本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯?duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
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本文調(diào)研了一些對(duì)OpenMP優(yōu)化的方式。
2022-11-22 09:36:01
1466 超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:24
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GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:18
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
6224 和GaN的特性比較 氧化鎵(GaO)是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料,GaO的導(dǎo)熱性較差,但其帶隙(約4.8 eV)超過(guò)SiC,GaN和Si,但是,GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展,性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始,將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn),但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
的隔離柵是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。ADuM4135 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用 ADI 公司經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 iCoupler?技術(shù),可以給高電壓和高開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用帶來(lái)諸多重要優(yōu)勢(shì)。 ADuM4135 是驅(qū)動(dòng) SiC/GaN
2018-10-30 11:48:08
一些關(guān)于GUI的 MATLAB的資料
2014-08-19 21:53:34
一些關(guān)于電腦的相關(guān)知識(shí)
2012-06-01 16:24:22
關(guān)于西部賽區(qū)的一些技術(shù)報(bào)告 電磁方向的
2016-01-25 16:38:08
關(guān)于51單片機(jī)一些知識(shí).
2013-08-11 16:36:36
關(guān)于ARM的一些常用代碼
2015-04-25 22:19:35
關(guān)于CAN的一些資料`PCB打樣找華強(qiáng) http://www.hqpcb.com 樣板2天出貨
2013-10-09 12:30:17
關(guān)于CAN的一些資料`PCB打樣找華強(qiáng) http://www.hqpcb.com 樣板2天出貨
2013-10-09 12:31:18
現(xiàn)在在畫(huà)PCB,新手,希望能和各大高手多多交流學(xué)習(xí),這是我在網(wǎng)上找的關(guān)于EMC/EMI的一些經(jīng),和大家分享一下,不足的地方希望大家補(bǔ)充。
2015-04-19 21:45:29
本帖最后由 XYWYLR 于 2013-7-11 16:00 編輯
關(guān)于FPGA軟件的一些簡(jiǎn)單使用教程。希望可以幫到一些初學(xué)者
2013-07-11 15:56:12
關(guān)于FPGA的一些典型問(wèn)題總結(jié)
2015-11-04 13:05:26
關(guān)于Matlab的一些視教程
2011-12-07 20:37:58
最近再設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于ad9942的系統(tǒng),在查看數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題,希望論壇里的高手可以予以解答 1.關(guān)于GND的設(shè)計(jì)ad9942支持雙通道,有A B 兩路,為防止兩路之間干擾,我打算給A B兩路
2018-12-05 09:13:43
關(guān)于freeRTOS的一些資料
2018-08-25 13:35:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
關(guān)于keil的一些學(xué)習(xí)資料。
2012-10-30 00:19:46
關(guān)于portel封裝的一些資料
2011-06-26 00:17:16
關(guān)于protel的一些基礎(chǔ)知識(shí)
2012-05-31 09:16:26
關(guān)于protel的一些基礎(chǔ)知識(shí)
2012-05-31 09:56:38
關(guān)于proteus的一些資料。
2013-01-04 00:58:51
#序言本文章是關(guān)于stm的一些簡(jiǎn)單的介紹,全部都是個(gè)人學(xué)習(xí)的一些經(jīng)驗(yàn)總結(jié),分享給想要自學(xué)stm32的朋友們用于入門(mén)。其中部分內(nèi)容借鑒于《stm32中文參考手冊(cè)》和《cortex-m3權(quán)威指南》,對(duì)于
2022-02-24 06:30:58
關(guān)于stm32的一些資料 自行下載
2016-03-23 11:34:47
**關(guān)于過(guò)孔的大?。弘娫催€沒(méi)學(xué)完,待續(xù)。。。。關(guān)于電源線(xiàn)的一些規(guī)則:待續(xù)本章的一些零碎總結(jié):1.不改變規(guī)則前提下消除錯(cuò)誤綠色提示T+M2.電源布線(xiàn)盡量寬一些1mm(40mil)一般承載1Aled一般電流比較小,電源線(xiàn)可以細(xì)一些,蜂鳴器電流會(huì)大一些3.高頻版中,盡量少...
2021-11-11 07:09:48
關(guān)于電腦的一些基礎(chǔ)知識(shí)
2012-05-30 16:27:17
關(guān)于通信的一些經(jīng)驗(yàn)分享
2021-05-26 06:16:41
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性,各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處,因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是:SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用;GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
作為剛接觸一些LabVIEW的新同學(xué),去做一些什么樣子的小任務(wù)比較好?
2017-01-16 10:03:45
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō),在知曉了非線(xiàn)性GaN模型的基本概念(非線(xiàn)性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
數(shù)據(jù)流。但這會(huì)帶來(lái)一些其他挑戰(zhàn)。基站需要更多功率來(lái)驅(qū)動(dòng)64個(gè)通道,因此,能效和散熱變成了更大的問(wèn)題,進(jìn)一步提高GaN的功效相應(yīng)地變得更具價(jià)值?! 〈笠?guī)模MIMO的另一個(gè)大問(wèn)題是復(fù)雜性的管理。把64個(gè)發(fā)射
2018-12-05 15:18:26
想找一些關(guān)于做智能小車(chē)的經(jīng)典的詳細(xì)做法,求指導(dǎo)(如循跡、避障、尋聲、尋光功能的小車(chē)),很多資料不合心意,求詳細(xì)且讓人明白的資料
2013-07-31 11:13:38
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
能介紹一些國(guó)外關(guān)于高速PCB設(shè)計(jì)的技術(shù)書(shū)籍和資料嗎?
2009-09-06 08:40:45
第一次在論壇發(fā)帖,心里有點(diǎn)激動(dòng),剛看過(guò)論壇的名人堂,這里真是高手云集,反觀自己,真是一只不折不扣的菜鳥(niǎo)。所以來(lái)請(qǐng)教一些問(wèn)題。最近在看關(guān)于全數(shù)字鎖相環(huán)的資料,不知道有沒(méi)有前輩研究過(guò),一般的鎖相環(huán)電路
2012-10-31 10:07:36
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)(比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng))采用新技術(shù)的速度較慢,而另一些市場(chǎng)(比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
應(yīng)用距離幾何理論與解析方法,研究了一些單形體積之間的關(guān)系,建立了關(guān)于單形體積的一些新的不等式,作為其特例,獲得垂足單形體積的一個(gè)不等式和單形的其他一些不等式.
2008-11-20 11:55:52
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關(guān)于中、高壓變頻器的一些知識(shí)
摘要:中、高壓變頻器主電路不像低壓變頻器那樣,至今還沒(méi)有統(tǒng)一的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它們從功率
2009-07-08 10:53:59
2983 
關(guān)于電池的一些疑問(wèn)解答
(1)電池不用時(shí),低溫冷藏,正確嗎? 錯(cuò)誤,將電池低溫冷藏并不能夠延長(zhǎng)電池的使用壽命
2009-11-13 14:25:43
757 處理原理圖的一些技巧
最近在畫(huà)一個(gè)原理圖,把一些比較好的經(jīng)驗(yàn)分享一下,比較普通的就不提了。1.把每個(gè)功能模塊分離開(kāi)來(lái),
2009-11-21 13:56:40
801 關(guān)于單片機(jī)的一些基本概念
隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展,計(jì)算機(jī)已深入地滲透到我們的生活中,許多電子愛(ài)好者開(kāi)始學(xué)習(xí)單片機(jī)知識(shí),但單片機(jī)的內(nèi)容比較抽象,相
2010-03-18 16:54:07
1218 對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的噪聲,除了芯片本身,Layout的設(shè)計(jì)最為重要,記錄一些相關(guān)的技巧。不少關(guān)于EMI的觀念具有通用性。下面我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">關(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵問(wèn)題。
2012-12-11 17:09:46
4907 據(jù)權(quán)威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng),預(yù)計(jì)到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:11
3205 C++面向?qū)ο?b class="flag-6" style="color: red">關(guān)于MFC的一些簡(jiǎn)單應(yīng)用和總結(jié).
2015-11-09 17:15:36
1 關(guān)于紅外通信的一些問(wèn)題知識(shí)點(diǎn)。
2016-05-05 17:40:59
4 以前寫(xiě)論文收集的
一些資料,學(xué)習(xí)射頻電路、無(wú)線(xiàn)通信
技術(shù)的好資料!?。∮绕涫?b class="flag-6" style="color: red">關(guān)于4G/LTE方面的學(xué)習(xí)?。。?/div>
2016-06-27 15:11:11
0 關(guān)于續(xù)流二極管的一些問(wèn)題,感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 10:43:06
23 本文檔詳細(xì)介紹分析了關(guān)于PID的一些常用知識(shí)
2016-08-29 14:22:42
2 關(guān)于信息治理與云的一些事實(shí)
2016-12-28 11:07:14
0 為此,小編搜集了一些行業(yè)大佬們關(guān)于未來(lái)熱門(mén)技術(shù)發(fā)展的預(yù)判,或許從這些發(fā)展趨勢(shì)中能找到一些努力的方向。
2017-12-28 16:31:52
6349 2017年人工智能行業(yè)延續(xù)了2016年蓬勃發(fā)展的勢(shì)頭,那么在過(guò)去的一年里AI行業(yè)從技術(shù)發(fā)展角度有哪些重要進(jìn)展?未來(lái)又有哪些發(fā)展趨勢(shì)?本文從大家比較關(guān)注的若干領(lǐng)域作為代表,來(lái)歸納AI領(lǐng)域一些方向的重要技術(shù)進(jìn)展。
2018-01-11 17:05:21
4833 
最近總結(jié)了一些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法相關(guān)的題目,這是第一篇文章,關(guān)于二叉樹(shù)的。
2018-02-07 13:57:10
3561 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:00
3682 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是關(guān)于單片機(jī)的一些按鍵問(wèn)題和代碼詳細(xì)資料總結(jié)免費(fèi)下載。
2019-06-18 17:44:00
2 關(guān)于保險(xiǎn)絲,這里有一些必知其實(shí)用的小常識(shí)
2019-07-02 11:40:48
7762 不管是在生活還是工作中,每個(gè)人都會(huì)逐漸養(yǎng)成一些小習(xí)慣。壞習(xí)慣一旦形成就很難改正,所在在系統(tǒng)學(xué)習(xí) Linux 之前,給大家一些建議,刻意去培養(yǎng)一些好的習(xí)慣,對(duì)自己是很有利的。
2020-07-14 14:22:06
881 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:00
13311 
隨著時(shí)代的發(fā)展,手機(jī)信號(hào)放大器也普布出現(xiàn)在的家庭中。最近收集了一些關(guān)于手機(jī)信號(hào)放大器在安裝時(shí)會(huì)遇到的一些問(wèn)題,整理了四大類(lèi)常見(jiàn)問(wèn)題與處理方式,具體內(nèi)容可以看詳細(xì)~ 對(duì)通訊基站造成干擾的處理 1.
2020-09-01 14:24:57
3161 分享一些比較全面的手機(jī)原理資料
2021-11-05 09:43:08
2 首先我說(shuō)一下,這篇文章不是系統(tǒng)地講述某個(gè)電路設(shè)計(jì),而是為了記錄一些關(guān)于電路設(shè)計(jì)上的一些知識(shí),方便我查看。電源設(shè)計(jì)輸出端采用了常見(jiàn)的電容去耦方法,一大一小兩電容(相差兩個(gè)數(shù)量級(jí))。(目的:降低電源噪聲
2021-11-06 15:36:01
13 關(guān)于藍(lán)橋杯單片機(jī)開(kāi)發(fā)板矩陣鍵盤(pán)的一些坑
2021-11-23 17:36:30
2 隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會(huì)是越來(lái)越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。本文主要介紹SiC技術(shù)優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及目前應(yīng)用層面的一些瓶頸。
2022-05-09 15:50:17
5 印刷電路板必須是您幾乎在任何地方都能找到的最常見(jiàn)的技術(shù)。但你對(duì)他們到底了解多少?在這里,我們將討論一些您可能不知道的有關(guān) PCB 的事實(shí)。
2022-07-28 10:47:58
2039 在基本半導(dǎo)體特性(帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特,臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:29
4352 
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)?;?GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而,它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾?,這使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:57
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和通過(guò)/失敗標(biāo)準(zhǔn),以確保系統(tǒng)可靠性并加速市場(chǎng)發(fā)展。Witham 補(bǔ)充說(shuō),行業(yè)聯(lián)盟正在努力克服差異——具有不同技術(shù)的供應(yīng)商和具有不同商業(yè)利益的供應(yīng)商——一些擁有硅和 GaN,一些只有 GaN,其他一些擁有硅、碳化硅和 GaN。
2022-08-05 08:05:03
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PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39
3152 云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)還需要一些時(shí)間。
2023-01-11 14:23:18
919 “寫(xiě)寫(xiě)關(guān)于數(shù)碼管的一些知識(shí)筆記”
2023-06-28 11:29:50
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SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39
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SiC與GaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:22
7 中產(chǎn)生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時(shí)存在一些挑戰(zhàn)。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹其中的一些,同時(shí)總結(jié)它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件中的一些潛在應(yīng)用。01有幾個(gè)因素決
2024-04-29 11:49:53
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN29-關(guān)于DC-DC轉(zhuǎn)換器的一些想法.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 13:57:40
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評(píng)論