié)

為此,小編搜集了一些行業(yè)大佬們關(guān)于未來(lái)熱門(mén)技術(shù)發(fā)展的預(yù)判,或許從這些發(fā)展趨勢(shì)中能找到一些努力的方向。
2017-12-28 16:31:526349

歸納AI領(lǐng)域一些方向的重要技術(shù)進(jìn)展

2017年人工智能行業(yè)延續(xù)了2016年蓬勃發(fā)展的勢(shì)頭,那么在過(guò)去的年里AI行業(yè)從技術(shù)發(fā)展角度有哪些重要進(jìn)展?未來(lái)又有哪些發(fā)展趨勢(shì)?本文從大家比較關(guān)注的若干領(lǐng)域作為代表,來(lái)歸納AI領(lǐng)域一些方向的重要技術(shù)進(jìn)展。
2018-01-11 17:05:214833

關(guān)于二叉樹(shù)一些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法相關(guān)的題目

最近總結(jié)了一些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法相關(guān)的題目,這是第篇文章,關(guān)于二叉樹(shù)的。
2018-02-07 13:57:103561

采用GaNSiC先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)的逆變器

代逆變器采用GaNSiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:003682

關(guān)于單片機(jī)的一些按鍵問(wèn)題和代碼詳細(xì)資料總結(jié)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是關(guān)于單片機(jī)的一些按鍵問(wèn)題和代碼詳細(xì)資料總結(jié)免費(fèi)下載。
2019-06-18 17:44:002

關(guān)于保險(xiǎn)絲,這里有一些必知其實(shí)用的小常識(shí)

關(guān)于保險(xiǎn)絲,這里有一些必知其實(shí)用的小常識(shí)
2019-07-02 11:40:487762

關(guān)于學(xué)習(xí)Linux的一些建議

不管是在生活還是工作中,每個(gè)人都會(huì)逐漸養(yǎng)成一些小習(xí)慣。壞習(xí)慣旦形成就很難改正,所在在系統(tǒng)學(xué)習(xí) Linux 之前,給大家一些建議,刻意去培養(yǎng)一些好的習(xí)慣,對(duì)自己是很有利的。
2020-07-14 14:22:06881

半導(dǎo)體材料:Si、SiCGaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了個(gè)極限,而此時(shí)以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311

一些關(guān)于手機(jī)信號(hào)放大器在安裝時(shí)會(huì)遇到的一些問(wèn)題

隨著時(shí)代的發(fā)展,手機(jī)信號(hào)放大器也普布出現(xiàn)在的家庭中。最近收集了一些關(guān)于手機(jī)信號(hào)放大器在安裝時(shí)會(huì)遇到的一些問(wèn)題,整理了四大類(lèi)常見(jiàn)問(wèn)題與處理方式,具體內(nèi)容可以看詳細(xì)~ 對(duì)通訊基站造成干擾的處理 1.
2020-09-01 14:24:573161

分享一些比較全面的手機(jī)原理資料

分享一些比較全面的手機(jī)原理資料
2021-11-05 09:43:082

硬件設(shè)計(jì)——關(guān)于電路設(shè)計(jì)的一些知識(shí)

首先我說(shuō)下,這篇文章不是系統(tǒng)地講述某個(gè)電路設(shè)計(jì),而是為了記錄一些關(guān)于電路設(shè)計(jì)上的一些知識(shí),方便我查看。電源設(shè)計(jì)輸出端采用了常見(jiàn)的電容去耦方法,一大一小兩電容(相差兩個(gè)數(shù)量級(jí))。(目的:降低電源噪聲
2021-11-06 15:36:0113

關(guān)于藍(lán)橋杯單片機(jī)開(kāi)發(fā)板矩陣鍵盤(pán)的一些

關(guān)于藍(lán)橋杯單片機(jī)開(kāi)發(fā)板矩陣鍵盤(pán)的一些
2021-11-23 17:36:302

SiC技術(shù)優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及應(yīng)用層面的一些瓶頸

隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會(huì)是越來(lái)越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的種非常有效的手段。本文主要介紹SiC技術(shù)優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及目前應(yīng)用層面的一些瓶頸。
2022-05-09 15:50:175

關(guān)于PCB的一些科普

印刷電路板必須是您幾乎在任何地方都能找到的最常見(jiàn)的技術(shù)。但你對(duì)他們到底了解多少?在這里,我們將討論一些您可能不知道的有關(guān) PCB 的事實(shí)。
2022-07-28 10:47:582039

GaNSiC功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)

在基本半導(dǎo)體特性(帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于個(gè)電子伏特,臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:294352

GaNSiC熱管理的進(jìn)展

氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)?;?GaNSiC 的器件可以提供最新代電源應(yīng)用所需的高性能。然而,它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾?,這使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為個(gè)需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:572305

通過(guò)測(cè)試和認(rèn)證確保GaN的可靠性

和通過(guò)/失敗標(biāo)準(zhǔn),以確保系統(tǒng)可靠性并加速市場(chǎng)發(fā)展。Witham 補(bǔ)充說(shuō),行業(yè)聯(lián)盟正在努力克服差異——具有不同技術(shù)的供應(yīng)商和具有不同商業(yè)利益的供應(yīng)商——一些擁有硅和 GaN,一些只有 GaN,其他一些擁有硅、碳化硅和 GaN
2022-08-05 08:05:031949

介紹一些大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)

PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:393152

SiCGaN,會(huì)把硅功率器件趕出歷史舞臺(tái)?

云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiCGaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)還需要一些時(shí)間。
2023-01-11 14:23:18919

關(guān)于數(shù)碼管的一些知識(shí)筆記

“寫(xiě)寫(xiě)關(guān)于數(shù)碼管的一些知識(shí)筆記”
2023-06-28 11:29:505580

GaNSiC功率器件的特點(diǎn) GaNSiC技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004

SiCGaN 的興起與未來(lái) .zip

SiCGaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:227

SiCGaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

中產(chǎn)生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時(shí)存在一些挑戰(zhàn)。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹其中的一些,同時(shí)總結(jié)它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件中的一些潛在應(yīng)用。01有幾個(gè)因素決
2024-04-29 11:49:532875

AN29-關(guān)于DC-DC轉(zhuǎn)換器的一些想法

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN29-關(guān)于DC-DC轉(zhuǎn)換器的一些想法.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 13:57:400

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